3月25日,中國臺灣DRAM大廠南亞科技正式宣布完成787.18億新臺幣(約合170億元人民幣)的定向增發(fā)。
令市場側(cè)目的不僅是其170億元人民幣的募資規(guī)模,更是那份囊括三大存儲巨頭的認購名單——鎧俠、閃迪、SK海力士旗下Solidigm,以及網(wǎng)絡設備巨頭思科,四家半導體巨頭齊聚一堂,合計認購3.51億股,持股比例約10%。
更值得玩味的是定價細節(jié)。此次私募定價為每股223.9新臺幣,僅較當日收盤價折價1.15%,遠低于市場常規(guī)的“打八折”水平。這種近乎平價的認購,清晰地傳遞出一個信號:投資方對南亞科技的長期價值及其在AI時代供應鏈中的戰(zhàn)略地位,抱有極高的信心。
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相比把這場募資看作是一場投資,業(yè)界更普遍的看法是,這是一場針對未來數(shù)年產(chǎn)能的“捆綁”與“卡位”。隨著AI浪潮席卷全球,全球頭部存儲廠商正將產(chǎn)能重心瘋狂轉(zhuǎn)向高利潤的HBM和企業(yè)級SSD,導致通用型DRAM和利基型存儲市場出現(xiàn)了巨大的供應缺口。
南亞科技作為作為DRAM研發(fā)制造企業(yè)代表,主營動態(tài)隨機存取內(nèi)存的設計、生產(chǎn)與銷售,運營八吋及十二吋晶圓廠各一座,產(chǎn)品涵蓋標準型、利基型內(nèi)存及DDR4、DDR5等系列。其角色被重新定義——承接巨頭們“無暇顧及”卻又不可或缺的外溢需求。通過股權(quán)投資,鎧俠、SK海力士們不僅鎖定了未來數(shù)年穩(wěn)定的DRAM顆粒供應,更在深層次上與南亞科的擴產(chǎn)方向、產(chǎn)品規(guī)格乃至供貨優(yōu)先權(quán)進行了深度綁定。
南亞科技之外,存儲巨頭們的擴產(chǎn)計劃在當前存儲行情火爆的背景下也備受關注。巨頭們面對“擴產(chǎn)”究竟是怎樣的態(tài)度?
全球存儲擴產(chǎn)圖譜:三大陣營的“理性”與“激進”
32G內(nèi)存條從800元飆升至3800元,DDR5服務器合約價一個季度內(nèi)漲近一倍,美光科技單季營收同比暴增近2倍,SK海力士的營業(yè)利潤率逼近60%,存儲行情自2025年下半年以來一片欣欣向榮。
然而,行情火熱的背后,行業(yè)巨頭們的舉動卻呈現(xiàn)出一種耐人尋味的“分裂”:一方面,三星、SK海力士、美光紛紛加碼投資、擴充產(chǎn)能,甚至出現(xiàn)了南亞科技獲四大巨頭齊聚認購的罕見場景;另一方面,擴產(chǎn)的“油門”似乎又被有意無意地輕踩,資本支出增速遠低于歷史水平,新增產(chǎn)能的釋放節(jié)點被默契地指向了遙遠的2028年。
如果說南亞科技的擴產(chǎn)是“被動”承接溢出需求,那么全球存儲三巨頭的擴產(chǎn)策略,則充滿了“主動”選擇的理性與博弈。
在這些存儲擴產(chǎn)的背后,藏著怎樣的存儲行情走向呢?本文將梳理。
1、韓國雙雄:擴產(chǎn)“踩剎車”,聚焦先進制程
三星電子和SK海力士,這輪AI行情的最大贏家,兩大韓國存儲巨頭卻在業(yè)績最輝煌的時刻,向外界釋放了明確的擴產(chǎn)克制信號。
根據(jù)市場分析機構(gòu)TrendForce的預計,2026年DRAM行業(yè)資本支出增速僅為14%,遠低于歷史擴張周期30%—50%的水平。三星2026年DRAM產(chǎn)能預計僅增長約5%,這與市場需求形成了巨大反差。究其原因,核心在于HBM對產(chǎn)能的結(jié)構(gòu)性擠占,以及可能隱藏存儲巨頭們對歷史教訓的深刻警惕。
HBM的制造需要先進的硅通孔(TSV)堆疊技術,其良率爬坡緩慢,每生產(chǎn)一顆HBM芯片,實際消耗的產(chǎn)能相當于3-4顆標準PC內(nèi)存芯片。目前,三大廠商已將18%—28%的DRAM產(chǎn)能分配給HBM,直接壓縮了通用內(nèi)存的供給。SK海力士2026年HBM產(chǎn)能在2025年年底已全部預售給英偉達、AMD等核心客戶,這解釋了為何通用DRAM市場供需失衡如此嚴重。
然而,在克制中亦有“激進”。SK海力士于2026年3月宣布,斥資約80億美元采購ASML的EUV光刻設備,用于加快向第六代(1c)工藝的過渡,并將交付周期拉長至2027年12月。同時,SK海力士正計劃2026年內(nèi)在美國上市,擬通過IPO融資超100億美元,以加速HBM產(chǎn)能擴張。三星則加速推進西安工廠的工藝迭代,將主力制程從128層升級至236層,并啟動280層NAND的產(chǎn)線轉(zhuǎn)換。
這種看似矛盾的策略,揭示了一個核心邏輯:巨頭們擴產(chǎn),但擴的是“高精尖”,而非“大路貨”。他們希望通過先進制程和HBM建立更高的技術壁壘,而非簡單地堆砌通用產(chǎn)能。
2、美光科技:相對激進,全球布子
相較于韓國廠商的謹慎,美光科技的擴產(chǎn)步伐顯得更為積極。
2026年3月,美光交出了一份驚艷的財報:2026財年第二財季營收238.6億美元,同比增長196%,毛利率飆升至74.4%。在業(yè)績支撐下,美光宣布2026年資本開支將超過250億美元,同比增長超20%,重點投向1-gamma制程節(jié)點和TSV設備擴張。
在產(chǎn)能布局上,美光動作頻頻。3月16日,美光宣布完成對力積電位于中國臺灣苗栗縣銅鑼P5廠區(qū)的收購,交易金額18億美元。該廠預計2027年下半年即可貢獻產(chǎn)能,屆時將占美光2026年第四季全球產(chǎn)能的10%以上。此外,美光在美國愛達荷州和紐約州的新晶圓廠,以及新加坡工廠的擴建,也都在緊鑼密鼓地推進中,初步產(chǎn)能釋放指引同樣指向2027年中至2028年。
3、 國內(nèi)廠商:異軍突起,肩負重任
在國際巨頭謹慎擴產(chǎn)之際,中國本土存儲廠商的崛起,成為影響未來格局的最大變量。國內(nèi)知名NAND和DRAM廠商,已經(jīng)分別傳出在上海和武漢興建工廠的消息。
此外,三星和SK海力士也加大了對中國工廠的投資。2025年,三星對西安工廠投資4654億韓元,SK海力士對無錫和大連工廠投資超1萬億韓元,合計超過1.5萬億韓元(約78億元人民幣),用于工藝升級和高端產(chǎn)品產(chǎn)能轉(zhuǎn)換。這一方面是出于貼近市場和產(chǎn)業(yè)鏈的考量,另一方面也顯示出大陸在全球存儲供應鏈中不可替代的地位。
產(chǎn)業(yè)影響:一場精心計算的“理性繁榮”
綜合上述擴產(chǎn)信息,我們可以清晰地看到,本輪存儲產(chǎn)業(yè)的擴張,并非過往那種“一哄而上、一哄而散”的野蠻生長,而是一場經(jīng)過精心計算的“理性繁榮”。這種理性,正在對半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生深遠的影響。
供需結(jié)構(gòu)的長期重塑:從“周期性”到“結(jié)構(gòu)性”
過去,存儲行業(yè)被公認為強周期性行業(yè),供需關系的劇烈波動導致價格大起大落。但本輪行情不同,驅(qū)動力量是AI這一持續(xù)多年的技術革命。
一方面,需求端從“消費電子”切換至“AI基礎設施”。美光財報顯示,服務器使用的內(nèi)存按容量已占市場的50%以上,成為第一大應用。而單臺AI服務器的內(nèi)存用量正呈指數(shù)級增長:以英偉達NVL72規(guī)格服務器為例,GB200型號內(nèi)存用量為30.2TB,而Rubin型號則增至75TB。另一方面,供給端的新增產(chǎn)能被HBM大量擠占,且先進制程的轉(zhuǎn)換需要較長的空窗期。這種供需錯配是結(jié)構(gòu)性的,而非周期性的,意味著高景氣的持續(xù)時間可能遠超以往。
產(chǎn)業(yè)格局的微妙變化:聯(lián)盟與“卡位”成為主旋律
南亞科技獲得四大巨頭入股,是產(chǎn)業(yè)格局變化的一個縮影。它表明,在AI時代,存儲產(chǎn)業(yè)鏈的縱向整合與橫向聯(lián)盟正在加速。
對于三星、SK海力士等頭部廠商而言,他們不僅要與下游的英偉達、AMD等AI芯片巨頭深度綁定,還要與上游的DRAM、NAND供應商建立更緊密的聯(lián)盟,以確保自身SSD等產(chǎn)品的供應鏈安全。通過股權(quán)投資鎖定產(chǎn)能,將成為一種常態(tài)化的戰(zhàn)略工具。這種聯(lián)盟的建立,將進一步抬高行業(yè)門檻,強化寡頭格局。
國產(chǎn)化進程的加速窗口
國際巨頭將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM和AI服務器市場,客觀上為消費級、汽車等市場留下了巨大的供應缺口。這對于正在奮力追趕的國內(nèi)存儲廠商而言,是千載難逢的機遇窗口。
然而,值得注意的是,在所有的理性與繁榮背后,整個行業(yè)都在凝視著一個共同的時間點——2028年。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,三星內(nèi)部已將2028年前后視為潛在的市場反轉(zhuǎn)節(jié)點。屆時,三星平澤園區(qū)、SK海力士龍仁園區(qū)、美光愛達荷州和新加坡新廠的產(chǎn)能將集中釋放。如果屆時AI需求增長放緩,或者技術迭代出現(xiàn)新的變量,歷史性的價格崩盤可能重演。
或許正是這種對未來的恐懼,塑造了今天存儲巨頭們“謹慎樂觀”的擴產(chǎn)態(tài)度。
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