上海
《科創板日報》5月26日訊 AI需求的高速增長，正推動芯片散熱技術持續演進。
今日，SK海力士宣布推出iHBM解決方案，技術通過在HBM封裝內集成一體化冷卻元件“ICE”，以降低產品運行時的發熱量。公司計劃將iHBM技術應用于HBM5等下一代產品，以滿足高性能計算、AI數據中心等超高度集成、高帶寬應用場景的嚴苛散熱管控需求。
據悉，iHBM有別于傳統HBM依賴熱量經由核心芯片（Core Die）向外傳導的間接散熱方式，而是直接在熱量最為集中的D2D PHY（Die-to-Die Physical Layer，即實現HBM基礎芯片與AI高速芯片之間超高速數據傳輸的物理互聯通道）區域內嵌入熱控元件ICE。ICE是一種利用絕緣、高導熱性的硅基材料，可在HBM封裝內部額外構建出專用熱量排出通道。
SK海力士發布iHBM冷卻方案 圖源：SK海力士
相較傳統方案，iHBM可將熱阻降低30%以上，同時確保產品在高溫、高負載環境下的穩定運行特性。
從量產能力來看，iHBM將采用WLP封裝工藝，可實現穩定規模化量產。此外，SK海力士表示：“該技術與客戶現有SiP系統級封裝環境具備高度設計兼容性，客戶無需進行大規模設計改動，即可直接部署，從而有效降低了實際導入門檻。”
縱觀市場，iHBM并非首個試圖將散熱能力導入芯片內部的技術。
如三星的Exynos 2600芯片即采用了HPB冷卻技術，可跟隨DRAM一起直接封裝在芯片上，并對整體的熱結構進行逐步優化；微軟團隊也曾開發“微流體冷卻技術”技術，即通過細如發絲的微小通道，直接將冷卻液輸送到芯片內部。
另一方面，芯片散熱技術愈發從風冷、液冷等單一外部冷卻方案，逐步朝封裝內部材料優化、結構、外部冷卻協同方向演進。
據銀河證券，Vera Rubin架構GPU將全面采用“鉆石銅復合散熱+45℃溫水直液冷”全新方案。華源證券指出，將金剛石作為基板集成使用，不僅具有出色的散熱效果，還可以通過重新分配整體熱阻及流經該基板的溫度降差，實現芯片層面的兩相冷卻。這種設計可使散熱性能提升10到100倍。
從存儲技術發展的視角來看，三星電子正在開發下一代HBM封裝技術“多層堆疊FOWLP”，結合了超高縱橫比銅柱和扇出型晶圓級封裝（FOWLP），可提升帶寬并改善設備發熱量；SK海力士采用混合鍵合技術的12層HBM堆疊結構的驗證工作已經完成，目前正在提高良率，以便將其應用于量產。
投資方面，海通國際證券表示，賽道層面，HBM是下一階段存儲板塊核心的彈性方向。伴隨2027年全球AI服務器出貨量持續高增、HBM3e/HBM4迭代滲透提速，疊加先進封裝與良率瓶頸仍持續約束供給釋放，看好HBM后續漲價預期。
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
