浙江
美國存儲芯片巨頭美光（Micron）預(yù)計，高帶寬存儲（HBM）、DRAM 和 NAND 閃存等關(guān)鍵產(chǎn)品的供需緊張局面，將持續(xù)到 2026 年之后。該觀點由投行摩根大通在一份研報中披露，內(nèi)容源自美光管理層在美國波士頓舉行的第 54 屆摩根大通全球科技、媒體與通信大會（TMC）上的發(fā)言。
摩根大通在研報中寫道，美光在大會上表示，由于高性能存儲芯片可以顯著提升人工智能模型的算力表現(xiàn)，市場對相關(guān)產(chǎn)品的需求持續(xù)高漲，預(yù)計整個存儲市場的“緊俏”狀況會一直延續(xù)到 2026 年之后。與此同時，HBM、DRAM 與 NAND 等產(chǎn)品的產(chǎn)能擴張存在客觀難度，這也將放大并拉長供需失衡的周期。
多重因素正在共同推高這一輪存儲緊缺。首先，新一代存儲芯片在性能上的“代際提升幅度”正在放緩，意味著客戶需要堆疊更多芯片或采用更高規(guī)格產(chǎn)品，才能獲得同等水平的性能增量。其次，新一代 HBM 芯片采用更大的晶圓面積（die size），在固定晶圓產(chǎn)能下，可切割出的芯片數(shù)量相對減少，進一步壓縮了有效供應(yīng)。此外，極紫外光刻（EUV）正加速進入最新一代 DRAM 制造工藝，在提升制程能力的同時，也對產(chǎn)線建設(shè)與良率爬坡提出更高要求。
在本次會議上，美光還披露了關(guān)于 HBM4 生產(chǎn)節(jié)奏的關(guān)鍵信息。公司管理層稱，受 AI 應(yīng)用爆發(fā)式增長推動，其 1-gamma 工藝節(jié)點有望成為公司歷史上出貨晶圓量最大的 DRAM 節(jié)點。HBM 存儲通常以多層堆疊的 DRAM 模組為基礎(chǔ)，并與 AI GPU 等高性能芯片封裝在一起，這使得先進 DRAM 工藝在 AI 時代的重要性進一步凸顯。美光同時表示，正在持續(xù)將 EUV 光刻深度導(dǎo)入 1-gamma 節(jié)點的量產(chǎn)之中。
在產(chǎn)能爬坡方面，美光指出，受強勁 AI 需求驅(qū)動，HBM4 的產(chǎn)能提升速度正以約兩倍于上一代 HBM3 的節(jié)奏推進。公司預(yù)計，下一代 HBM4E 將在 2027 年開啟量產(chǎn)爬坡，首批樣品將基于 1-gamma 工藝節(jié)點所生產(chǎn)的 DRAM 芯片。這一時間表顯示，美光正試圖在后續(xù)幾代 AI 加速芯片平臺中，提前鎖定高帶寬存儲的技術(shù)與產(chǎn)能優(yōu)勢。
除高帶寬存儲外，美光還提到，隨著 AI 模型“上下文窗口”持續(xù)擴展，以及推理工作負(fù)載不斷增長，公司在固態(tài)硬盤（SSD）市場的份額也有所提升。美光強調(diào)，正與主要客戶緊密協(xié)同研發(fā)，為其特定應(yīng)用場景定制產(chǎn)品，而非簡單提供標(biāo)準(zhǔn)化的“現(xiàn)貨型”存儲解決方案。這種更深度的合作模式，有望在未來幾年內(nèi)進一步穩(wěn)固其在 AI 存儲生態(tài)中的地位。
摩根大通在報告中表示，在聽取美光管理層的最新表態(tài)后，該行更加確信 AI 存儲賽道存在“多年度牛市”的投資邏輯。在高性能計算、數(shù)據(jù)中心與 AI 加速芯片的集中拉動下，HBM、DRAM 與 NAND 的結(jié)構(gòu)性供需緊張，可能會成為 2026 年之后存儲行業(yè)定價與盈利能力的核心支撐因素。
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