2026年6月消息：知名調研機構Counterpoint Research發布的報告顯示，2026年第一季度全球NAND閃存存儲市場營收達到460億美元（約合人民幣3117億元），創下歷史季度新高。環比接近翻倍，同比增長至去年同期的3.5倍，超過了2023年全年水平。

簡單介紹一下，根據斷電后所儲存的數據是否會丟失，存儲芯片可分為兩大類：一是易失性存儲芯片（Random Access Memory），主要有SRAM（靜態隨機存取存儲器）和DRAM（動態隨機存儲器）；二是非易失性存儲芯片（Non-Volatile Memory），主要有ROM（只讀存儲器）、Flash（NAND閃存、NOR閃存）和EEPROM。

NAND閃存（NAND Flash）是市場規模僅次于DRAM的第二大類存儲芯片，依據單單元存儲比特數分為SLC、MLC、TLC、QLC、PLC五類，PLC尚處在研發小批量試產階段，現階段量產主流是TLC（三層單元）與QLC（四層單元），SLC則專供工業存儲。

終端產品常見于U盤、固態硬盤（SSD）、手機機身內置閃存存儲等。在這輪人工智能浪潮中，面向數據中心服務器的企業級固態硬盤（eSSD）需求激增，一季度占據NAND市場總量的43%，預計到今年年底將超過60%。

三星電子（Samsung）以29%的市場份額穩居全球第一。2013年推出第一款量產的3D NAND閃存，稱為V-NAND，并因此領先于競爭對手。最新量產的第9代V-NAND閃存，層數達到290層，相比第8代V-NAND閃存的236層有了進一步的提高。

在ISSCC 2025上，三星展示了第10代V-NAND閃存，總層數超過400層，首次將COP（Cell-on-Periphery）結構和混合鍵合技術結合。據悉，明年帶來的第11代V-NAND技術，數據傳輸速度將提高50%。

值得一提的是，到2030年三星會將V-NAND閃存的層數提高至1000層。為了實現這一目標，選擇轉向先進封裝解決方案，利用CMB（Cell Multi-Bonding）技術，這是一種通過混合鍵合實現的晶圓堆疊變體，將兩個450層V-NAND模塊堆疊成一個NAND閃存，從而將層數提升至900層，原型設計的樣品已經得到驗證。

SK海力士（SK hynix）位居次席，市占率為18%。這家韓國企業保持著量產NAND閃存的最高層數記錄，2024年11月宣布量產321層1Tb TLC 4D NAND閃存，去年8月推出321層2Tb QLC NAND閃存產品。

今年4月8日，SK海力士正式宣布啟動供應業內首款具備321層QLC NAND閃存的cSSD（客戶端固態硬盤?）產品PQC21，采用M.2 2230外形規格，提供1TB與2TB兩種容量選擇，緊湊尺寸適配輕薄筆記本、迷你主機等設備。首個大客戶為戴爾，后續計劃將客戶群體拓展至更多全球企業客戶，可滿足AI PC環境中對高效存儲日益增長的需求。

排名3-6位的分別為鎧俠（Kioxia）、美光（Micron）、閃迪（SanDisk）、長江存儲（YMTC），四家廠商在一個百分點的區間內激烈纏斗。其中，在中國本土算力采購需求旺盛、行業供應緊缺推動價格上漲的雙重作用下，長江存儲一季度營收同比增長近445%，市場份額從去年同期的8%攀升至13%，成為表現最亮眼的廠商。

公開資料顯示：這是國內少數具備3D NAND閃存自主研發、晶圓制造、工藝迭代與規模化量產能力的存儲原廠，成立于2016年7月，總部位于武漢東湖新技術開發區。估值達到1600億元，排在《2025胡潤全球獨角獸榜》中國十大獨角獸第9位。

旗下產品包括3D NAND閃存晶圓及顆粒、嵌入式存儲芯片以及消費級、企業級固態硬盤等產品和解決方案，廣泛應用于移動通信、消費數碼、計算機、服務器及數據中心等領域。

2017年，中國首款3D NAND閃存設計完成并實現首次流片。次年，長江存儲發布了自主研發的晶棧（Xtacking）技術，通過分別制造存儲陣列與外圍電路晶圓再鍵合互連，實現閃存層數、性能與成本的優化，區別三星V-NAND、海力士4D NAND 一體化晶圓工藝，具有高密度、高I/O傳輸速率、高能效等優勢。

通過該技術，長江存儲直接跳過96層，進行了128層3D NAND閃存的研發，并在2020年4月宣布研發成功，只用三年就實現從32層到128層的跨越。2022年，公司正式推出基于Xtacking 3.0架構的232層閃存，首次在堆疊層數上比肩國際對手。去年，采用Xtacking 4.0架構的第五代3D NAND產品X4-9070（TLC）和X4-6080（QLC）正式發布，分別擁有1Tb和2Tb存儲容量。

有業內人士分析指出：長江存儲目前月產能約13萬片，如果能順利上市，借助資本力量將進一步擴大產能和業務規模，有望超越鎧俠和美光，成為全球第三大NAND存儲廠商。