6月25日,受美光科技財(cái)報(bào)大超預(yù)期影響,存儲(chǔ)芯片概念股強(qiáng)勢(shì)領(lǐng)漲,帶動(dòng)相關(guān)指數(shù)走強(qiáng),同花順iFinD數(shù)據(jù)顯示,國(guó)證信息技術(shù)創(chuàng)新主題指數(shù)上漲6%,信創(chuàng)ETF易方達(dá)(159540)獲資金凈流入約2300萬(wàn)元。
業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為,本次財(cái)報(bào)有三點(diǎn)邊際變化尤為重要:一是DRAM與NAND的ASP環(huán)比均大幅提升,本輪并非單一HBM緊缺,而是傳統(tǒng)DRAM、NAND與高價(jià)值存儲(chǔ)共同進(jìn)入供需偏緊;二是美光已簽署16份戰(zhàn)略客戶(hù)協(xié)議,覆蓋約20%DRAM和三分之一NAND出貨量,采用take-or-pay等強(qiáng)約束結(jié)構(gòu),長(zhǎng)協(xié)正改變存儲(chǔ)周期屬性;三是公司判斷DRAM和NAND緊張格局將延續(xù)至2027年之后,資本開(kāi)支上修至約270億美元,供給釋放仍偏慢,存儲(chǔ)大周期持續(xù)性進(jìn)一步確認(rèn)。
根據(jù)Wind存儲(chǔ)器指數(shù)口徑計(jì)算,國(guó)證信息技術(shù)創(chuàng)新主題指數(shù)中存儲(chǔ)芯片/模組“含量”達(dá)35%,居全市場(chǎng)第一,AI芯片、服務(wù)器、半導(dǎo)體設(shè)備等其余國(guó)產(chǎn)算力權(quán)重約50%。信創(chuàng)ETF易方達(dá)(159540,聯(lián)接基金A/C:020403/020404)緊密跟蹤該指數(shù),最新規(guī)模居同標(biāo)的產(chǎn)品第一,助力投資者捕捉存儲(chǔ)超級(jí)周期投資機(jī)遇。
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