北京
三星半導(dǎo)體在COMPUTEX上展示了橫跨存儲器、晶圓代工、邏輯芯片與先進封裝的全球唯一IDM（整合元件制造商）模式的「全方位解決方案（ Total Solution ）」競爭力，以及迎接新一代AI系統(tǒng)的發(fā)展策略。
此次展覽中，三星首度公開了下一代HBM解決方案—HBM4E 晶圓與芯片。HBM4E由三星最先進的1c DRAM制程的核心晶粒（Core Die），與三星晶圓代工4納米制程的基礎(chǔ)晶粒（Base Die）結(jié)合而成的次世代HBM解決方案。該產(chǎn)品能穩(wěn)定支持每引腳（Pin）最高14Gbps的傳輸速度，未來可擴充至16Gbps（最高4TB/s頻寬）的效能。此外，HBM4E的容量較前一代提升30%以上，并可依照客戶與系統(tǒng)需求，提供從32GB至64GB的多種配置。
除HBM4E之外，也同步公開了下一代HBM 架構(gòu)模型（Mock-up）。三星表示，最受矚目的是，首度亮相、瞄準(zhǔn) HBM5 時代的核心技術(shù)—HPB（Heat Path Block）架構(gòu)。HPB是三星為提升下一代HBM散熱效能所開發(fā)的熱管理架構(gòu)（Thermal Architecture）技術(shù)。
三星指出，隨著AI加速器效能、存儲器頻寬與功率密度快速提升，散熱管理已成為高效能AI系統(tǒng)發(fā)展的重要關(guān)鍵。尤其在HBM5架構(gòu)中，需要以更快的速度處理更多的數(shù)據(jù)量，存儲器內(nèi)部產(chǎn)生的熱量也隨之大增。其中，負(fù)責(zé)HBM與外部GPU之間超高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)腄2D PHY（Die-to-Die Physical Layer），是Base Die中主要的發(fā)熱來源之一。隨著數(shù)據(jù)傳輸速度越快，D2D PHY所產(chǎn)生的熱量也同步增加。因此，在HBM5等高效能產(chǎn)品中，如何有效控溫與散熱，將是關(guān)鍵競爭力。
HPB技術(shù)正是為了解決此挑戰(zhàn)而開發(fā)，HPB的結(jié)構(gòu)設(shè)計是在D2D PHY區(qū)域額外配置一條獨立的熱傳導(dǎo)路徑（ThermalPath ），讓熱可以更有效率地向外傳導(dǎo)與散發(fā)，借此可降低熱阻（Thermal Resistance），提升運作穩(wěn)定性，即使在高帶寬、高密度整合的環(huán)境下，也能展現(xiàn)更穩(wěn)健的系統(tǒng)效能表現(xiàn)。
三星目前已在HBM4E的基礎(chǔ)上完成HPB技術(shù)驗證，并計畫從HBM5開始正式導(dǎo)入此技術(shù)。這是三星首次正式公開下一代HBM架構(gòu)及熱管理技術(shù)發(fā)展方向，預(yù)期將成為強化HBM技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位的重要里程碑。
三星表示，這次展覽也展示因應(yīng)NVIDIA Vera Rubin 平臺發(fā)展方向的AI存儲器與儲存產(chǎn)品組合。在 GPU 方面，展示了 HBM4；在系統(tǒng)存儲器領(lǐng)域，則有 SOCAMM2；在儲存解決方案，則介紹 PM1763、PM1753 與 PM9D3a 等針對AI工作負(fù)載特性最佳化的產(chǎn)品。特別是，PM1763 預(yù)計將搭載于 NVIDIA VR200 GPU 服務(wù)器的本機 SSD（Local SSD）使用。
半導(dǎo)體/AI 技術(shù)大會
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