目前Intel與AMD平臺均已適配兼容PCIe5.0固態硬盤，PCIe5.0理論測試帶寬相較于PCIe4.0直接翻倍，對生產力與游戲的提升可謂是立竿見影的，市面上的PCIe5.0固態硬盤主要分為DRAM-Based（配備獨立DRAM緩存芯片）和DRAM-Less（無獨立DRAM緩存芯片）兩種方案，在讀寫性能表現與價格方面均有所差異，前者通常以高端旗艦的形象出現，不過在價格上往往不占優勢，若你是追求極致的讀寫性能，那么配備獨立DRAM緩存芯片的固態硬盤必然是優先選擇，宏碁掠奪者GM9000 PCIe5.0固態硬盤就是其中之一，標稱順序讀取寫入速度均可達14000MB/s與13000MB/s，接下來對其深度測試性能表現。

外包裝盒子以黑色為主色調，在正面中部印有固態硬盤的設計圖案，下方印了型號與容量版本，背面則是參數規格，目前提供1TB/2TB/4TB/8TB四種不同容量規格可選，本次選擇的是2TB容量版本，包裝盒子內含有宏碁掠奪者GM9000固態硬盤，并附帶一顆安裝螺絲與說明書。

宏碁掠奪者GM9000 2TB固態硬盤采用M.2 2280尺寸規格，以及單面顆粒布局設計（8TB容量版本為雙面顆粒布局），主控芯片與閃存顆粒等元器件均布置于PCB板的正面，出廠自帶一塊復合材質散熱貼，在散熱貼上僅印有宏碁掠奪者的徽標，其大小可完全覆蓋固態硬盤表面，讓主控與顆粒都得到散熱效果。

位于固態硬盤背面僅設有一張標簽紙，上面印有品牌型號與認證標識，還有產品SN序列號條形碼，廠商為宏碁掠奪者GM9000 2TB固態硬盤提供五年或1600TBW質保售后服務，哪怕每天寫入800GB數據持續五年仍未超出標稱TBW值，4TB容量版本的總寫入數據量甚至達到3200TBW，高于市面上大部分PCIe5.0固態硬盤。

宏碁掠奪者GM9000固態硬盤支持PCIe5.0傳輸規格，不同容量版本在讀寫性能方面會有些許區別，2TB/4TB容量版本的標稱順序讀取寫入速度均可達14000MB/s與13000MB/s，4K隨機讀取寫入分別為2000K IOPS與1600K IOPS，1TB容量版本的標稱順序寫入為10500MB/s。

固態硬盤所標配的散熱貼采用石墨烯材料結合銅箔的設計，并覆蓋核心發熱區域以實現快速散熱效果，當拆卸下復合材質散熱貼后可見內部布局，宏碁掠奪者GM9000固態硬盤采用DRAM-Based（帶獨立DRAM緩存）結構設計，從左往右分別為主控芯片，DRAM緩存芯片與兩顆TLC閃存顆粒，還有若干貼片電容電阻等元器件。

宏碁掠奪者GM9000固態硬盤搭載來自慧榮SMI的SM2508主控芯片，其基于臺積電6nm制程工藝打造，采用8通道32CE設計，集成四顆ARM Cortex-R8核心，支持PCIe 5.0×4傳輸接口與NVMe2.0標準協議，支持3600MT/s閃存接口速率，理論持續讀寫速度分別可達14.5GB/s與14GB/s，主控右側為獨立DRAM緩存芯片，其絲印編號為BWCC2X32N2A，容量為2GB的LPDDR4內存顆粒。

DRAM緩存芯片與TLC閃存顆粒均由佰維封裝，佰維是國內極少數具備先進封裝技術的國產存儲廠商，對品質和穩定性更有保障，TLC閃存顆粒的絲印編號為BWT2BN888-001T，經過查詢是美光B58R 232層堆疊TLC閃存顆粒，單顆閃存顆粒容量為1TB，兩顆組成2TB的總容量。

接下來對宏碁掠奪者GM9000 PCIe5.0 2TB固態硬盤進行性能測試，在硬件配置方面，處理器為Intel Ultra7 265K，技嘉Z890M DDR5冰雕主板，影馳RTX4070Ti Super 16GB金屬大師顯卡，8000MT/s CL38 48GB DDR5內存條，主系統盤為宏碁掠奪者GM9 PCIe5.0 2TB固態硬盤，操作系統為Windows 11 24H2版本。

主板共配備三個M.2固態硬盤插槽，首個M.2插槽是支持PCIe5.0×4傳輸規格，由于該M.2接口是從處理器的IOE模塊引出，再經過SoC模塊到計算模塊，不同模塊之間使用D2D通訊，因此會出現在PCIe5.0固態硬盤傳輸速度低于預期，由于英特爾酷睿Ultra 200S處理器的特殊性，本次會搭配PCIe5.0轉接卡去安裝并測試，該轉接卡自帶厚實的鋁合金材質散熱模塊，并將其插在主板的PCIe顯卡插槽上。

接下來的性能測試默認在英特爾酷睿Ultra7 265K硬件平臺上進行，除非另有說明，先利用CrystalDiskInfo軟件查看宏碁掠奪者GM9000固態硬盤狀態信息，顯示固態硬盤支持NVMe 2.0協議標準，當前運行在PCIe5.0×4傳輸模式中，待機溫度為37℃，固態硬盤的總容量為2048.4GB（10進制），用戶實際可用存儲空間為1.86TB（8進制）。

基準性能測試，先在AMD銳龍9 9950X3D處理器+B850M主板上進行性能測試，實測宏碁掠奪者GM9000固態硬盤的順序讀取速度為14272MB/s，順序寫入速度為13525MB/s，4K單線程讀寫速度分別為91.8MB/s與302.67MB/s，4K隨機讀寫IOPS分別為2073K與2209K。

回到英特爾酷睿Ultra7 265K+Z890M主板平臺，實測宏碁掠奪者GM9000固態硬盤的順序讀取寫入速度分別為14163MB/s與13409MB/s，4K單線程的讀寫速度分別為100.3MB/s與366.44MB/s，4K隨機讀寫IOPS分別為2064K與1907K，在AMD/Intel兩個硬件平臺上均能達到標稱的順序讀寫速度, 4K隨機讀寫均高于標稱值2000K與1600K。

利用PCIe全尺寸插槽去測試性能只是臨時做法，該插槽終究是用于連接高性能顯卡，那么將宏碁掠奪者GM9000固態硬盤安裝在主板的首個M.2插槽上，實測順序讀取寫入速度分別為12434MB/s與13306MB/s，4K單線程讀寫速度分別為99.54MB/s與359.63MB/s，從兩次速度測試對比可知，主要影響在于順序讀取速度，被限制在12400MB/s左右，順序寫入速度與4K單線程多線程讀寫速度基本沒區別。

AS SSD Benchmark基準性能測試軟件，實測宏碁掠奪者GM9000固態硬盤的順序讀取寫入速度分別達到9994.44MB/s與10281.71MB/s，而4K單線程讀寫速度分別為96.96MB/s與299.93MB/s，讀寫延遲均為0.014ms，總成績為14320分。

ATTO Disk Benchmark基準測試軟件，在隊列深度設定值為4時，實測宏碁掠奪者GM9000固態硬盤讀取寫入速度分別可達13.28GB/s與12.5GB/s，4K大小數據包時讀取寫入速度分別為656.6MB/s與773.86MB/s當文件大小為128KB或以上達到滿速寫入，讀取速度需要在文件大小為2MB之后達到峰值。

TxBENCH基準性能測試軟件，先運行基準測試項目，全盤寫入的進階測試稍后再測試，實測宏碁掠奪者GM9000固態硬盤的順序讀寫速度分別為13290MB/s和14048MB/s，4K單線程隨機讀寫速度分別為100.235MB/s與365.397MB/s。

HD Ture Pro基準性能測試軟件中的文件基準測試項目，本次將文件長度設為150GB，Mixed混合數據模式，相當于往固態硬盤分別讀寫一個大小為150GB數據文件，實測讀取速度為10915MB/s，寫入速度為9937MB/s，整個讀寫曲線非常平穩。

全盤連續寫入測試，從寫入曲線可見，宏碁掠奪者GM9000 2TB固態硬盤呈現出三段式寫入速度，在空盤狀態下SLC緩存空間約為380GB，此時的寫入速度為13500MB/s，當SLC緩存空間耗盡后，寫入速度會下降至3700MB/s，最后為GC回收階段直至測試結束，此時寫入速度為1800MB/s，全盤寫入耗時不到十一分鐘。

在PCMark10基準性能測試軟件中的完整系統盤基準測試，完整測試所有應用程序啟動與數據加載等項目，可以反映固態硬盤作為主系統盤的表現，宏碁掠奪者GM9000固態硬盤在該項目中獲得成績為5941分，帶寬為888.57MB/s，平均存取時間為29μs。

3DMark基準性能測試軟件中的存儲基準測試項目，宏碁掠奪者GM9000固態硬盤的綜合得分為5734，平均帶寬為985.53MB/s，平均存取時間為31μs，子項加載《戰地風云5》游戲時帶寬為1718MB/s，移動游戲帶寬為6267MB/s，前不久測試過一款PCIe4.0規格的固態硬盤，它在該測試項目成績也就4000分。

固態硬盤在讀寫方面的優勢可體現在實際游戲場景，《魔咒之地Forspoken》游戲內置基準測試功能，可測試每個場景載入時間，將游戲同時安裝于宏碁掠奪者GM9000固態硬盤與PCIe4.0固態硬盤中，游戲畫面設為4K分辨率與最高等級畫質，選四個不同游戲場景進行統計，游戲數據存放于宏碁掠奪者GM9000固態硬盤中的載入時間平均能減少25%，比如第一個場景載入時間能縮短超過32%。

經過多個大型游戲實際測試體驗，比如《怪物獵人：荒野》與《光與影：33號遠征隊》，《黑神話》的復戰和連戰模式，每次狩獵或戰斗都需載入場景數據，均能明顯感受到宏碁掠奪者GM9000固態硬盤的加載速度比PCIe4.0固態硬盤更快，《極限競速：地平線5》與《艾爾登法環》這類開放世界游戲也顯著縮短首次加載時間，地圖場景越龐大的游戲提升約明顯，無論挑戰BOSS成功與否，都能在更短時間內回到戰場再戰，減少不必要的等待時間。

接下來將宏碁掠奪者GM9000固態硬盤的存儲空間填充到90%，繼續測試其在90%空間占用率下的讀寫性能表現，實測此時讀寫速度分別為14191MB/s與13427MB/s，4K單線程讀寫速度分別為98.74MB/s與341.8MB/s，與空盤狀態相比并沒有出現讀寫性能下降。

HD Ture Pro軟件的文件基準測試，本次將文件長度設為100GB，Mixed混合數據模式，這相當于一次性往固態硬盤中分別讀寫剩余存儲空間一半的文件數據，實測讀取寫入速度分別為9784MB/s與10363MB/s，無論是順序讀寫還是隨機讀寫的測試結果，均與空盤狀態基本一致。

最后是運行溫度測試，宏碁掠奪者GM9000固態硬盤提供了三個溫度傳感器數據，第二個應該是主控芯片，其它兩個應該是閃存顆粒，測試期間環境溫度為28℃，并搭配鋁合金散熱模塊輔助散熱，通過軟件記錄全盤寫入期間的溫度，顯示峰值溫度為80℃，假如將金屬散熱模塊給拆了下來僅使用自帶的散熱片，在游戲場景下測出來的最高溫度為70℃。

結語：

宏碁掠奪者GM9000 PCIe5.0 2TB固態硬盤采用DRAM-Based帶獨立緩存芯片方案，所帶來的效益是相當之明顯，在各項性能測試中表現非常優秀，實測在Intel與AMD兩個硬件平臺上均能達到14000MB/s與13000MB/s標稱讀取寫入速度值，已觸及PCIe5.0×4理論傳輸帶寬上限，4K隨機讀寫性能更是高于標稱值，其讀寫能力基本不受存儲空間占用率影響，即便在90%高占有率狀態下仍能保持空盤時的性能表現，從全盤寫入測試結果來看，無論處于哪個寫入階段都十分平穩，隨機讀寫性能與持續寫入性能尤為突出，均優于采用DRAM-Less方案的固態硬盤。

固態硬盤讀寫性能在日常辦公場景下不一定能感覺到明顯差別，但在面對存儲性能有著苛刻要求的任務時優勢盡顯，完全滿足游戲玩家和內容創作者的需求，避免了頻繁等待數據交互帶來的莫名煩躁感與割裂感，在工作和游戲時更舒心高效，固態硬盤在能效方面的表現也很不錯，僅依靠自帶石墨烯銅箔散熱貼，可從容應對游戲娛樂和視頻后期等中等負載場景，若是用于AI模型訓練或渲染等持續高頻率數據讀寫的高負載場景，仍需依靠金屬散熱模塊輔助散熱，假如固態硬盤經常用于大量數據讀寫操作的場景，那么1600TBW寫入耐久度也都是加分項之一。