上海
應用材料公司（Applied Materials）周一發布兩款針對先進半導體制造的新系統，旨在解決高深寬比三維結構中精密加工的核心難題，進一步推動邏輯芯片與存儲芯片的制程延伸。
此次推出的Centris? Spectral? SiN ALD與Producer? Selectra? Mo Etch，分別面向介電薄膜沉積與金屬選擇性去除兩大工藝環節。據公司介紹，上述系統已被頭部邏輯與存儲芯片廠商用于先進節點量產。
在AI算力需求持續擴張的背景下，半導體行業加速向全環繞柵極（GAA）晶體管及高層數3D NAND等三維架構演進。新系統的推出，直接回應了制造商在器件性能、工藝穩定性與良率方面面臨的瓶頸，對相關設備供應鏈具有重要的市場信號意義。
應用材料周一收漲3.27%，股價續創歷史新高。
技術背景：3D結構深化帶來工藝瓶頸
隨著芯片三維架構的持續演進，器件結構愈發趨向縱深發展——特征尺寸不斷縮小的同時，結構深度也在持續增加。
這種高深寬比的三維結構對傳統沉積與蝕刻工藝構成嚴峻挑戰：常規方法難以在從頂部到底部的整個縱向空間內實現材料的均勻分布，由此引發工藝變異，進而導致器件電學性能下降和制造良率損失。
應用材料公司表示，AI計算需求的激增正在加速行業向上述先進三維器件架構的整體遷移，這也使得精密材料工程的重要性愈加凸顯。
新產品詳解：覆蓋沉積與蝕刻兩端
Centris? Spectral? SiN ALD采用創新微波等離子體技術，可在復雜三維結構中實現氮化硅薄膜的均勻沉積，主要服務于先進邏輯制程中的介電材料工程需求。
Producer? Selectra? Mo Etch則專注于鉬（Mo）材料的選擇性去除，用于實現3D NAND的字線分離工藝，是推動存儲芯片層數持續提升的關鍵制程手段。
應用材料半導體產品集團總裁Dr. Prabu Raja表示：
"從晶體管結構到存儲堆疊，芯片制造商需要在極度復雜的三維架構中，找到精確沉積與選擇性去除材料的新方法。我們最新的沉積與選擇性蝕刻系統，正是為幫助客戶突破關鍵制程瓶頸、加速邏輯與存儲領域下一波創新而設計的。"
市場意義：材料工程成AI芯片競爭新焦點
應用材料強調，隨著行業在AI計算領域持續突破極限，最重要的機遇正越來越多地集中于材料工程環節。
這一判斷折射出半導體設備競爭格局的結構性轉變——在光刻以外，沉積、蝕刻等前道工藝正成為制程能力分化的關鍵變量。
兩款新系統能夠同時覆蓋邏輯與存儲兩大應用場景，有助于應用材料在GAA邏輯制程與高層數3D NAND這兩條當前半導體行業最重要的技術路線上鞏固其市場地位。
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
