AI平滑了存儲行業(yè)的波動曲線，但周期不會消失

文｜《財經(jīng)》記者 謝麗容 主筆 吳俊宇 研究員 周源

編輯 | 馬克

2026年5月，一場在30天內(nèi)完成、橫跨三個資本市場、涉及五家頭部企業(yè)的資本階層躍遷發(fā)生了。

全球三大存儲巨頭三星、美光和SK海力士按清晰的時間順序、分市場先后登頂萬億美元市值——5月6日韓盤，三星率先跨過萬億門檻；5月26日，美光單日大漲19.29%、市值破1.01萬億美元；5月27日，SK海力士暴漲超11%，市值站上1.06萬億美元。

至此，三星、SK海力士、美光全球存儲三巨頭，在一個月內(nèi)完成萬億美元登頂，創(chuàng)造了存儲行業(yè)前所未有的資本紀錄。

三巨頭以近乎儀式化的登頂節(jié)奏，終結(jié)了存儲行業(yè)數(shù)十年“隨大宗商品獨自潮汐波動”的舊周期格局。然而，巨頭集中登頂?shù)漠?dāng)月，市場并未沉浸于單向狂歡，韓國股市緊接著上演雙向熔斷的極端波動，暴漲與暴跌在半個月內(nèi)交替出現(xiàn)，凸顯了新舊產(chǎn)業(yè)周期的矛盾。

5月15日，韓國存儲板塊率先深度回調(diào)。三星電子、SK海力士單日跌幅雙雙超7%，權(quán)重股集體重挫觸發(fā)下跌熔斷——市場對存儲泡沫的擔(dān)憂集中釋放，這是舊周期思維的一次集體性恐慌。

僅隔12個交易日，行情又開始反轉(zhuǎn)。5月27日，受SK海力士萬億市值突破帶動，存儲板塊全線暴走，KOSPI 200期貨漲幅觸及5%閾值，觸發(fā)上漲熔斷，交易所暫停程序化交易五分鐘。

單一板塊撬動一國股市的罕見盛況，就這樣在半個月內(nèi)上演了兩次，一次向下，一次向上。

“先暴跌熔斷、后暴漲熔斷”的極端走勢，說明存儲行業(yè)在舊周期的高波動慣性尚未褪去之時，AI驅(qū)動的新成長邏輯便強勢崛起。兩種力量在同一個市場、同一個月份、同一批股票上正面對撞，撕扯出雙向熔斷這樣罕見的歷史截面。

在中國，5月19日，國內(nèi)NAND（一種負責(zé)長期存儲的芯片）龍頭長江存儲完成IPO輔導(dǎo)備案，啟動A股上市進程。這家國內(nèi)唯一的3D NAND IDM（垂直整合制造）企業(yè)，2026年第一季度營收突破200億元，同比增長約100%，NAND全球市場份額已攀升至13%，直逼全球第三。5月27日，國內(nèi)DRAM（一種負責(zé)臨時存儲的芯片）龍頭長鑫科技科創(chuàng)板IPO順利過會，擬募資295億元，位列科創(chuàng)板史上第二大IPO（僅次于2020年中芯國際的532.3億元），機構(gòu)預(yù)測上市后市值有望沖擊2萬億至3萬億元。

兩家企業(yè)分別卡位兩大存儲賽道，補上了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中一塊長期缺失的關(guān)鍵拼圖。

巨頭躍遷，中國選手擠上高端牌桌，整條存儲產(chǎn)業(yè)鏈上的核心公司也被同步托舉。從上游設(shè)備商到封測廠，從材料供應(yīng)商到模組分銷商，訂單排至2027年、毛利率創(chuàng)歷史新高、低價庫存帶來巨額重估收益——幾乎所有環(huán)節(jié)都在分享這場盛宴。

盛宴背后，行業(yè)底層邏輯已在改變，存儲行業(yè)正站在新舊范式切換的關(guān)鍵路口：舊周期的供需規(guī)律仍潛藏于產(chǎn)業(yè)底層，AI帶來的結(jié)構(gòu)性成長力量正在重塑定價與產(chǎn)能邏輯。

存儲芯片不再只是電子產(chǎn)品里的沉默元器件，它已經(jīng)升級為AI算力底座、資本市場估值錨與大國科技博弈關(guān)鍵籌碼。

本文將圍繞三大核心問題逐層拆解。

其一，誰在瓜分本輪AI催生的產(chǎn)業(yè)紅利？從海外原廠到國產(chǎn)龍頭，設(shè)備、材料、封測、分銷全鏈條迎來價值重估，但技術(shù)壁壘與風(fēng)口紅利帶來的收益分化十分明顯。

其二，周期徹底消亡了嗎？長期供貨協(xié)議、算力剛性需求、制造瓶頸看似抹平了過往的暴漲暴跌，但云開支上限、未來集中投產(chǎn)的新增產(chǎn)能、國產(chǎn)擴產(chǎn)三大變量懸而未決，周期并未終結(jié)，只是形態(tài)迭代。

其三，風(fēng)口紅利能否轉(zhuǎn)化為長期壁壘？美韓巨頭，國內(nèi)長鑫科技、長江存儲選擇截然不同的發(fā)展路線，本質(zhì)都是利用本輪景氣，積蓄穿越下行周期的能力。

一個被周期“詛咒”的行業(yè)

過去60年，無論頭部企業(yè)營收體量如何擴張，存儲始終是下游終端的配套行業(yè)，始終無法掙脫潮汐式漲跌的宿命

存儲芯片是半導(dǎo)體中一個奇特的存在：它占全球集成電路產(chǎn)值近四分之一，是每一臺電子設(shè)備的底層基石，但從未站上舞臺中央。原因在于，存儲芯片是“無差別的標準化零件”，而不是“差異化的戰(zhàn)略資產(chǎn)”。

CPU、MCU等邏輯芯片產(chǎn)品多基于特定指令集架構(gòu)（如x86、Arm）形成軟硬件生態(tài)壁壘，不同架構(gòu)間的軟件兼容性低、遷移成本高，因此頭部廠商擁有較強定價權(quán)。而DRAM、NAND存儲芯片規(guī)格由JEDEC（聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會，微電子產(chǎn)業(yè)的標準機構(gòu)）統(tǒng)一制定，同型號產(chǎn)品不同品牌可直接互換，大宗商品屬性突出。

由于這個特質(zhì)，存儲芯片的價格完全由供需博弈決定，漲跌波動劇烈，盈利起落劇烈。60多年來，DRAM和NAND的興衰史，就是一部反復(fù)上演的繁榮與崩潰教科書。

1970年，英特爾推出全球首款商業(yè)成功的DRAM芯片C1103，存儲產(chǎn)業(yè)就此開啟商業(yè)化征程，迄今已逾半個世紀。

上世紀70年代，全球DRAM產(chǎn)能高度集中于美國廠商；80年代日本企業(yè)憑借大規(guī)模生產(chǎn)帶來的成本和可靠性優(yōu)勢迅速反超，到1986年日本DRAM企業(yè)已占據(jù)全球近80%的份額，美國廠商份額則被壓縮至不足20%，英特爾、AMD等相繼退出DRAM業(yè)務(wù)。90年代，三星以激進的逆周期投資策略入局，在行業(yè)低谷期堅持擴產(chǎn)，市場回暖后實現(xiàn)彎道超車，成功奠定了其全球存儲霸主的地位。

此后30年間，存儲行業(yè)經(jīng)歷了四輪代表性的超級上行周期，DRAM廠商數(shù)量從20世紀90年代中期的20余家逐步縮減至如今的三家——三星、SK海力士、美光。近兩年，隨著中國存儲力量的崛起，長鑫存儲（全球DRAM市占率7.7%）與長江存儲（全球NAND市占率約16%）加入戰(zhàn)局，全球主力原廠擴充至五家。

在存儲行業(yè)語境里，周期特指由供需錯配引發(fā)的價格、盈利、產(chǎn)能循環(huán)波動規(guī)律，完整閉環(huán)固定為：下游需求回暖→存儲漲價、廠商盈利大增→頭部企業(yè)大手筆砸錢新建晶圓廠、升級先進制程→2年-3年后新增產(chǎn)能集中落地→供給遠超實際需求→產(chǎn)品價格雪崩、全行業(yè)大面積虧損→落后產(chǎn)能出清、廠商被動減產(chǎn)→庫存去化完畢、供需再度緊平衡，開啟新一輪上漲，一輪完整周期普遍在3年-4年。

第一輪發(fā)生在1993年-1996年，當(dāng)時Windows圖形操作系統(tǒng)普及，PC從字符機轉(zhuǎn)向圖形終端，單臺設(shè)備DRAM搭載量提升四倍，終端出貨同步高增催生供需缺口，存儲毛利率大幅走高。高額利潤刺激日韓廠商大舉建廠，短短兩年全球近50座存儲晶圓廠落地，產(chǎn)能集中釋放后供需反轉(zhuǎn)，價格大幅下跌，大批日系存儲企業(yè)虧損退出，行業(yè)迎來第一次大規(guī)模產(chǎn)能出清。

第二輪發(fā)生在2009年-2011年，智能手機普及疊加早期云數(shù)據(jù)中心建設(shè)雙重利好，移動端LPDDR（一種內(nèi)存標準）與服務(wù)器DRAM需求同步爆發(fā)。此前金融危機階段行業(yè)普遍壓縮資本開支，短期供給跟不上需求增速，存儲進入上行通道。但LPDDR行業(yè)標準統(tǒng)一、產(chǎn)品同質(zhì)化加劇，疊加頭部廠商陸續(xù)落地前期規(guī)劃產(chǎn)能，需求增速放緩后價格快速回落，上行周期提前終結(jié)。

第三輪發(fā)生在2017年-2019年，全球云計算大規(guī)模落地，服務(wù)器單機內(nèi)存搭載量持續(xù)抬升，同時行業(yè)集中向3D NAND新工藝切換，產(chǎn)能資源向NAND傾斜，DRAM階段性供給緊缺，三大原廠盈利創(chuàng)下歷史峰值。景氣之下三星、SK海力士、美光同步加碼擴產(chǎn)與工藝升級，2019年下游云資本開支降溫、消費電子需求走弱，行業(yè)迅速轉(zhuǎn)入深度虧損。

第四輪發(fā)生在2020年-2023年，全球疫情帶來居家辦公、遠程教育設(shè)備剛需，全產(chǎn)業(yè)鏈出于供應(yīng)鏈避險，出現(xiàn)重復(fù)性囤貨、超額鎖單，人為放大短期需求，存儲價格快速沖高。但這一輪需求具備極強脈沖屬性，疫情紅利消退后終端采購快速收縮，前期落地的新增產(chǎn)能集中涌入市場，2022至2023年行業(yè)再度陷入深度萎縮，龍頭估值回落至歷史極低位置。

四輪周期，驅(qū)動來源分別是PC革新、智能手機+早期云計算、全球云基建、突發(fā)公共事件，表面誘因各不相同，但無一例外走完相同路徑。

每一次低谷都是一輪殘酷的洗牌。20世紀90年代末日本廠商集體退出DRAM戰(zhàn)場，2008年金融危機后德國奇夢達破產(chǎn)、日本爾必達2012年倒閉，2018年至2019年寒冬中三大巨頭利潤腰斬、被迫減產(chǎn)裁員。

這一輪周期不一樣？

AI帶來的不是短期存儲漲價，而是從底層重塑存儲產(chǎn)業(yè)，讓存儲芯片升級為AI時代與GPU同等重要的核心戰(zhàn)略資源

正是因為這個行業(yè)的特殊周期性，存儲芯片三巨頭雖然合計壟斷了全球超過90%的DRAM產(chǎn)能、約70%的NAND產(chǎn)能，定價權(quán)高度集中，但這些并未給它們帶來應(yīng)有的資本溢價。

過去三十年，華爾街和全球資本市場對存儲公司的定價邏輯簡單而殘酷：這類公司的定價邏輯不是“這家公司明年能賺多少錢”，而是“現(xiàn)在處于周期的哪個位置”，因為上行期的利潤在下行期可以被半年虧損全部吞噬。無論周期走到哪一段，市場都習(xí)慣性地給存儲公司折價。

行業(yè)谷底階段，定價被壓縮至極致。2023年末至2024年初，美光遠期市盈率一度跌破5倍，SK海力士低至5.37倍（MarketScreper數(shù)據(jù)），三星電子雖然有智能手機、芯片代工等其他業(yè)務(wù)作支撐，但受周期拖累，過去十年平均市盈率僅15倍左右，在全球科技巨頭中長期墊底。

這一切在2025年至2026年被徹底改寫。AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的狂飆，將存儲芯片從“沉默的零件”推向了舞臺中央。AI服務(wù)器對DRAM的需求量是傳統(tǒng)服務(wù)器的8到10倍，對NAND的需求量是3倍。

不過，一直要當(dāng)HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存）成為AI訓(xùn)練集群的剛需時，存儲廠商才第一次擁有不可替代的話語權(quán)。

美國五家科技/算力巨頭（包括亞馬遜、微軟、谷歌、Meta、甲骨文）2025年資本支出4500億美元（約合3.1萬億元），同比增長70%；預(yù)計2026年資本支出7600億美元（約合5.2萬億元），增長69%。

AI資本開支暴漲，不只是因為大廠買了更多芯片，更是每一顆AI芯片綁定的HBM價格正在快速上升。招銀國際2026年1月報告稱，AI服務(wù)器中通用DRAM/NAND占BOM（物料清單）成本的8%-15%，但HBM芯片的成本占比上升到了30%-40%。

英偉達近七年發(fā)布的旗艦AI芯片是觀察這個問題的重要切片。

英偉達2020年發(fā)布的A100，HBM單芯片總?cè)萘繛?0GB。但2027年預(yù)期要發(fā)布的Rubin Ultra，單顆AI芯片搭載的HBM容量提升至1024GB，增長約12.8倍。

HBM持續(xù)升級，它的單棧容量持續(xù)提升，每顆AI芯片封裝的HBM堆棧數(shù)量也在增加。這帶來了更高的帶寬、更高的容量，也帶來更高制造難度。

AI服務(wù)器的成本結(jié)構(gòu)因此發(fā)生劇變。過去AI服務(wù)器，市場更多關(guān)注GPU本身，但HBM正在成為核心卡點。

拆解英偉達GB200 NVL72算力機柜的零部件就能理解這個問題——它由72個B200 GPU、36個Grace CPU、576組HBM3e（第五代高帶寬內(nèi)存）共同構(gòu)成。一枚英偉達B200 GPU搭載了8組HBM3E。缺少HBM，GPU量產(chǎn)后也無法最終出貨。

HBM不僅影響著GPU的供應(yīng)，還影響它的性能表現(xiàn)。因為HBM決定了GPU的數(shù)據(jù)吞吐能力，直接影響著GPU在單位時間的Token吞吐量。模型訓(xùn)練與推理中，需要讀取海量參數(shù)、上下文與緩存數(shù)據(jù)。尤其是Agent任務(wù)中，模型對于數(shù)據(jù)吞吐量的需求還在增長。GPU需要HBM用更高的帶寬輸送數(shù)據(jù)、保持記憶。

全球HBM市場由SK海力士、三星半導(dǎo)體、美光科技這三家存儲（包含DRAM內(nèi)存和NAND Flash閃存）芯片廠商主導(dǎo)。三家企業(yè)占全球95%以上的份額。

但目前，它們在2026年的HBM產(chǎn)能已基本售罄。英偉達和美國五大科技公司已鎖定2026年90%以上的產(chǎn)能。HBM不僅需求旺盛，且單顆利潤是DDR4（第四代內(nèi)存）存儲芯片的10倍多，三大存儲巨頭為搶抓AI需求，獲得高毛利，紛紛將先進產(chǎn)能優(yōu)先配給HBM和DDR5（第五代內(nèi)存）。

但即使如此，HBM仍然面臨缺口。國際半導(dǎo)體調(diào)研與咨詢機構(gòu)SemiAnalysis2026年2月報告顯示，HBM供應(yīng)缺口從2025年的5%擴大到2026年的6%，并將在2027年擴大至9%。這個數(shù)字看起來似乎不高，但它造成的實際市場緊張程度遠高于數(shù)字本身。因為這足以引發(fā)整個市場提前鎖產(chǎn)能、預(yù)訂產(chǎn)能、簽訂長約，甚至是囤貨漲價。

HBM稀缺，讓SK海力士、三星半導(dǎo)體、美光科技在算力產(chǎn)業(yè)鏈的地位迅速上升。

2025年10月，英偉達創(chuàng)始人黃仁勛訪問韓國期間，專程與三星電子會長李在镕會面。兩人的交流甚至以“炸雞啤酒”的韓式聚餐形式展開。

這也折射出，在HBM產(chǎn)能緊張的背景下，GPU廠商與存儲芯片廠商之間的關(guān)系正在變得更加重要。

一位存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈人士今年2月末對《財經(jīng)》表示，半導(dǎo)體行業(yè)高度重視長期信任關(guān)系。這種關(guān)系往往是通過高層互訪與深度交流建立的。這類會面不僅是禮節(jié)，更關(guān)系到未來供應(yīng)鏈合作、產(chǎn)能優(yōu)先級，甚至是長期協(xié)同的穩(wěn)定性。

既然高利潤且缺貨，存儲芯片廠商為何不建廠擴產(chǎn)？

這主要是因為存儲芯片擴產(chǎn)需要24個-36個月，有滯后性，且每家存儲公司關(guān)于擴產(chǎn)節(jié)奏和幅度的策略是激進還是保守都不一樣，從而影響存儲芯片整體的供應(yīng)。

為了降低擴產(chǎn)的盲目性，存儲芯片廠商開始要求下游客戶簽訂長期供貨協(xié)議，鎖定需求后才能擴產(chǎn)。SK海力士、三星、美光都在和大客戶簽署長期協(xié)議（LTA），而且這些協(xié)議的期限普遍是3年-5年。HBM的長期協(xié)議覆蓋率甚至達到了100%。

與以往約束力相對更弱的長期協(xié)議不同，目前的長期協(xié)議引入了預(yù)付款（通常為合同總額的10%-40%）、財務(wù)擔(dān)保等更約束機制，目標是降低違約風(fēng)險。

誰參與了這場大繁榮？

狂歡不止于原廠，整條存儲產(chǎn)業(yè)鏈，從上游設(shè)備到下游模組，都在經(jīng)歷前所未有的價值重估

根據(jù)SEMI預(yù)測，2026年全球存儲產(chǎn)值將突破5500億美元，首次超過晶圓代工規(guī)模，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第一增長極。高性能內(nèi)存芯片，直接晉升為AI算力產(chǎn)業(yè)鏈的核心戰(zhàn)略物資。

資本市場迅速作出了修正。2025年起，SK海力士股價一年漲超900%，美光漲超8倍。進入2026年5月，三星電子、美光科技和SK海力士在短短一個月內(nèi)先后突破1萬億美元市值大關(guān)——在此之前，全球半導(dǎo)體行業(yè)中只有臺積電一家公司享有萬億美元以上的定價。

即便如此，截至2026年5月，三巨頭的遠期市盈率仍處于相對低位：據(jù)FactSet，美光約9.2倍（同期營收增速預(yù)期高達93%，標普500居首）；據(jù)SK證券，SK海力士約5.2倍。極低的估值，對應(yīng)極強的行業(yè)周期性與市場偏見，也為AI驅(qū)動的估值修復(fù)與市值躍遷埋下了伏筆。

萬億美元門檻到底意味著什么？在美國資本市場，萬億俱樂部長期由蘋果、微軟、英偉達這樣的“平臺型公司”壟斷——它們要么擁有牢不可破的操作系統(tǒng)生態(tài)，要么獨占AI算力的設(shè)計制高點。

美光這樣一家以生產(chǎn)標準化內(nèi)存芯片為主的硬件制造商躋身這一行列，標志著市場對“戰(zhàn)略供給資產(chǎn)”的重新定義。法國里昂商學(xué)院管理實踐教授李徽徽在接受媒體采訪時評價：“美光不是簡單從‘周期股’變成‘成長股’，而是從過去的庫存周期品種，變成了AI基礎(chǔ)設(shè)施里的戰(zhàn)略供給資產(chǎn)。這個變化很關(guān)鍵。”

在韓國資本市場，三星和SK海力士的萬億美元登頂更具戲劇性。5月27日，也就是SK海力士正式邁入萬億市值、韓股上演雙向熔斷的當(dāng)日，三星電子與SK海力士兩家存儲巨頭，合計市值占韓國主板總市值比重攀升至51.7%。這意味著，僅兩家存儲企業(yè)，就掌控了韓國主板過半市值，韓國股市整體走勢、市場情緒與資本命脈，幾乎完全依附于存儲行業(yè)的景氣度與兩大巨頭的經(jīng)營表現(xiàn)。

韓國本土資本市場研究機構(gòu)在當(dāng)日發(fā)布的測算數(shù)據(jù)顯示，若剔除半導(dǎo)體板塊權(quán)重，KOSPI指數(shù)核心估值與點位將大幅縮水，實際點位僅維持在4100點左右，不足當(dāng)日指數(shù)實際點位的一半。

這場大繁榮中，中國存儲產(chǎn)業(yè)正以前所未有的速度，從旁觀者變成參與者——甚至在某些細分領(lǐng)域，開始成為攪局者。

中國存儲產(chǎn)業(yè)的崛起，由兩家企業(yè)擔(dān)綱：長江存儲與長鑫科技。前者卡位NAND閃存，后者主攻DRAM內(nèi)存。長期以來，這兩條賽道被三星、SK海力士、美光牢牢把持，中國企業(yè)的市場份額幾乎可以忽略不計。但2026年的數(shù)據(jù)表明，鐵幕正在被撕開。

長江存儲，國內(nèi)唯一的3D NAND IDM（垂直整合制造）企業(yè)。2026年第一季度，其全球NAND市場份額攀升至13%，營收突破200億元，同比增長約一倍。技術(shù)層面，長江存儲自主研發(fā)的Xtacking晶圓鍵合架構(gòu)已演進至第四代，實現(xiàn)了294層3D NAND的大規(guī)模量產(chǎn)，良率突破90%。這一技術(shù)指標，已與美光、SK海力士的主流產(chǎn)品處于同一梯隊。在資本市場，長江存儲于5月19日完成IPO輔導(dǎo)備案，正式啟動A股上市進程，市場估值預(yù)期在3000億至8000億元之間。

長鑫科技，國內(nèi)唯一的DRAM IDM企業(yè)，也是全球第四大DRAM供應(yīng)商。2026年一季度，其全球DRAM市場份額7.7%，營收508億元，同比增長719%，歸母凈利潤247.6億元。在技術(shù)追趕路徑上，長鑫已實現(xiàn)17納米以下制程的量產(chǎn)，并正在向HBM發(fā)起沖擊。5月27日，長鑫科技科創(chuàng)板IPO順利過會，擬募資295億元，位列科創(chuàng)板史上第二大IPO，機構(gòu)預(yù)測上市后市值有望沖擊2萬億至3萬億元。

兩家企業(yè)構(gòu)成了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中一塊長期缺失也是最關(guān)鍵的戰(zhàn)略拼圖之一。在華為的AI服務(wù)器、阿里的云計算中心、字節(jié)跳動的推薦系統(tǒng)、百度的自動駕駛數(shù)據(jù)中心——這些國產(chǎn)AI基礎(chǔ)設(shè)施的底層，存儲芯片第一次有了本土選項。

更深遠的價值在于閉環(huán)。據(jù)界面新聞援引的產(chǎn)業(yè)核心人士說法，長江存儲三期工廠的國產(chǎn)設(shè)備采購占比已突破50%，高于行業(yè)平均的15%，拉動著從刻蝕機到薄膜沉積、從光刻膠到特種氣體的整條國產(chǎn)供應(yīng)鏈加速成熟。長鑫科技一旦在HBM上取得突破，將直接挑戰(zhàn)三巨頭在AI存儲領(lǐng)域近乎壟斷的格局。

長鑫的主攻平臺是基于17nm制程開發(fā)的第四代HBM（HBM3），以跳代研發(fā)策略從DDR4/LPDDR4時代直接跨入DDR5/LPDDR5X及HBM3賽道。據(jù)媒體報道，長鑫已于2025年底向華為等國內(nèi)AI芯片廠商交付了16nm制程的HBM3樣品，目前已啟動12層堆疊HBM的大規(guī)模生產(chǎn)，進入全球HBM市場競爭。從2023年進入HBM領(lǐng)域算起，長鑫僅用三年便實現(xiàn)了這一突破，與韓國頭部企業(yè)的技術(shù)差距已縮短至3年-5年。

在產(chǎn)能布局上，據(jù)多家媒體報道，長鑫正在將相當(dāng)比例的DRAM產(chǎn)能向HBM傾斜，并在上海擴建HBM專用生產(chǎn)線。但良率仍是繞不開的挑戰(zhàn)。現(xiàn)階段長鑫HBM的生產(chǎn)良率仍低于韓國對手，采用國產(chǎn)設(shè)備的產(chǎn)線良率爬坡可能更慢。

這意味著長鑫在HBM上的布局，更多是為國產(chǎn)AI算力構(gòu)建一條基礎(chǔ)保障線，而非短期內(nèi)與國際巨頭正面爭鋒。其戰(zhàn)略意義大于短期的市場競爭。

狂歡不止于原廠，整條存儲產(chǎn)業(yè)鏈如同一條產(chǎn)業(yè)長河，上下游各環(huán)節(jié)同步迎來前所未有的價值重估。

《財經(jīng)》根據(jù)各公司公開財務(wù)信息整理了全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)公司最新財務(wù)表現(xiàn)。表格囊括存儲全鏈條21家典型代表企業(yè)，14家公司在2025年-2026年創(chuàng)下上市以來營收/凈利潤歷史新高，板塊營收普遍同比增長30%-200%、凈利潤動輒數(shù)倍上漲，全方位體現(xiàn)AI算力拉動存儲全產(chǎn)業(yè)鏈量價齊升的超級盛況。

處在產(chǎn)業(yè)最上游的設(shè)備、原材料是整條產(chǎn)業(yè)鏈的“造鏟人”，也是行業(yè)硬核技術(shù)壁壘聚集地。

3D NAND向數(shù)百層堆疊、HBM先進工藝量產(chǎn)推進，高深孔、納米級精細加工高度依賴高端設(shè)備與特種材料，高端光刻由ASML壟斷，刻蝕、薄膜設(shè)備分屬泛林、應(yīng)用材料、東京電子等海外巨頭，高端硅片、光刻膠等關(guān)鍵原料日系廠商占據(jù)絕對主導(dǎo)；國內(nèi)拓荊、北方華創(chuàng)、中微等設(shè)備企業(yè)，硅片、特氣材料廠商陸續(xù)實現(xiàn)細分突破，瀾起依托全球龍頭地位，憑借內(nèi)存接口芯片充當(dāng)算力數(shù)據(jù)傳輸關(guān)鍵樞紐。

從產(chǎn)業(yè)景氣落地來看，設(shè)備商最先吃到紅利：阿斯麥EUV訂單排滿全年，High-NA單價達3.8億美元，應(yīng)用材料、泛林AI相關(guān)設(shè)備訂單大幅放量，國產(chǎn)頭部設(shè)備企業(yè)2025年營收增速普遍超40%，材料巨頭訂單周期持續(xù)拉長，國內(nèi)材料企業(yè)加速切入頭部供應(yīng)鏈。

順流而至中游制造之外的封測環(huán)節(jié)，HBM多層堆疊+TSV工藝帶來數(shù)倍于傳統(tǒng)DRAM的封裝附加值，日月光、力成、南茂等臺系大廠產(chǎn)能全滿，長電科技、通富微電等國內(nèi)企業(yè)加碼先進封裝產(chǎn)能，承接HBM外溢訂單。

下游模組與分銷成為本輪行情隱形贏家，DDR5一年內(nèi)價格暴漲414%，AI服務(wù)器剛需拉動企業(yè)級存儲需求爆發(fā)。臺灣群聯(lián)依靠低位庫存實現(xiàn)巨額增值，江波龍、佰維存儲等國內(nèi)模組、分銷商營收與毛利率同步大幅走高。

順流而下的存儲制造端因標準化屬性，IDM垂直整合成為最優(yōu)商業(yè)模式，龐大建廠投入與良率、成本比拼構(gòu)筑頭部護城河，也是本輪景氣行情的核心受益主體。

從原廠到分銷商，存儲行業(yè)歷史上從未出現(xiàn)過的同步增長浪潮，正在改寫整條產(chǎn)業(yè)鏈的價值分配規(guī)則。

這一輪周期將持續(xù)多久？

所謂周期徹底終結(jié)更多是估值催化下的樂觀推演，行業(yè)只是告別暴漲暴跌的極端舊周期，步入更溫和的新周期

瑞銀集團（UBS）近日發(fā)布了一份研究報告，名為《Micron Technology (MU): Structural LTA Shift and the Elimination of the Valuation Discount（美光科技：長期協(xié)議發(fā)生結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)變，估值折價正在消除）》，由常年蟬聯(lián)華爾街精英榜前列的瑞銀董事總經(jīng)理、半導(dǎo)體首席分析師蒂莫西·阿庫里（Timothy Arcuri）領(lǐng)銜撰寫。

瑞銀報告核心觀點是，資本市場對存儲芯片公司長達30年的傳統(tǒng)估值框架該變了。

長期以來，華爾街給美光的定價模型，本質(zhì)上與石油、銅、大豆無異——供需決定價格，價格決定利潤，周期決定估值。即便美光擁有全球領(lǐng)先的1β制程、HBM3E的先進封裝能力，以及龐大的企業(yè)級SSD（閃存硬盤）業(yè)務(wù)，分析師們依然習(xí)慣用市凈率（P/B）來給它定價，因為“利潤不可持續(xù)”。在這種邏輯下，美光此前只能享受10倍以下的動態(tài)市盈率，每次周期高點都被視為“賣出”信號。

但阿庫里在報告中提出了一個顛覆性論點：不可替代性應(yīng)當(dāng)決定估值倍數(shù)，而非歷史習(xí)慣。

他在報告中提到：“如果英偉達的GPU是AI時代的內(nèi)燃機，那么美光的HBM和DDR5就是燃油系統(tǒng)與散熱管路——任何一個環(huán)節(jié)缺位，整個系統(tǒng)就無法運行。既然市場愿意為英偉達支付30倍以上的遠期PE，為什么美光只能拿8倍？”

這一質(zhì)問基于對LTA（長期供貨協(xié)議）結(jié)構(gòu)性改變的預(yù)期。過去，存儲芯片的銷售模式是“現(xiàn)貨市集”——價格隨時波動，客戶隨用隨買。現(xiàn)在，微軟、谷歌、亞馬遜等云巨頭已經(jīng)與美光簽訂了3年至5年的LTA，鎖定了60%-70%的服務(wù)器級DDR5產(chǎn)能。這意味著，即便消費電子需求萎縮，美光的核心收入也已被“合同護城河”所保護。周期的振幅被強行收窄，利潤的下行風(fēng)險被結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)移。

瑞銀據(jù)此將美光的估值錨從“周期性的P/B”切換為“成長型的P/E”，目標PE倍數(shù)從過去的8倍-10倍直接拉升至25倍-30倍區(qū)間。這是存儲芯片行業(yè)誕生以來，第一次被正式納入“科技成長股”的估值體系。

從更宏觀的視角看，這一轉(zhuǎn)變也標志著AI基礎(chǔ)設(shè)施的“分層固化”。在2023年-2024年，資本市場只認英偉達，因為算力是唯一的稀缺品。而到了2025年-2026年，隨著算力集群從萬卡向十萬卡、百萬卡擴張，存儲帶寬和容量已成為新的瓶頸。HBM的良率爬坡、DDR5的供給缺口、企業(yè)級SSD的耐用性要求——每一項都決定了AI訓(xùn)練的效率與穩(wěn)定性。

瑞銀還拋出一個重要觀點，即長期供貨協(xié)議（LTA）粉碎存儲芯片“周期魔咒”。這個結(jié)論基于瑞銀對各大云廠商（微軟Azure、谷歌云、亞馬遜AWS等）和美光工廠的調(diào)研。

調(diào)研結(jié)果顯示，整個存儲行業(yè)中大約60%至70%的服務(wù)器級DDR5內(nèi)存產(chǎn)量，已經(jīng)通過三年至五年的長期供貨協(xié)議（LTA）被微軟、谷歌、亞馬遜AWS等超大規(guī)模云廠商提前鎖定。美光在2026年3月的財報電話會上也披露，它與特定客戶簽署了三年至五年不等的多年供貨協(xié)議。

瑞銀預(yù)計，很快全行業(yè)高達30%的全品類DDR內(nèi)存容量都將被長約鎖定。這類長期訂單的定價雖不及現(xiàn)貨巔峰價位，卻為美光鎖定了穩(wěn)定收益，有效抵御行業(yè)周期波動，避免利潤大幅縮水。

瑞銀修正了其全球存儲芯片供需模型：

DRAM內(nèi)存：全行業(yè)DRAM供不應(yīng)求的結(jié)束時間，從此前預(yù)測的2027年四季度，大幅延長至2028年二季度。

NAND閃存：供不應(yīng)求的結(jié)束時間由2027年三季度延長至2027年四季度。

HBM價格：瑞銀大幅調(diào)高了對美光HBM每吉字節(jié)（GB）平均售價（ASP）的增長假設(shè)，將其從原先預(yù)計的年增長35%，直接上調(diào)至年增長50%。同時維持美光HBM的出貨預(yù)期：2026年達到77.8億吉比特（Gb），2027年飆升至120.5億吉比特。

不僅瑞銀，摩根大通也認為長期協(xié)議（LTA）正在消除存儲行業(yè)的周期性趨勢。北美和中國的超大規(guī)模云廠商已經(jīng)通過鎖定多年期LTA，使服務(wù)器內(nèi)存定價在近期內(nèi)特別具有黏性。

這意味著即便現(xiàn)貨市場價格在2027年出現(xiàn)波動，通過LTA鎖定的合約價格仍將保持相對穩(wěn)定。因此，存儲廠商的盈利穩(wěn)定性會大幅提升，即便通用存儲現(xiàn)貨價格增長放緩，已鎖定的長約價格仍將支撐廠商的營收。

早在瑞銀之前，國內(nèi)也一直有聲音稱，存儲芯片的周期性被打破了，因而長期看漲存儲，但也有行業(yè)人士明確反對這種觀點。

蓉和半導(dǎo)體咨詢CEO（首席執(zhí)行官）吳梓豪曾是臺積電廠務(wù)工程師，負責(zé)過國內(nèi)多個晶圓廠的建設(shè)，他曾公開表示，AI只是給存儲行業(yè)打了一劑強心針，讓它在短期內(nèi)光鮮亮麗，但并沒有改變存儲芯片作為“科技大宗商品”的底層基因。

他的判斷依據(jù)是，存儲芯片本質(zhì)上賣的是容量，容量的單位價值恒定，因此價格只能圍繞成本波動，定價權(quán)掌握在供需曲線手中。

吳梓豪還指出，對于投資者和產(chǎn)業(yè)從業(yè)者來說，最危險的念頭就是“這一次不一樣”，即當(dāng)所有人都認為存儲擺脫了周期、會長期漲價時，往往就是下一個周期頂點降臨的時刻。

一位前長江存儲資深人士也對《財經(jīng)》表示，存儲產(chǎn)品周期性不會被改變，各大存儲原廠都在努力擴產(chǎn)，不可能一直漲。

決定周期長度的，從來不只是供給端。存儲周期的長短，最終取決于買單人——即AI基礎(chǔ)設(shè)施投入的節(jié)奏和力度。

本輪周期，買單人高度集中——微軟、谷歌、亞馬遜、Meta、甲骨文這五家超大規(guī)模云廠商，貢獻了AI服務(wù)器采購的絕大部分份額。它們的資本開支決策，直接決定了HBM和服務(wù)器DRAM的需求曲線。

這意味著，周期不再是由“看不見的手”隨機波動，而是由少數(shù)幾家公司的戰(zhàn)略委員會投票決定。這是一種前所未有的周期形態(tài)：需求端的集中度，甚至超過了供給端。

目前短時間內(nèi)看不到美國五大科技公司算力投資下滑的趨勢。谷歌在今年6月甚至再次啟動了800億美元股權(quán)融資計劃，核心目的是為算力建設(shè)提供資金支持。這是科技史上規(guī)模罕見的融資計劃。

然而，算力投資無法無止境地增長下去。目前的情況是，美國五大科技公司的資本支出在不斷擠壓經(jīng)營性現(xiàn)金流。

2025年亞馬遜資本支出達到1318億美元，經(jīng)營現(xiàn)金流為1395億美元，資本開支/經(jīng)營現(xiàn)金流比值升至94%；甲骨文資本開支391億美元，經(jīng)營現(xiàn)金流392億美元，比值接近100%。這意味著兩家公司當(dāng)年的經(jīng)營現(xiàn)金流幾乎被資本開支完全吸收，自由現(xiàn)金流空間被大幅壓縮。

更重要的是，這種變化不是單一年份的異常，而是連續(xù)三年的趨勢。2023年至2025年，五家公司資本開支占經(jīng)營現(xiàn)金流的比例幾乎全部上行。亞馬遜從57%升至94%，微軟從40%升至74%，谷歌從32%升至55%，甲骨文從22%升至100%，Meta從38%升至60%。

AI帶來的算力投資需求高漲短期仍在延續(xù)，但它并不是沒有天花板。科技公司的現(xiàn)金流決定，它們未來究竟能在多長時間內(nèi)承受如此高強度的資本開支。

AI的商業(yè)化進度能否支撐如此巨額的投入？目前，大模型企業(yè)的收入增長雖然迅猛，但距離覆蓋訓(xùn)練成本和推理成本仍有距離。如果2027年之前，AI應(yīng)用未能大規(guī)模落地、產(chǎn)生足夠回報，云廠商很可能會重新評估采購節(jié)奏。一旦它們放緩，存儲需求就會迅速降溫——而供給端的產(chǎn)能還在持續(xù)釋放，供需逆轉(zhuǎn)將比歷史上任何一次都快。

以上因素之外，還有兩個變量誰也無法預(yù)測：一是復(fù)雜的國際地緣政治因素；二是AI技術(shù)本身的效率革命進度。

簡單來說，巨頭拿出的“LTA長期合約”新辦法，與AI算力剛性需求，確實大幅拉長本輪存儲周期、平滑盈利波動，但目前來看，改變的只是周期運行節(jié)奏，并未根除存儲產(chǎn)能建設(shè)周期長、遠期供給持續(xù)放量、云資本開支存在天花板的底層約束。

所謂周期徹底終結(jié)更多是估值催化下的樂觀推演，行業(yè)只是告別暴漲暴跌的舊周期，步入波動更溫和的新周期。

美韓三巨頭：主動管理周期

高處不勝寒，防守和進攻姿態(tài)同時出現(xiàn)在巨頭的動作里

在潑天富貴面前，原廠三巨頭其實戰(zhàn)戰(zhàn)兢兢，如履薄冰。

三星在P5工廠的建設(shè)投產(chǎn)節(jié)奏上經(jīng)歷了明顯反復(fù)，充分體現(xiàn)三星在“規(guī)避周期風(fēng)險”和“抓住周期機會”上的糾結(jié)。

2023年，三星啟動P5工廠建設(shè)，與三星E&A簽訂主體結(jié)構(gòu)合約，約定完工時間為2027年4月。2024年初，因存儲市場深度低迷、三星半導(dǎo)體巨虧，三星決定暫停P5建設(shè)，合同懸置。

2025年下半年，AI引爆存儲需求，市場反轉(zhuǎn)。三星決定重啟P5。但此時原有合同（完工時間2027年4月）已不現(xiàn)實——工程規(guī)模巨大、建材漲價、已停工近兩年。2025年12月，三星E&A提交合同修訂，金額從3915億韓元上調(diào)至5500億韓元，完工時間延至2028年5月。

不過三星不會真的等到2028年。今年2月，P5工廠進入全速施工狀態(tài)。有韓國媒體記錄當(dāng)時狀態(tài)：“數(shù)十臺百米高的起重機在黑暗中刺破夜幕，顯露出巨大身姿……數(shù)百盞探照燈照亮巨大的混凝土框架，如同白晝。成排的履帶式起重機同時啟動，在巨大的鋼結(jié)構(gòu)之間穿梭……施工現(xiàn)場每天約有1.5萬至2萬名工人進場作業(yè)，如同一個小城的全部人口清晨涌入工地。”

今年4月，三星為P5第一階段訂購70余臺光刻機，明確指向2027年投產(chǎn)。

這三個時間點背后，恰恰是三星“糾結(jié)”的集中體現(xiàn)——一邊是被需求逼著提前擴產(chǎn)，一邊是擔(dān)心提前投產(chǎn)會加速轉(zhuǎn)折到來。

另一組矛盾邏輯是擴產(chǎn)與鎖長期的沖突。三星在2026年度股東大會上宣布，正在推動三年或五年的多年度存儲器供應(yīng)合約，“以將中長期業(yè)務(wù)不確定性降到最低”。但P5提前投產(chǎn)恰恰會釋放大量新增供給，反而可能是中長期不確定性的主要來源之一。這是戰(zhàn)略上的根本性矛盾，也是三星糾結(jié)的深層根源。

在當(dāng)前史無前例的超級周期中，三星防守和進攻姿態(tài)同時在驅(qū)動決策層，導(dǎo)致戰(zhàn)略信號經(jīng)常打架，分裂心態(tài)不可避免——本質(zhì)上是急切想要利用當(dāng)下的紅利重塑自身，把超額的周期利潤，轉(zhuǎn)化為能夠穿越周期的資產(chǎn)。

三巨頭用長期協(xié)議鎖定未來收入，是本輪周期最具結(jié)構(gòu)性的變化。三星正在推動三年或五年的多年度供應(yīng)合約；美光已簽署首份五年期戰(zhàn)略客戶協(xié)議（SCA），替代傳統(tǒng)一年期LTA；SK海力士則與英偉達等核心客戶簽訂了覆蓋至2030年的長期供應(yīng)協(xié)議。

長期協(xié)議的本質(zhì)是把“今天的價格”裝進“明天的合同”。這樣即便周期反轉(zhuǎn)，相當(dāng)一部分產(chǎn)能收入會被鎖定。但這也是一把雙刃劍：如果現(xiàn)貨價格暴跌，客戶續(xù)約時必然要求重置價格。

用歷史級資本開支搶建產(chǎn)能。三巨頭2026年合計資本支出接近1200億美元，均創(chuàng)各自歷史新高。三星約733億美元，SK海力士大力投資龍仁集群與M15X，美光超250億美元。這些投資流向兩個方向：一是HBM產(chǎn)能擴張（HBM占DRAM晶圓產(chǎn)能比例從2022年不足5%升至2025年底約20%，預(yù)計2027年達35%），二是先進制程遷移（1b、1c節(jié)點）。但擴產(chǎn)本身就在加速周期轉(zhuǎn)折的到來——新產(chǎn)能集中釋放的時間點（2027-2028年），與三星內(nèi)部研判的周期拐點高度重合。

巨頭們也不敢把所有的雞蛋都放在一個籃子里，還有一個共同動作是向高附加值賽道延伸。既然為AI數(shù)據(jù)中心定制的HBM可以成為一個新變量，那接下來會是什么呢？汽車存儲、CXL內(nèi)存池、企業(yè)級SSD是第二梯隊。他們在努力擺脫“通用DRAM大宗商品”的定價陷阱，向差異化、高壁壘的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型。

在這三條共同主線之外，三家公司的戰(zhàn)略側(cè)重和面臨的挑戰(zhàn)各不相同。

三星的戰(zhàn)略側(cè)重點是全棧整合，這是三星的基因和優(yōu)勢。三星是目前唯一在自有晶圓廠完成DRAM制造、邏輯芯片制造和先進封裝全流程的HBM供應(yīng)商——這種垂直整合能力使其在迭代速度和成本控制上擁有獨特優(yōu)勢。2026年第一季度，三星DS部門營業(yè)利潤53.7萬億韓元，占公司經(jīng)營利潤的94%，HBM收入有望同比增長3倍以上。

SK海力士在這一輪周期中獲得了較大先發(fā)優(yōu)勢。2026年全部DRAM和NAND產(chǎn)能已被客戶預(yù)訂一空，與英偉達等核心客戶的長期協(xié)議甚至已經(jīng)覆蓋到2030年。

不過，為了保HBM交付，這家公司將大量晶圓產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM，收縮了通用DRAM產(chǎn)能。在通用DRAM價格暴漲的背景下，競爭對手和下游客戶“躺著賺錢”，SK海力士的“技術(shù)溢價”反而被周期紅利的均攤效應(yīng)稀釋了。

美光2026財年第二季度毛利率74.9%，創(chuàng)歷史新高；公司給出的第三季度毛利率指引高達81%。美光做了三件值得關(guān)注的事：簽署首份五年期戰(zhàn)略客戶協(xié)議；利用CHIPS（《Creating Helpful Incentives to Produce Semiconductors for America Act》）法案獲得約61億美元政府補貼用于本土擴產(chǎn)；在汽車L2+/L3自動駕駛領(lǐng)域已斬獲數(shù)十億美元設(shè)計訂單，建立差異化壁壘。

但美光也面臨兩個特殊挑戰(zhàn)。

其一，美光押注汽車存儲是一個慢變量，與AI存儲的快周期存在錯配。美光在汽車自動駕駛領(lǐng)域已經(jīng)拿到數(shù)十億美元設(shè)計訂單，這是其區(qū)別于三星和SK海力士的核心差異化戰(zhàn)略。但汽車存儲的導(dǎo)入周期極長（通常3年-5年），且單車輛價值量遠低于AI服務(wù)器。當(dāng)AI存儲周期在2027年-2028年可能見頂時，汽車存儲的貢獻仍不足以填補缺口。

另外，美光已獲得美國政府約61億美元資助，用于本土產(chǎn)能擴張。這在地緣政治加劇的背景下是安全墊，但也意味著美光的擴產(chǎn)節(jié)奏在一定程度上受制于美國政府的目標協(xié)同，并非單純的市場判斷。如果周期提前反轉(zhuǎn)，美光可能比其他兩家更難及時調(diào)整資本開支節(jié)奏——因為它對政府有承諾。

當(dāng)然，存儲三巨頭共同面臨的根本性矛盾是大致一致的：它們需要用“結(jié)構(gòu)性變化”的敘事來支撐當(dāng)前的高估值和擴產(chǎn)決策，但超高毛利率本身就是周期頂峰最誠實的信號。

長鑫和長江：抓住窗口期加速突圍

長鑫如獵手，搶抓產(chǎn)業(yè)黃金窗口期，極速奔跑、快速壯大，借勢完成階層跨越；長江如耕者，深扎技術(shù)與供應(yīng)鏈根系，不懼行業(yè)寒冬與外部打壓，靠自主體系永續(xù)生存

如果說三巨頭“站在頂峰怕跌落”，那么中國新晉玩家長鑫科技和長江存儲則更加輕裝上陣——在窗口期抓緊追趕。

十年前，中國存儲芯片的全球份額接近于零，每年進口額超千億美元。十年后，長江存儲全球NAND份額躍至13%（2026年Q1），長鑫科技全球DRAM份額達7.7%，穩(wěn)居全球第四。份額躍遷的背后，是兩種不同的追趕邏輯。

長鑫科技：搶周期。它的策略是用通用DRAM的超級周期紅利反哺HBM研發(fā)。2026年Q1營收508億元，歸母凈利潤247.6億元，單季盈利超2025年全年。據(jù)多家媒體報道，長鑫已向華為交付16nm HBM3樣品，計劃2026年量產(chǎn)。但風(fēng)險清晰：HBM量產(chǎn)進度落后領(lǐng)先廠商3年-4年。如果周期在HBM真正放量之前轉(zhuǎn)向，長鑫將面臨“研發(fā)投入不減、利潤來源驟降”的雙重擠壓。

長江存儲：造規(guī)則。它的核心競爭力不是產(chǎn)能，而是自研Xtacking架構(gòu)。憑借這一技術(shù)路線，長江存儲實現(xiàn)294層3D NAND量產(chǎn)，良率突破90%，在堆疊層數(shù)上追平國際巨頭。

2025年初，長江存儲反向授權(quán)三星混合鍵合技術(shù)專利——中國芯片企業(yè)首次向韓國巨頭收取專利費。產(chǎn)能層面，武漢三期工廠提前至2026年下半年量產(chǎn)，國產(chǎn)設(shè)備采購占比突破50%，帶動整條供應(yīng)鏈協(xié)同躍遷。它的風(fēng)險在于：外部設(shè)備限制可能影響向更高層數(shù)邁進的節(jié)奏；一旦超級周期結(jié)束，它需要用足夠高的市場份額來維持定價影響力。

兩種打法并非高枕無憂。站在世界牌桌上，長鑫和長江都面臨無法回避的共同挑戰(zhàn)。

供應(yīng)鏈安全是兩家公司共同面臨的長期課題。長鑫所處的DRAM賽道，核心設(shè)備與先進工藝高度依賴國際供應(yīng)鏈，一旦外部準入條件發(fā)生變化，將直接影響其產(chǎn)能爬坡和HBM攻堅。長江存儲雖然已在供應(yīng)鏈自主化上取得突破，但關(guān)鍵零部件和后續(xù)技術(shù)升級仍存在一定的外部依賴風(fēng)險。如何在開放合作與自主可控之間找到平衡，是兩家公司必須持續(xù)作答的考題。

展會上的長鑫科技存儲產(chǎn)品 圖/IC

存儲芯片的強周期性是另一道必考題。當(dāng)前AI驅(qū)動的超級漲價潮終將退去，歷史經(jīng)驗表明，DRAM和NAND價格在供給過剩時可能雪崩。

長鑫的高負債、高折舊結(jié)構(gòu)在周期下行時將承受巨大壓力；長江雖相對穩(wěn)健，但NAND行業(yè)常年過剩的痼疾同樣會侵蝕利潤。能否將本輪賺到的“機會錢”轉(zhuǎn)化為可持續(xù)的競爭優(yōu)勢，是兩家公司共同的課題。

此外，技術(shù)代際差距雖然縮小，但并未消失。長鑫在HBM領(lǐng)域落后SK海力士約2年-3年，長江在300層以上堆疊的良率和成本控制仍需持續(xù)追趕。國際巨頭在下一代存儲技術(shù)（如MRAM、PCRAM等）上也在加速布局，留給追趕者的窗口并非無限。

長鑫如獵手，搶抓產(chǎn)業(yè)黃金窗口期，極速奔跑、快速壯大，借勢完成階層跨越；長江如耕者，深扎技術(shù)與供應(yīng)鏈根系，不懼行業(yè)寒冬與外部打壓，靠自主體系永續(xù)生存。

兩種風(fēng)格沒有高下，只有分工。它們共同回答了中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)的核心命題：如何在被封鎖、被打壓、被追趕的夾縫中，找到屬于自己的生存之道？

長鑫的答案是“借力打力”——用最快的速度賺錢、擴產(chǎn)、追趕，把周期窗口變成自己的跳板。長江的答案是“自力更生”——用底層創(chuàng)新和自主供應(yīng)鏈，構(gòu)筑即便寒冬降臨也能持續(xù)運轉(zhuǎn)的體系。

兩條路殊途同歸。

原廠之外，存儲產(chǎn)業(yè)鏈上更多公司的命運，仍然與存儲周期的漲跌深度綁定。它們能做的，是在周期的不同階段找到避風(fēng)港——當(dāng)消費電子疲軟時，轉(zhuǎn)向企業(yè)級；當(dāng)通用存儲價格暴跌時，押注先進封裝和技術(shù)迭代。這不是對抗周期，而是繞開周期。

周期從未消失，體現(xiàn)局中各選手競爭力的是管理周期的能力。

存儲產(chǎn)業(yè)看似是標準化芯片的產(chǎn)銷循環(huán)，底層實則是一場漫長且殘酷的全球資本、技術(shù)、產(chǎn)能綜合博弈。沒有一蹴而就的彎道超車，更沒有一勞永逸的行業(yè)紅利。在強周期、高壟斷、重投入的產(chǎn)業(yè)格局中，短期行情漲跌只是表象，長期的技術(shù)沉淀、持續(xù)的資本深耕、穩(wěn)定的產(chǎn)能布局，才是穿越行業(yè)潮汐、立足全球競爭的唯一核心底氣，這也是全球存儲產(chǎn)業(yè)最真實的底層邏輯。

責(zé)編 | 要琢

題圖來源 | 視覺中國