在AI算力需求持續爆發、先進封裝從晶圓級向面板級快速演進的關鍵階段，電鍍技術正從“配套工藝”加速躍升為決定三維芯片集成能力上限的核心環節。在2026集微大會先進封裝與測試峰會上，盛美半導體設備（上海）股份有限公司工藝副總裁賈照偉發表了題為《三維芯片集成領域電鍍技術的挑戰和機遇》主題演講，圍繞AI時代先進封裝發展趨勢、電鍍與濕法工藝面臨的關鍵挑戰，以及盛美上海在高深寬比TSV、面板級先進封裝與負壓清洗等方向的技術突破進行了系統分享。

盛美上海工藝副總裁賈照偉發表演講

AI與HBM驅動三維集成升級，電鍍成為關鍵核心工藝

賈照偉表示，當前先進封裝的發展核心已經不僅是“封裝”本身，而是圍繞芯片互聯技術展開。隨著AI芯片對于帶寬、算力和能效要求持續提升，從C4 bump、Cu Pillar，到Fine Pitch RDL、TSV、Micro bump，再到HBM中的Hybrid Bonding，幾乎所有關鍵互聯結構都離不開電鍍工藝支撐?！靶酒ヂ摮叽缯趶臄蛋傥⒚滓恢毖由斓郊{米級尺度，結構越來越復雜，對工藝能力的要求也越來越高?！彼硎?。

盛美上海工藝副總裁賈照偉

賈照偉指出，HBM持續迭代正在進一步推動高深寬比TSV、微凸點以及高均勻性銅填充需求快速增長，而AI大芯片的發展，則正在推動封裝形式從晶圓級向面板級演進。相比傳統圓形晶圓，方形面板在大尺寸芯片制造中擁有更高利用率與成本優勢，目前310mm、510mm甚至600mm級面板已逐漸成為產業重點方向。

但與此同時，面板級先進封裝也給設備與工藝帶來了新的挑戰。賈照偉提到，大尺寸面板翹曲問題日益突出，部分翹曲度甚至達到±10毫米；同時，隨著RDL線寬不斷縮小、TSV深寬比持續增加，電鍍液深孔浸潤、片內均勻性控制以及不同模塊之間的交叉污染問題，都成為行業必須解決的重要難題。

賈照偉指出，未來先進封裝的競爭，本質上將是工藝能力、設備能力與系統協同能力的綜合競爭，而電鍍技術正成為決定先進封裝量產能力的重要核心環節。

聚焦高深寬比與Chiplet清洗難題，盛美持續推進差異化創新

圍繞三維芯片集成帶來的技術挑戰，盛美上海近年來持續加大在電鍍與濕法工藝領域的研發投入，形成了一系列差異化核心技術。

在高深寬比TSV領域，當前行業需求已逐步提升至10:1至15:1，未來甚至將突破20:1。針對無空穴銅填充、高均勻性控制等挑戰，盛美上海開發了多陽極局部電鍍技術，通過毫秒級電流響應與同步電場控制，實現納米級厚度調節，并有效改善晶圓及面板邊緣區域的電鍍均勻性。

演講中，賈照偉重點介紹了公司Multi-Anode多陽極技術。他表示，傳統電鍍在方形面板四角及四邊區域容易出現膜厚均勻性問題，而盛美上海通過多陽極同步電場控制技術，可形成與面板同步旋轉的方形電場，實現更優的面板邊緣與角落的膜厚均勻性控制。

除了電鍍本身，Chiplet先進封裝中的清洗問題同樣成為行業關注焦點。

賈照偉表示，隨著Chiplet Pitch不斷縮小，傳統高壓噴淋清洗已難以徹底去除芯片間窄縫中的助焊劑殘留。“當間距縮小到一定程度后，液體會受到表面張力影響，很難進入內部縫隙?！贬槍@一行業痛點，盛美上海開發了負壓真空清洗技術，通過真空環境切換改善液體浸潤能力，使清洗液能夠進入更小間隙內部，從而顯著提升助焊劑去除效率。

目前，盛美上海面板級先進封裝相關設備已逐步進入客戶驗證階段，包括面板級電鍍設備、負壓清洗設備以及邊緣濕法刻蝕設備等。其中，面板級水平電鍍設備采用專利化水平電鍍腔體設計，并結合多陽極同步控制技術，有效降低交叉污染并提升面板均勻性。

從濕法工藝專家到平臺化設備企業，盛美加速布局未來先進制造

演講最后，賈照偉還系統介紹了盛美上海近年來的平臺化戰略布局。

作為一家起源于硅谷、成長于上海張江的半導體設備企業，盛美上海長期深耕清洗、電鍍等核心濕法工藝領域，并逐步向先進封裝、干法設備及下一代工藝延伸。

今年3月，盛美上海正式發布“盛美芯盤”八大行星系列，以客戶需求為核心，構建覆蓋清洗、電鍍、涂膠顯影、爐管、PECVD、先進封裝及面板級封裝等關鍵工藝的平臺化產品矩陣。其中，“金星”系列聚焦電鍍設備，“地球”系列覆蓋清洗設備，“木星”系列面向晶圓級先進封裝，“天王星”系列則重點布局面板級先進封裝。

賈照偉表示，盛美上海始終堅持“技術差異化、產品平臺化、客戶全球化”戰略，通過持續創新，構建自主核心知識產權體系。目前，公司已在電鍍相關領域形成覆蓋電鍍腔體、夾持系統、多陽極控制、軟件算法及晶圓傳輸等多個方向的核心專利布局。

面對AI時代持續演進的先進封裝需求，盛美上海正圍繞高深寬比互連、面板級封裝、先進清洗與新型工藝持續推進技術創新。賈照偉表示，盛美上海將繼續圍繞客戶需求進行探索，與產業鏈伙伴共同推動三維芯片集成與先進封裝技術持續升級。