北京
【CNMO科技消息】5月29日，三星電子宣布，已向全球主要客戶供應新一代高帶寬存儲器HBM4E 12層樣品。該產品是HBM4的升級版本，針對大型語言模型和AI數據中心等高算力場景設計。
三星
據CNMO科技了解，三星HBM4E 12層樣品在性能上實現明顯提升。單個引腳工作速度從HBM4的14Gbps提高至最高16Gbps，提升幅度超過20%。單堆棧帶寬達到每秒3.6TB，可滿足下一代AI加速器對數據吞吐量的需求。容量方面，該產品實現48GB，三星計劃根據客戶需求推出32GB 8層和64GB 16層版本，以覆蓋不同AI服務器和數據中心場景。
三星HBM4E 12層樣品
技術層面，HBM4E采用三星1c（第六代10納米級）DRAM和自研4納米工藝的邏輯芯片，沿用在HBM4中已驗證的制程組合。三星同時優化了低功耗設計和封裝結構，使能效較前代提升16%，熱阻特性改善超過14%。這些改進有助于降低高負載AI運算下的發熱和功耗，提升數據中心運行效率。
三星于今年2月開始量產HBM4，目前仍在擴大供應。此次HBM4E樣品出貨后，三星將根據客戶時間表推進量產。三星電子存儲器事業部開發副總裁黃相俊表示，HBM4量產成功為后續產品打下基礎，公司計劃基于領先的生產投資和技術競爭力，推動全球AI存儲器市場增長。此前，HBM4在去年12月的系統級封裝測試中以11.7Gbps速度獲得行業最高評分。
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