今日大盤回顧
指數高開震蕩收漲,滬深創分別上漲1.18%、1.51%和1.98%,科創50收漲1.50%。盤面上,個股漲多跌少,漲跌比為3361:1862,科技方向保持活躍。板塊方面,存儲芯片、同花順果指數、半導體設備、AIPC、小金屬、國家大基金持股、AI手機、共封裝光學(CPO)、印制電路板等漲幅居前。體育、醫療美容、耐火材料、風電零部件、風電設備、游戲等跌幅居前,滬深兩市成交額2.34萬億,較上一個交易日放量3659億。
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從行業板塊資金凈流入來看,消費電子、元件、通信設備凈流入排名前三,電力、工業金屬、鋼鐵等緊隨其后。
從行業板塊資金凈流出來看,電池、銀行、風電設備凈流出排名前三,汽車零部件、房地產、軟件開發等緊隨其后。
賺錢效應分析
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從個股漲跌來看,個股漲跌比為3361:1862,其中63只標的漲停(含ST),15只標的跌停(含ST),上漲占比64%,相比上個交易日的57%,提升7個百分點。滬指震蕩走強,盤中逼近4000點,個股漲多跌少,市場情緒延續修復。
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從行業板塊強度看,上漲板塊78個,下跌板塊12個,上漲占比86%,其中漲幅超2%的5個,跌幅超2%的0個。總體看,今天板塊普漲,其中電子化學品板塊漲幅居前,其上漲原因是:利好刺激。消息面上,近日,北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授團隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術,首次在原位狀態下解析了光刻膠分子在液相環境中的微觀三維結構、界面分布與纏結行為,指導開發出可顯著減少光刻缺陷的產業化方案。(注:同花順行業指數90個)
強勢熱點分析
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存儲芯片
驅動因素簡述
消息面上,三星電子、SK海力士等主要內存供應商將在今年第四季度向客戶調整報價,DRAM和NAND閃存價格上調幅度將高達30%,以滿足AI驅動的存儲芯片需求激增,并提升第6代HBM的盈利能力。此外,美股Sandisk再度大漲超10%。
技術面簡述
從“存儲芯片”板塊指數來看,股價近期回踩20日均線支撐后再度放量大漲突破前高,目前量價齊揚、上行趨勢保持良好,建議逢低可繼續關注。
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后市展望
四川大決策投顧認為,得益于周末中美經貿磋商傳來積極消息,今日股指集體高開后表現不一,滬指震蕩走高漲逾1%并逼近4000點,再度刷新10年新高,而深成指和雙創指數高開后保持寬幅震蕩,量能再度放大逾3000億元至2.34萬億,但由于領漲的主要還是科技藍籌的趨勢抱團,題材方向被壓制,多數個股和板塊日內波動都不大,整體市場賺錢效應體感不強。我們認為,目前擾動行情不利因素基本已經消除,市場保持震蕩走高的概率較大,但結構性行情明顯,市場缺乏明顯的題材主線,趨勢風格仍是主流,在此背景下,操作仍然需要注意節奏和倉位控制,趨勢風格以低吸為主,謹慎追漲,直至新的題材主線誕生。
技術面:
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上證指數今日震蕩走高,盤中逼近3400點,量能明顯放大,短期表現強勢。
創業板指今日報收放量十字星,短期面臨前高3322.44附近壓力,關注能否放量突破。
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