在經歷前兩個交易日接近10%的下跌后,韓國股市迎來了強勁的報復性反彈。
截至收盤,日韓股市集體收漲。韓國KOSPI指數漲6.32%,從早盤的不足7400點拉升反彈至8131點。個股中,三星電子漲近9%,SK海力士漲近12%。由于KOSPI期貨價格飆升,韓國交易所一度暫停程序化買盤。
日經225指數收漲1.45%,此前一度跌超1%。
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隨著韓國股市漲幅的擴大,港股存儲概念股漲幅亦進一步擴大,南方兩倍做多三星電子大漲超14%,南方兩倍做多海力士漲超10%。
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消息催化上,據ZDNET Korea,業內人士3日透露,三星電子目前正與各大主流客戶(包括服務器、PC、移動端巨頭)進行全面談判,目標是將今年第三季度的DRAM平均售價比上一季度直接調高20%。
資金方面,機構資金正在逆勢抄底。
《首爾經濟日報》3日上午11:14 報道的數據顯示,機構買盤強勁,金融投資(含ETF資金)凈買入1.2萬億韓元,國民年金凈買入1,600億韓元,投資信托凈買入2,000億韓元,保險資金凈買入495億韓元——機構合計買入近1.7萬億韓元。
與之形成鮮明對比的是,個人和外資分別凈賣出4000億韓元和1.4萬億韓元。
“芯片通脹”將繼續
值得注意的是,隨著AI市場持續擴張,通用型DRAM和NAND閃存芯片的月度均價已創下歷史新高。
分析師認為,在供給短缺與旺盛需求的共同作用下,此輪漲價將持續至下半年。"芯片通脹"現象預計將在長期內延續。
據市場研究機構DRAMeXchange數據,6月通用型PC DRAM(DDR4 8Gb 1Gx8)的固定交易均價達到2.1美元,較5月的2.0美元環比上漲5%。這一價格是自2016年6月調查啟動之初的2.9美元的七倍多,創下歷史新高。
DRAM價格從去年4月的1.65美元起,連續上漲了11個月,直至今年2月。在3月份持平于13美元后,價格在4月大幅上漲至16美元(環比上漲23.08%),5月漲至20美元,6月繼續穩步上行。
NAND閃存同樣走出穩健的上揚曲線。6月存儲卡和U盤用通用型NAND(128Gb 16Gx8 MLC)的固定交易均價錄得2.88美元,環比上漲8.7%。NAND價格已連續上漲18個月。與去年6月的3.1美元相比,價格已上漲超過九倍。
細分來看,受庫存短缺和需求上升推動,6月SLC(單層單元)產品的平均售價環比大漲28%-31%,顯著高于上月3%-16%的漲幅。MLC(多層單元)產品環比上漲8%-12%,保持穩定上升態勢。
存儲芯片價格的上漲預計短期內將持續。集邦咨詢預測,DRAM供應商將在7月和8月相繼提價,并相互跟進價格調整。據此,該機構將第三季度PC DRAM固定交易價格環比漲幅預測從此前的8-13%上調至15-20%,同時將第四季度漲幅預測從0-5%上調至3-8%。
針對NAND市場,集邦咨詢分析指出:"第三季度將迎來傳統備貨旺季,訂單量增加;由于產能不足導致的供需失衡,SLC產品價格在Q3可能暴漲約60%-70%。"
不過,該機構也補充道,“進入第三季度,MLC產品的上漲勢頭將有所放緩”。
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