蘇州漢驊半導體有限公司（以下簡稱“漢驊”）基于8寸硅基氮化鎵全色LED外延技術，結合自研晶圓級無損去硅工藝，成功構建國內(nèi)首個與8寸CMOS半導體工藝高度兼容的Micro-LED標準工藝量產(chǎn)平臺，并正式面向產(chǎn)業(yè)伙伴開放代工與聯(lián)合開發(fā)服務。該平臺的成功驗證，標志著“GaN外延 → 無損去硅 → 薄膜集成 → CMOS工藝 → 微顯示器件”全流程工藝鏈路系統(tǒng)性打通，為超高分辨率AR/VR近眼顯示、MLED光互聯(lián)、空間計算、數(shù)字車燈、AI電源管理等新一代人機交互場景奠定了量產(chǎn)工藝基礎。

面向未來，近眼顯示有望成為繼智能手機、電腦之后最具便攜性的終端形態(tài)，驅動萬億級市場爆發(fā)。Micro-LED作為其核心顯示技術，正加速邁向大規(guī)模商業(yè)化落地。

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一、技術亮點：如何打破關鍵壁壘？

1.

8寸全色硅基氮化鎵外延平臺

基于8寸（200 mm）硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術，漢驊完成了紅、藍、綠等多波長發(fā)光結構的工藝平臺化建設，打通全色技術路徑關鍵工藝節(jié)點。通過晶圓級應力控制與缺陷工程，實現(xiàn)了適配量產(chǎn)的外延均勻性與良率，為后續(xù)無損去硅與薄膜轉移提供了穩(wěn)定基礎。

2.

成熟的無損去硅工藝（Damage-free De-Si Platform）

漢驊建立了適用于8寸硅片的晶圓級無損去硅技術，實現(xiàn)對硅基底的可控剝離，在大面積范圍內(nèi)保持氮化鎵薄膜的完整性與光電性能。相較于傳統(tǒng)小片或局部剝離方案，該工藝支持面向陣列的薄膜級轉移，更適配與CMOS背板的晶圓級對位鍵合或封裝集成，有效解決了長期制約GaN-on-Si與先進CMOS工藝深度耦合的難題。

3.

與8寸CMOS工藝高度兼容的集成架構

該平臺在工藝窗口與材料體系上充分對標主流8寸CMOS工藝線，涵蓋溫度預算、金屬體系、平坦度及應力控制等關鍵指標，可與現(xiàn)有CMOS產(chǎn)線實現(xiàn)協(xié)同制造或后端集成。平臺支持多種集成方式，包括GaN薄膜或發(fā)光陣列晶圓級鍵合至CMOS驅動晶圓，以及兼容后端工藝的局部互連與封裝方案。通過類似PDK（Process Design Kit）的工藝規(guī)范與接口定義，漢驊為合作伙伴提供版圖設計、器件結構、工藝參數(shù)的標準化接口，顯著加速從設計到流片的全流程。

4.

微米級乃至納米級發(fā)光單元與高密度陣列

在該平臺上，漢驊已實現(xiàn)微米級甚至亞微米級發(fā)光單元陣列結構，可滿足超高PPI的Micro-LED微顯示需求。平臺在像素尺寸、像素間距、陣列拓撲等方面提供可配置能力，既可支持單色高亮度應用，也為全色或混光光學架構預留了充足空間。結合8寸晶圓制造帶來的規(guī)模與成本優(yōu)勢，為大規(guī)模近眼顯示應用提供了可擴展的器件基礎。

5.

面向近眼顯示的系統(tǒng)級適配

工藝平臺在設計之初即對標AR、VR、MR等近眼顯示場景，在亮度、均勻性、對比度、功耗等關鍵指標上預設優(yōu)化空間。后續(xù)可與光學模組廠、整機廠聯(lián)合優(yōu)化出光結構、色彩方案及系統(tǒng)級封裝，實現(xiàn)面向終端應用的系統(tǒng)級解決方案。

二、Micro-LED標準工藝平臺與開放代工模式

為推動產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新、加速應用落地，漢驊在本次技術突破基礎上，正式發(fā)布“8寸硅基氮化鎵Micro-LED標準工藝平臺”，并面向合作伙伴開放以下能力：

1.

標準工藝平臺（類似PDK體系）

提供基于8寸硅基GaN的標準工藝模塊庫，包括外延結構選型、像素單元結構、陣列版圖規(guī)則、金屬互連與鍵合窗口等。向合作伙伴開放設計規(guī)則文件（DRC/LVS規(guī)則）、版圖模板及關鍵仿真參數(shù)，支持與現(xiàn)有CMOS設計流程無縫對接。針對單色或全色、近眼或直顯、單片或混合集成等不同應用場景，提供靈活的工藝組合與路線建議。

2.

晶圓級代工與聯(lián)合開發(fā)

接受合作伙伴在本平臺上的定制流片與代工服務，涵蓋外延來料代工（foundry on GaN-on-Si）、從外延到去硅再到CMOS集成的一站式交付，以及針對特定應用的聯(lián)合開發(fā)（含器件結構、陣列設計、電路協(xié)同等）。支持從原型驗證、小批試產(chǎn)到逐步放量的分階段合作模式。

3.

產(chǎn)業(yè)合作與生態(tài)共建

漢驊將以該平臺為基礎，面向以下方向開放合作：

• 與CMOS代工廠共建適配8寸線的GaN-on-Si + 無損去硅 + 后端集成工藝，形成聯(lián)合工藝平臺；

• 與顯示面板、光學模組、整機廠商聯(lián)合開發(fā)面向AR/VR/MR、車載HUD、工業(yè)頭顯等場景的高亮度、高PPI Micro-LED微顯示解決方案；

• 與材料及設備供應商共同優(yōu)化外延材料體系、去硅設備與鍵合工藝，持續(xù)提升良率與成本競爭力。

三、后續(xù)規(guī)劃與階段性目標

在現(xiàn)有平臺驗證基礎上，漢驊將持續(xù)推進：

• 向更高PPI、更小像素尺寸方向演進，探索納米級發(fā)光單元陣列在量產(chǎn)工藝中的可行性；

• 豐富全色實現(xiàn)路徑，結合多波長外延與色轉換方案，逐步形成全色Micro-LED器件的標準工藝組合；

• 推動與更多CMOS代工廠和系統(tǒng)客戶的聯(lián)合驗證，構建可規(guī)模復制的“設計–工藝–封裝–系統(tǒng)”一體化解決方案。

近眼顯示，已從概念走向現(xiàn)實；萬億市場，始于今日工藝之變。漢驊半導體誠邀產(chǎn)業(yè)伙伴攜手，共創(chuàng)人機交互新紀元。

漢驊半導體簡介

漢驊半導體是全球異質異構3D集成技術引領者，擁有國內(nèi)唯一的“GaN Plus 3DIC”全流程工藝平臺。自2017年起，公司戰(zhàn)略性前瞻布局異質異構集成、新型顯示、商業(yè)航天三大方向，深度契合“十五五”國家戰(zhàn)略。以化合物半導體材料為核心引擎——材料是芯片性能的根基，掌握材料方能定義性能上限——通過3DIC異質異構技術，打通化合物半導體與集成電路不同材料體系間的壁壘，構建通往后摩爾時代、AI時代芯片極致集成的核心底座。作為擁有完整PDK的開放型半導體代工平臺，漢驊面向近眼顯示、人機交互、AI電源管理、商業(yè)航天、量子計算等前沿場景提供核心芯片方案，助力下一代智能系統(tǒng)加速落地。

聯(lián)系方式

sales@hanhuasemi.com

0512-65922628

來源：漢驊半導體

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