文 | 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

2026年的半導(dǎo)體圈，正在上演一場現(xiàn)實(shí)版的“搶椅子”游戲。而攪動(dòng)這場戰(zhàn)局的核心變量，正是AI引爆的存儲(chǔ)需求。

邏輯變了！存儲(chǔ)廠成EUV大買家

在這一輪游戲中，光刻機(jī)便是這把“椅子”。

近日，存儲(chǔ)芯片大廠SK海力士宣布將在2027年12月31日前向荷蘭ASML采購價(jià)值11.95萬億韓元（約79.7億美元）的極紫外光（EUV）光刻機(jī)，旨在應(yīng)對(duì)日益增長的內(nèi)存芯片需求。該交易已作為正式披露文件提交給韓國監(jiān)管機(jī)構(gòu)，并成為近年來ASML客戶公開的最大一筆EUV光刻機(jī)采購訂單。

根據(jù)預(yù)計(jì)，SK海力士采購的這些EUV光刻機(jī)將主要用于先進(jìn)DRAM芯片和HBM芯片的生產(chǎn)。主要會(huì)部署在兩個(gè)晶圓廠：一個(gè)是SK海力士位于龍仁的新晶圓廠，該晶圓廠計(jì)劃于2027年2月投產(chǎn)；另一個(gè)則是位于清州的M15X工廠，該晶圓廠專門用于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存芯片。

伯恩斯坦公司的分析師戴維·道則預(yù)計(jì)，SK海力士的這份訂單將使得其在兩年內(nèi)新增約30臺(tái)EUV光刻機(jī)。這略高于其之前預(yù)測的SK海力士兩年內(nèi)將采購26臺(tái)EUV光刻機(jī)的數(shù)量。

無獨(dú)有偶，存儲(chǔ)龍頭三星也傳出了大舉采購光刻機(jī)的動(dòng)作。韓國媒體Sedaily援引知情人士的消息報(bào)道稱，三星電子已確定向光刻機(jī)大廠ASML和佳能訂購了約70臺(tái)光刻機(jī)，總金額高達(dá)10萬億韓元（約67億美元），其中包含20臺(tái)EUV光刻設(shè)備。不過三星方面隨后回應(yīng)稱，該消息并不屬實(shí)，公司至今尚未作出相關(guān)決策。

盡管三星的采購傳聞未得到證實(shí)，但這一消息本身就折射出當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)光刻機(jī)的迫切需求。

決戰(zhàn)1c節(jié)點(diǎn)的勝負(fù)手，壓給光刻機(jī)

在探究三星、SK海力士兩大存儲(chǔ)龍頭大舉采購EUV光刻機(jī)的戰(zhàn)略邏輯前，需先系統(tǒng)梳理五大核心影響因素，這些因素直接決定了兩家企業(yè)的采購規(guī)模、節(jié)奏及行業(yè)后續(xù)格局：

第一，兩大巨頭當(dāng)前EUV光刻機(jī)保有量。

第二，兩家公司1c DRAM現(xiàn)有產(chǎn)能基數(shù)、2026年底規(guī)劃產(chǎn)能的落地路徑及產(chǎn)能爬坡節(jié)奏。

第三，不同生產(chǎn)制造能力帶來的市場競爭力差異。

第四，ASML的EUV產(chǎn)能供給能力、交付周期及現(xiàn)有訂單積壓情況，能否匹配兩大龍頭的擴(kuò)產(chǎn)需求。

第五，是否需要警惕2028年產(chǎn)能集中釋放導(dǎo)致的過剩風(fēng)險(xiǎn)？

以下是關(guān)于上述五點(diǎn)的具體分析：

• 存儲(chǔ)雙雄EUV光刻機(jī)保有量

日前，調(diào)研機(jī)構(gòu)BOFA公布了2021到2025年為止的EUV光刻機(jī)數(shù)量，如下所示：

如圖所示，三星的EUV 光刻機(jī)持有量已超過SK海力士的兩倍，這一設(shè)備數(shù)量優(yōu)勢直接映射到產(chǎn)能層面——在存儲(chǔ)芯片制造中，光刻機(jī)部署密度是先進(jìn)制程產(chǎn)能釋放的核心約束條件，而多層EUV光刻更是10nm級(jí)以下工藝量產(chǎn)的核心前提。2026年作為全球DRAM行業(yè)的“1c節(jié)點(diǎn)爆發(fā)年”，這場制程微縮競賽已全面邁入第六代10nm級(jí)1cDRAM時(shí)代，成為AI算力爆發(fā)背景下高端內(nèi)存供給的核心戰(zhàn)場。

當(dāng)下，三星和SK海力士都已釋放擴(kuò)產(chǎn)1c DRAM的核心信息。

• 1c DRAM現(xiàn)有產(chǎn)能基數(shù)

根據(jù)規(guī)劃，三星1c DRAM產(chǎn)能將在2025年第四季度率先達(dá)到每月6萬片產(chǎn)能，2026年第二季度再新增8萬片產(chǎn)能，并于2026年第四季進(jìn)一步擴(kuò)增6萬片，屆時(shí)整體月產(chǎn)能達(dá)到20萬片。具體的時(shí)間節(jié)點(diǎn)以設(shè)備完成安裝為基準(zhǔn)，目標(biāo)是在上述各個(gè)階段具備立即量產(chǎn)條件。知情人士指出：“三星將在明年底前持續(xù)強(qiáng)化1c DRAM 的供給能力，意在提前卡位下一代市場。”

SK海力士方面，據(jù)韓國媒體報(bào)道，SK海力士計(jì)劃2026年將1c DRAM月產(chǎn)能從目前約2萬片300mm晶圓提升至16萬至19萬片，增幅達(dá)8至9倍，占其DRAM總產(chǎn)能的三分之一以上。據(jù)悉，SK海力士已將1c DRAM的良率提升至80%以上，該制程主要用于制造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM產(chǎn)品。擴(kuò)產(chǎn)后的1c DRAM將主要用于滿足英偉達(dá)等大型科技公司的訂單需求。這一戰(zhàn)略調(diào)整反映出AI推理應(yīng)用對(duì)成本效益更高的通用DRAM需求激增，該公司正將戰(zhàn)略重心從HBM擴(kuò)展至更廣泛的AI內(nèi)存市場。

分析指出，相比需要復(fù)雜堆疊工藝的HBM，1c DRAM的生產(chǎn)效率更高，能夠更快速響應(yīng)市場需求的爆發(fā)式增長。

HBM是3D堆疊+系統(tǒng)級(jí)集成方案，需通過TSV硅通孔、超薄減薄、多層鍵合及CoWoS等先進(jìn)封裝技術(shù)，將多顆DRAM Die與基片垂直整合，技術(shù)鏈路極復(fù)雜。1cDRAM則是DRAM制程的迭代升級(jí)，核心是通過4F2單元架構(gòu)、EUV曝光優(yōu)化實(shí)現(xiàn)單Die密度提升與良率改善，無需重構(gòu)產(chǎn)線，直接復(fù)用現(xiàn)有DRAM成熟產(chǎn)線即可量產(chǎn)。

相較于HBM，1c DRAM 主打通用化、規(guī)模化供給，是AI服務(wù)器、移動(dòng)終端的核心基礎(chǔ)，同時(shí)也是 HBM4/HBM4E 的最佳核心片。SK 海力士已明確，將基于第六代 10nm 級(jí) 1c 制程 32Gb DRAM 裸片打造 HBM4E 內(nèi)存。三星同樣在推進(jìn)相關(guān)布局，其研發(fā)的 12 層堆疊（12-Hi）、16 層堆疊（16-Hi）HBM4 產(chǎn)品，均會(huì)采用 1c DRAM 技術(shù)。

三星在2026年2月宣布，已率先達(dá)成HBM4的量產(chǎn)，并向全球最大AI芯片公司英偉達(dá)發(fā)貨。 該HBM4將搭載于英偉達(dá)最新Rubin GPU中。市場預(yù)計(jì)，Rubin GPU將于2026年下半年正式出貨，以供應(yīng)給谷歌、亞馬遜等美國科技大廠，并帶來超過1萬億美元的市場規(guī)模。與此同時(shí)，三星也在配合Rubin GPU上市節(jié)奏，擴(kuò)大華城H3 工廠17線，以及平澤P3、P4 工廠的HBM4 產(chǎn)能。

去年9月，SK海力士完成HBM4開發(fā)，但隨后在去年12月，SK海力士宣布HBM4的量產(chǎn)已推遲至2026年3月或4月，HBM4產(chǎn)能大幅擴(kuò)張的時(shí)間也進(jìn)行了靈活調(diào)整。SK海力士決定至少在2026年上半年之前，保持HBM3E在所有HBM產(chǎn)品中最高的產(chǎn)量占比。據(jù)悉，SK海力士在與英偉達(dá)討論2026年HBM的產(chǎn)量時(shí)，大幅增加了HBM3E的產(chǎn)量。

• 不同生產(chǎn)制造能力帶來的市場競爭力差異

2025年第一季度，SK海力士占據(jù)了全球DRAM市場36%的份額，略高于三星電子的34%和美光的25%。這也是SK海力士自1983年成立以來首次在全球存儲(chǔ)器市場占據(jù)主導(dǎo)地位。

隨后在2025年第三季度，三星電子DRAM銷售額達(dá)到139.42億美元，環(huán)比增長29.6%，市場份額回升至34.8%，重新奪回行業(yè)榜首。同期SK海力士以137.9億美元的銷售額位居第二，市場份額為34.4%，與三星電子的差距僅為0.4個(gè)百分點(diǎn)。

三星電子業(yè)績的反彈，得益于是制造端兩大關(guān)鍵能力的集中釋放：一是HBM 高端產(chǎn)能的快速爬坡與精準(zhǔn)交付。該公司第三季度HBM位單元出貨量環(huán)比激增85%，主要由于開始向英偉達(dá)交付第五代HBM3E產(chǎn)品。二是通用 DRAM 產(chǎn)能的彈性調(diào)控與價(jià)格主導(dǎo)力。人工智能數(shù)據(jù)中心對(duì)內(nèi)存需求的爆發(fā)式增長，導(dǎo)致PC和智能手機(jī)等消費(fèi)級(jí)IT設(shè)備的DRAM供應(yīng)趨緊，進(jìn)一步推高了產(chǎn)品價(jià)格。

• ASML的EUV產(chǎn)能供給能力

反過來思考，SK 海力士敲定 30 臺(tái) EUV 訂單、三星或可能采購 20 臺(tái)的情況下，ASML 的產(chǎn)能能否跟上？在此之前，先來看一組 ASML 歷年光刻機(jī)的出貨量數(shù)據(jù)。

上圖可見，2023年、2024年、2025年，ASML的EUV光刻設(shè)備數(shù)量分別為53臺(tái)、44臺(tái)和48臺(tái)。從這組數(shù)據(jù)中，首先能捕捉到兩個(gè)核心信息：一是ASML的EUV年出貨量始終維持在40-55臺(tái)的區(qū)間，產(chǎn)能釋放呈現(xiàn)“緩慢線性增長”的特征，并未出現(xiàn)爆發(fā)式提升——這與EUV設(shè)備的制造復(fù)雜度直接相關(guān)，一臺(tái)EUV集成超過12萬個(gè)高精度零部件，依賴德國蔡司的光學(xué)系統(tǒng)、美國Cymer的極紫外光源等全球獨(dú)家供應(yīng)商，任何一個(gè)環(huán)節(jié)的產(chǎn)能瓶頸都會(huì)限制整體出貨。

二是2024年出貨量較2023年有所下滑，2025年雖有回升但未突破2023年峰值，這背后既有ASML產(chǎn)能調(diào)整的因素，也反映出前兩年行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)潮后，部分企業(yè)進(jìn)入產(chǎn)能消化期，而2025年的回升則與AI驅(qū)動(dòng)下高端存儲(chǔ)、先進(jìn)邏輯芯片的需求復(fù)蘇直接相關(guān)。

SK海力士的采購計(jì)劃具備明確的產(chǎn)能落地支撐。上文提到，這批設(shè)備將分別部署在清州M15X工廠和在建的龍仁半導(dǎo)體集群，其中龍仁基地的首座潔凈室啟用時(shí)間已從2027年5月提前至2027年2月，與設(shè)備交付節(jié)奏高度匹配。若三星也計(jì)劃采購20臺(tái)EUV，且同樣計(jì)劃在2027年底前交付，那么SK海力士與三星的訂單合計(jì)將達(dá)到50臺(tái)，占ASML兩年產(chǎn)能的一半以上，這將大幅擠壓臺(tái)積電、英特爾等其他頭部客戶的產(chǎn)能配額。

還需注意的是，日前ASML在財(cái)報(bào)中寫道，截至2025年底，公司積壓在手訂單達(dá)388億歐元，其中EUV系統(tǒng)積壓訂單達(dá)255億歐元，占比65%。其中或許包含SK海力士的已下訂單，因此倘若三星和SK海力士均在當(dāng)下向ASML追加大量EUV訂單，短期內(nèi)也難以獲得充足的產(chǎn)能配額。

• 2028年，產(chǎn)能過剩？

據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星內(nèi)部預(yù)計(jì)本輪存儲(chǔ)短缺將于2028年前后趨于緩解，并據(jù)此校準(zhǔn)投資節(jié)奏，以避免重蹈過度擴(kuò)張的覆轍。與此同時(shí)，SK海力士亦多次公開表態(tài)，將以實(shí)際需求而非樂觀預(yù)期作為擴(kuò)產(chǎn)依據(jù)。然而EUV光刻機(jī)的產(chǎn)能存在硬約束，當(dāng)下不搶購，未來幾年將徹底失去高端賽道的競爭力。

因此，三星與SK海力士當(dāng)下大量采購EUV光刻機(jī)，與警惕2028年產(chǎn)能過剩并不矛盾。警惕2028年過剩，是著眼于遠(yuǎn)期的風(fēng)險(xiǎn)防控；而現(xiàn)在搶購EUV，則是應(yīng)對(duì)近期市場剛需、應(yīng)對(duì)行業(yè)競爭、推進(jìn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)的必然選擇。

DRAM技術(shù)下一步，該搶什么？

長期以來，DRAM的密度提升高度依賴于制程微縮，這使得對(duì)EUV等高端光刻機(jī)的投入成為剛性需求。

隨著3D 堆疊存儲(chǔ)的發(fā)展，3D NAND 為提升存儲(chǔ)密度，將存儲(chǔ)單元垂直堆疊，層數(shù)不斷增加，目前主流產(chǎn)品已超過 300 層，未來還將向 1000 層邁進(jìn)。DRAM未來也有類似的3D堆疊層數(shù)的技術(shù)路線圖。這種技術(shù)路徑的轉(zhuǎn)變，意味著廠商對(duì)光刻精度的極致追求將有所放緩，進(jìn)而削弱對(duì)EUV光刻機(jī)的需求。

相應(yīng)的對(duì)刻蝕設(shè)備的需求量和性能要求呈指數(shù)級(jí)增長，比如從 32 層提高到 128 層時(shí)，刻蝕設(shè)備用量占比從 35% 提升至 48%。此外，近存計(jì)算方案的發(fā)展增加了 TSV 刻蝕需求，TSV 工藝中刻蝕和填充設(shè)備占比接近 70%，進(jìn)一步增加了刻蝕設(shè)備的需求。同時(shí)，3D NAND 堆疊層數(shù)不斷增加，每層薄膜厚度要求嚴(yán)苛，ALD 與 CVD 協(xié)同工藝成為主流，這都對(duì)薄膜沉積設(shè)備提出了更高要求。

因此，半導(dǎo)體制造的未來重點(diǎn)，或?qū)膯渭円揽抗饪虣C(jī)縮小特征尺寸，轉(zhuǎn)向更復(fù)雜關(guān)鍵的刻蝕與薄膜沉積工藝。DRAM 對(duì)光刻機(jī)的依賴程度，也將明顯低于當(dāng)前水平。