相較HBM4，HBM4E速率提升超20%。

三星電子今日宣布，已向全球主要客戶送出業界首款12層堆疊HBM4E樣品，進一步鞏固其在新一代高帶寬內存市場的領先地位。

今年早些時候，三星率先實現旗艦產品HBM4的量產與商用交付，如今推出HBM4E樣品，持續完善高帶寬內存產品路線，以此滿足人工智能計算與超大規模算力基礎設施飛速增長的需求。

三星電子存儲器事業部研發負責人、副總裁Sang Joon Hwang表示：“繼HBM4順利量產后，三星憑借HBM4E再度彰顯獨到的技術優勢。我們將依托領先的制造能力與前瞻性的產能布局，持續推動全球AI內存市場發展。”

三星電子HBM4E，速率提升超20%

三星HBM4E單引腳穩定運行速率為14Gbps，最高可提升至16Gbps，能夠應對日益嚴苛的數據處理需求。相較HBM4，其速率提升超20%；單堆疊內存帶寬最高可達3.6TB/s，可充分釋放大語言模型（LLM）與新一代AI系統的運算性能。

此次推出的12層堆疊HBM4E產品容量為48GB，相較上一代產品提升超30%。三星還將根據客戶需求，陸續推出8層32GB、16層64GB等不同規格版本，豐富產品矩陣。HBM4E充分整合三星完整的半導體技術實力，沿用HBM4量產階段打磨成熟的前沿技術，包括業界領先的第六代10納米級1c DRAM工藝，以及三星晶圓代工的4納米邏輯基底芯片，保障產品擁有更出色的工藝穩定性與量產能力。

三星對HBM4E的存儲及邏輯架構完成設計與工藝優化，進一步提升產品性能、能效與良率。其中，憑借先進低功耗設計與封裝結構優化，該產品能效較上一代提升16%，熱阻性能改善超14%。以上優化可實現更高效的散熱效果，讓新一代數據中心在高負載運行場景下，長期保持穩定運轉，并降低整體能耗。

完成樣品交付與相關調試后，三星將結合客戶進度啟動HBM4E量產工作。

三星于今年2月推出的HBM4收獲了全球客戶的廣泛好評，其性能與能效表現備受認可。作為業內首款實現量產的產品，HBM4在系統級封裝（SiP）測試中跑出11.7Gbps的速率，樹立起行業標桿。目前HBM4供貨規模穩步擴大。采用同款核心芯片與基底芯片的全新HBM4E，預計很快邁入量產階段，助力新一代AI系統加速創新。依托覆蓋存儲、晶圓代工、邏輯芯片設計及先進封裝的全產業鏈布局，三星將持續為高速發展的AI市場，提供穩定的半導體產品供應。

SK海力士HBM4E，預計下半年送樣

SK海力士的HBM4于2025年9月量產；HBM4E計劃2026年下半年送樣、2027年量產，其HBM4E將采用基于1c nm制程的DRAM裸片，基礎裸片則由臺積電采用3nm工藝生產。

值得關注的是，SK海力士剛剛發布了“iHBM”技術。該技術通過在HBM封裝內集成一體化冷卻元件“ICE”，顯著降低產品運行時的發熱量。

伴隨AI算力需求持續激增，HBM不斷通過增加堆疊層數、提升運行速度來實現性能的迭代升級，同時也帶來發熱量攀升的難題。因此，有效控制連接HBM與GPU的D2D PHY區域的功率密度，正成為下一代HBM技術競爭力的核心。

iHBM技術的特點在于從結構層面根本性解決上述散熱難題。傳統HBM依賴熱量經由核心芯片（Core Die）向外傳導的間接散熱方式。iHBM的核心在于，直接在熱量最為集中的D2D PHY區域內嵌入熱控元件（ICE），構建專用熱量排出通道（Heat Path）。相較傳統方案，熱阻（Thermal Resistance）降低30%以上，同時確保產品在高溫、高負載環境下的穩定運行特性。

該技術在量產可行性方面也具備顯著優勢。產品采用經市場充分驗證的先進MR-MUF晶圓級封裝工藝，可實現穩定規模化量產。此外，該技術與客戶現有系統級封裝環境具備高度設計兼容性，客戶無需進行大規模設計改動，即可直接部署，從而有效降低了實際導入門檻。

SK海力士計劃將iHBM技術應用于HBM5等下一代產品，以滿足高性能計算（HPC）、AI數據中心等超高度集成、高帶寬應用場景的嚴苛散熱管控需求，進一步提升整體系統的穩定性與運行效率。

美光HBM4E，明年投產

美光科技全球運營副總裁Manish Bhatia在出席摩根大通投資大會時表示：美光HBM4產能爬坡速度，較去年HBM3 12層產品實際快了一倍，良率提升速度更快。該產品將搭載于英偉達人工智能運算平臺Vera Rubin。

美光HBM4爬坡提速主要得益于三大原因：第一是基于上一代HBM3、HBM3E12層產品量產積累的經驗與學習效應；第二是HBM4核心裸片（DRAM芯片）采用10納米級第五代1β工藝制造，該工藝是美光當前主力工藝，性能與良率均已驗證、運行穩定；第三是采用自研優化的基底裸片，通過1βDRAM與自研制造基底裸片相結合，最大化產品完整性與性能。

不過從下一代HBM4E開始，美光將調整策略：核心裸片計劃采用10納米級第六代1γ工藝生產。1γ與三星電子、SK海力士的10納米級第六代1c工藝屬同代技術，也是美光首次導入ASML極紫外（EUV）光刻設備的工藝。基底裸片也將不再自研生產，轉而交由臺積電代工。

Bhatia副總裁表示：HBM4E開發進展順利，預計明年啟動量產，首批爬坡的將是符合JEDEC標準的產品。同時，美光也在籌備面向客戶需求的定制款產品。定制款成本雖高于標準款，但憑借性能提升與功能增加，預計可充分滿足客戶需求。

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