三星半導(dǎo)體在COMPUTEX上展示了橫跨存儲器、晶圓代工、邏輯芯片與先進封裝的全球唯一IDM(整合元件制造商)模式的「全方位解決方案( Total Solution )」競爭力,以及迎接新一代AI系統(tǒng)的發(fā)展策略。
此次展覽中,三星首度公開了下一代HBM解決方案—HBM4E 晶圓與芯片。HBM4E由三星最先進的1c DRAM制程的核心晶粒(Core Die),與三星晶圓代工4納米制程的基礎(chǔ)晶粒(Base Die)結(jié)合而成的次世代HBM解決方案。該產(chǎn)品能穩(wěn)定支持每引腳(Pin)最高14Gbps的傳輸速度,未來可擴充至16Gbps(最高4TB/s頻寬)的效能。此外,HBM4E的容量較前一代提升30%以上,并可依照客戶與系統(tǒng)需求,提供從32GB至64GB的多種配置。
除HBM4E之外,也同步公開了下一代HBM 架構(gòu)模型(Mock-up)。三星表示,最受矚目的是,首度亮相、瞄準(zhǔn) HBM5 時代的核心技術(shù)—HPB(Heat Path Block)架構(gòu)。HPB是三星為提升下一代HBM散熱效能所開發(fā)的熱管理架構(gòu)(Thermal Architecture)技術(shù)。
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三星指出,隨著AI加速器效能、存儲器頻寬與功率密度快速提升,散熱管理已成為高效能AI系統(tǒng)發(fā)展的重要關(guān)鍵。尤其在HBM5架構(gòu)中,需要以更快的速度處理更多的數(shù)據(jù)量,存儲器內(nèi)部產(chǎn)生的熱量也隨之大增。其中,負(fù)責(zé)HBM與外部GPU之間超高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)腄2D PHY(Die-to-Die Physical Layer),是Base Die中主要的發(fā)熱來源之一。隨著數(shù)據(jù)傳輸速度越快,D2D PHY所產(chǎn)生的熱量也同步增加。因此,在HBM5等高效能產(chǎn)品中,如何有效控溫與散熱,將是關(guān)鍵競爭力。
HPB技術(shù)正是為了解決此挑戰(zhàn)而開發(fā),HPB的結(jié)構(gòu)設(shè)計是在D2D PHY區(qū)域額外配置一條獨立的熱傳導(dǎo)路徑(ThermalPath ),讓熱可以更有效率地向外傳導(dǎo)與散發(fā),借此可降低熱阻(Thermal Resistance),提升運作穩(wěn)定性,即使在高帶寬、高密度整合的環(huán)境下,也能展現(xiàn)更穩(wěn)健的系統(tǒng)效能表現(xiàn)。
三星目前已在HBM4E的基礎(chǔ)上完成HPB技術(shù)驗證,并計畫從HBM5開始正式導(dǎo)入此技術(shù)。這是三星首次正式公開下一代HBM架構(gòu)及熱管理技術(shù)發(fā)展方向,預(yù)期將成為強化HBM技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位的重要里程碑。
三星表示,這次展覽也展示因應(yīng)NVIDIA Vera Rubin 平臺發(fā)展方向的AI存儲器與儲存產(chǎn)品組合。在 GPU 方面,展示了 HBM4;在系統(tǒng)存儲器領(lǐng)域,則有 SOCAMM2;在儲存解決方案,則介紹 PM1763、PM1753 與 PM9D3a 等針對AI工作負(fù)載特性最佳化的產(chǎn)品。特別是,PM1763 預(yù)計將搭載于 NVIDIA VR200 GPU 服務(wù)器的本機 SSD(Local SSD)使用。
半導(dǎo)體/AI 技術(shù)大會
(報名通過 可享免費午餐)
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