上海
SK海力士宣布向主要客戶交付下一代AI內存芯片HBM4E樣品，推動公司股價創下歷史新高。
SK海力士周四在官網表示，這款12層堆疊HBM4E產品每引腳最高數據處理速度達16Gbps，功耗效率較上一代提升逾20%，并通過先進封裝技術將散熱阻力降低17%。SK海力士表示，將與合作伙伴緊密協作，推動產品及時實現量產。
此次樣品出貨標志著SK海力士在高帶寬內存領域的技術迭代再度提速，進一步鞏固其在AI基礎設施供應鏈中的核心地位，也為市場提供了該公司持續引領HBM技術路線的最新信號。
消息公布后，SK海力士股價在韓國交易所盤中上漲7.3%，創下歷史盤中新高。這一漲幅反映出市場對該公司在AI內存賽道持續領跑的強烈預期。自HBM3、HBM3E到HBM4，SK海力士已建立起從量產到供應的完整交付能力，此次HBM4E樣品的按期出貨，進一步強化了投資者對其技術兌現能力的信心。
性能與效率雙重躍升
SK海力士在聲明中披露，12層HBM4E在性能與功耗效率兩個維度均實現顯著提升。
具體而言，該產品每引腳最高數據處理速度達16Gbps，功耗效率較前代產品提升逾20%。與此同時，HBM4E通過最新接口設計與優化，有效降低數據傳輸延遲，并在高帶寬環境下保持穩定運行。上述特性直接提升了AI訓練與推理場景下的數據處理能力，有助于客戶在AI數據中心及大規模計算系統中提高運營效率。
先進封裝技術支撐48GB容量
在封裝工藝層面，SK海力士采用Advanced MR-MUF（大規模回流成型底部填充）技術，在12層堆疊結構下實現48GB的單顆容量，同時確保結構穩定性。
MR-MUF工藝通過在芯片間注入液態保護材料來保護電路，SK海力士在此基礎上進一步優化，使HBM4E的散熱阻力較上一代HBM4降低17%，從而保障內存芯片在高性能計算環境中的穩定運行。這一技術突破對于持續高負荷運轉的AI數據中心尤為關鍵。
SK海力士總裁兼首席開發官Ahn Hyun在聲明中表示："SK海力士憑借市場領先的技術能力與制造專長，以HBM4E為基礎，奠定了強化AI領導地位的根基。通過與合作伙伴的緊密協作，我們將向市場交付所需價值，同時作為全棧AI內存創造者進一步鞏固技術領先地位。"
SK海力士強調，公司此前在HBM3、HBM3E及HBM4的量產與供應方面積累的豐富經驗，是此次HBM4E樣品得以按期交付的重要基礎。公司表示，將依托經市場驗證的產品可靠性與供應能力，支持下一代基礎設施的開發，并協助解決AI系統的性能瓶頸。
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