北京
在2026臺(tái)北國際電腦展（Computex 2026）上，SK海力士提前展示了下一代HBM4E存儲(chǔ)芯片。
HBM4E 帶來 33% 存儲(chǔ)密度提升、38% 帶寬增長，瞄準(zhǔn) 4TB/s 下一代 AI 數(shù)據(jù)中心芯片
這款新產(chǎn)品一個(gè)裸片(Die)容量達(dá)到32Gb，相比HBM4提升約33%。借助更高密度設(shè)計(jì)，僅需12層（12-Hi）堆疊即可實(shí)現(xiàn)與16層（16-Hi）HBM4相同的48GB容量。
不僅如此，HBM4E的速度也進(jìn)一步提升，單Pin傳輸速率最高可達(dá)16Gbps，較HBM4提高約37%，從而將整體內(nèi)存帶寬推升至創(chuàng)紀(jì)錄的4TB/s。
HBM4E的核心亮點(diǎn)正是更高的帶寬與更高的存儲(chǔ)密度。SK海力士已經(jīng)率先展示HBM4E樣品，并積極推進(jìn)量產(chǎn)進(jìn)程。
預(yù)計(jì)首批采用HBM4E的產(chǎn)品將是明年發(fā)布的NVIDIA Rubin Ultra GPU。作為Rubin的升級(jí)版本，Rubin Ultra將采用更高密度設(shè)計(jì)，在單一封裝中集成多個(gè)GPU與HBM4E堆棧，從而實(shí)現(xiàn)AI性能的大幅躍升。
除了HBM，SK海力士還在開發(fā)新一代堆疊式NAND解決方案AI-N B。
該技術(shù)采用類似HBM的設(shè)計(jì)思路，通過TSV（硅通孔，Through-Silicon Via）技術(shù)將多層NAND Die垂直堆疊在一起。
其目標(biāo)是在保持SSD級(jí)超大容量的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)接近HBM的超高吞吐性能。
這一技術(shù)路線與HBF、Z-Angle等新型存儲(chǔ)架構(gòu)類似，有望緩解當(dāng)前AI時(shí)代日益嚴(yán)重的存儲(chǔ)供需失衡問題。
除了面向AI服務(wù)器市場的HBM產(chǎn)品之外，SK海力士還展示了多款客戶端存儲(chǔ)新品。
其中包括基于1cnm工藝打造的96GB LPCAMM2模組，這是SK海力士首款96GB LPCAMM2產(chǎn)品。
該模組采用LPDDR5X標(biāo)準(zhǔn)，數(shù)據(jù)傳輸速度最高可達(dá)9.6Gbps，預(yù)計(jì)將在今年晚些時(shí)候應(yīng)用于新一代“AI PC”平臺(tái)。
與此同時(shí)，SK海力士還展示了基于第九代（V9）NAND技術(shù)的產(chǎn)品組合，包括：
·V9 QLC NAND
·V9 TLC NAND
相關(guān)產(chǎn)品最高可提供2TB存儲(chǔ)容量，并采用緊湊型cSSD規(guī)格。
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