據TrendForce報告，AI基建吞噬世界產能，國內半導體產業開啟“超級”追趕窗口期，2026成為國產芯片關鍵年。

??懂財帝出品 · 作者｜嘉逸

2026年開年，存儲芯片緊缺，價格狂飆！

三星和SK海力士幾乎同時宣布漲價計劃，連最大客戶蘋果都未獲“豁免”。

據韓國媒體zdnet報道，三星電子在與蘋果的談判中提出2026年一季度LPDDR芯片價格上漲超過80%，而SK海力士的漲幅約為100%，大幅超出市場預期。

這場價格風暴的根源，是極度緊張的供需剪刀差。

據TrendForce報告，2026年全球服務器出貨量年增長率有望達到12.8%，AI服務器出貨量同比有望增長28%以上，較2025年進一步放大。

市場需求旺盛，但海外巨頭的產能卻沒跟上。

不僅是存儲芯片，GPU巨頭英特爾和AMD也因各大云服務商“掃貨”，在年初被曝出2026年全年CPU產能售罄，正規劃漲價。

對于中國芯片產業而言，這是一次“歷史級”的追趕窗口期。

中信證券認為：算力即國力！2026年或將成為國產算力產業鏈從單點突破邁向體系化重構的決勝拐點。

01 ｜ 量價騰飛，存儲迎來超級周期

存儲行業正經歷前所未有的“超級周期”。

與以往由智能手機或PC驅動的周期不同，驅動這輪周期的核心引擎是AI Agent。

隨著AI應用從云端向端側滲透，AI Agent正成為千行百業的標配。這要求服務器不僅要算得快，更要存得多、傳得穩。

在剛剛結束的達沃斯論壇上，黃仁勛將AI稱為“人類歷史上規模最大的基礎設施建設”。

根據TrendForce的最新報告，北美云服務供應商（CSP）持續加強對AI基礎設施的投資力度，預估將帶動2026年全球AI服務器出貨量增長28.3%，增幅較2025年進一步擴大。

在數據生成量上，IDC預測，從2025年至2029年，全球數據生成量將迎來顯著增長。

其中，2025年全球數據生成量預計為213.56ZB，到2029年將翻倍增長至527.47ZB。中國2025年數據生成量約為51.78ZB，到2029年或將增至136.12ZB，復合年增長率高達26.9%。

但供應端卻顯得力不從心。

過去一年中，NAND領域的主要制造商在投資上保持了審慎態度，并未出現大規模的產能擴充。

更重要的是，為了滿足AI服務器對高帶寬內存（HBM）的渴求，三星、SK海力士等巨頭將大量先進制程產能轉移至HBM生產線。

由于HBM的生產工藝復雜，其晶圓消耗量是傳統DRAM的3倍以上，這直接導致了傳統服務器DRAM和通用芯片的產能被嚴重擠壓。

目前，業界的共識是出貨量的增長極為有限。一位半導體業內人士曾表示，面對漲價，“客戶也清楚，三星和SK在短期內很難迅速提升產能。”

在CPU領域，英特爾和AMD也被曝出產能不足，預計2026年第一季度服務器CPU均價將調漲10%至15%。

Counterpoint Research的報告指出，當前存儲市場的行情已經超過了2018年的歷史高點，供應商的議價能力達到歷史最高水平。預計2026年第一季度市場價格將上漲40%至50%，第二季度還將繼續上漲約20%。

這種“一芯難求”的局面，為國產芯片提供了一個絕佳的切入點。

在全球存儲芯片價格飆升、海外生產力不足的大環境下，國內芯片行業迎來了一個“歷史性”的追趕窗口期。

02 ｜ 供需錯配，國產芯片迎來歷史機遇

面對全球性的供需錯配，國產芯片技術正在以驚人的速度追趕。

以最具代表性的HBM芯片為例。SK海力士供應的第三代高帶寬內存（HBM3E）芯片曾長期占據市場統治地位。

但到了2025年中期，國內存儲制造商在開發階段已取得重大進展。

目前，國產HBM2e芯片已實現量產。HBM3e芯片目前提供的12Gb 和 16Gb 兩種單顆粒容量，最高速率達到 10667Mbps，已達到國際主流水平，打破了海外巨頭的技術封鎖。

政策的東風也在持續吹拂。

2025年《政府工作報告》明確將自主可控納入“高水平科技自立自強”戰略框架，重點強調了芯片等核心技術的突破。

國家大基金三期已注資2500億元，重點支持存儲全產業鏈，目標是在2027年實現存儲芯片自給率達到40%以上。各地政府也紛紛出臺政策，優先采購和補貼國產GPU及存儲芯片。

更重要的是，全球供應緊張帶來的高價格環境，為中國企業提供了充足的利潤空間支撐技術研發。

在韓國近期舉辦的下一代半導體技術趨勢研討會上，成均館大學教授Seok-jun Kwon指出：三星、SK海力士和美光無法滿足全球需求，這為中國存儲制造商創造了進入市場的機會。即使只占據5%—10%的市場份額，也足以為中國芯片企業未來的增長積累動能。

中信證券認為，海外加大封鎖力度+本土自主需求迫切，國產算力的突圍迫在眉睫。國產算力有望迎來單卡性能大幅躍升、軟件生態加速成熟、聯接能力（超節點/萬卡集群）全面突圍的關鍵躍遷期。

對于投資者而言，如何把握這一輪“歷史級”的機遇？

篩選單一個股往往面臨極高的技術門檻和波動風險，對普通投資者而言，可以考慮關注相關指數。

例如，科創芯片設計ETF易方達（589030）、科創芯片設計ETF廣發（589210）等產品跟蹤的上證科創板芯片設計主題指數，一鍵打包了國內芯片設計領域的“核心資產”，數字芯片設計行業占比超75%，模擬芯片設計行業占比約20%，這些企業正是國產化浪潮中的“急先鋒”。

來源：“指數直通車”小程序，前十大權重僅供分析參考，不構成個股推薦

從歷史表現看，該指數展現出極強的進攻性。在過去五年的AI景氣周期中，其累計收益顯著超越了上證50、滬深300及科創50等寬基指數，超額收益亮眼。

來源：“指數直通車”小程序，指數過往表現不代表未來

同時，在國產化趨勢中同樣受益的上游環節——半導體設備也具備較強的配置價值。

作為芯片制造的“賣鏟人”，國產設備廠商正受益于國內晶圓廠和存儲廠的擴產周期。半導體設備ETF易方達（159558）、半導體設備ETF萬家（159327）等產品跟蹤的中證半導體材料設備主題指數中，半導體設備行業占比約63%，在國產化趨勢中具有較強彈性。

站在智能時代的門檻上，國產芯片的崛起已成燎原之勢。

量價齊升的超級周期，疊加自主可控的時代使命，國產芯片的星辰大海才剛剛開始。

說明：數據源于公開披露，不構成任何投資建議，市場有風險，投資需謹慎。