文 | 產聯(lián)社CLS

2026 年 6 月末，國內多家半導體設備企業(yè)接連公布了擴張計劃。

中微公司完成 CMP 廠商杭州眾硅收購，大基金三期拿下過半配套募資份額；拓荊科技披露收購無錫尚積半導體的籌劃方案；華海清科推出 37.95 億元定增，計劃在上海搭建全新研發(fā)制造基地。

同月 9 日，瑞銀分析師在研報中提到一個罕見行業(yè)信號，下游客戶給到設備廠商的訂單能見度已經達到 80 周以上，這是機構跟蹤行業(yè)近三十年來從未出現的情況。

一連串產業(yè)信號足以說明，本土設備行業(yè)的超級周期已經正式拉開序幕。

2475億美元：全球半導體設備三年翻倍

全球半導體設備市場的擴張幅度超出了多數人的預期。

華泰證券統(tǒng)計了全球31家半導體制造公司的資本開支計劃，結論是：到2028年，全球晶圓廠的總資本開支將突破3400億美元，比2025年翻了一倍還多。這些錢直接流向了設備端，2028年全球前道半導體設備市場規(guī)模將達到2414億美元，較2025年增長約108%。

瑞銀的數字更具體。2026年全球晶圓廠設備支出約1470億美元，2027年1980億美元，2028年再進一步，站上2475億美元。驅動這臺引擎的主要燃料是存儲芯片，2026年存儲設備支出同比暴增約50%，DRAM和NAND都在以相近的速度狂飆。

這些數字聽起來像泡沫嗎？瑞銀的分析師提供了一個反向驗證的視角。

他們把設備支出和整個半導體行業(yè)的利潤池放在一起比較，發(fā)現2024到2025年行業(yè)利潤率已經從2023年17%的低點反彈到了30%到40%。這意味著晶圓廠大幅擴產的底氣來自自身盈利能力的修復，而非依賴外部融資。設備支出占行業(yè)利潤的比重正在從歷史高點向十年均值回歸，在瑞銀看來，這種結構反而更可持續(xù)。

圖：全球WFE市場規(guī)模預測及增速（2025-2028E） 來源：瑞銀研究報告（2026年6月9日）

本輪擴張的核心驅動力，多家機構均指向存儲芯片，DRAM 更是重中之重。

2026 年 6 月，三星、SK 海力士相繼公布韓國本土大額擴產計劃，兩家合計投資超 3700 萬億韓元，產能全部傾斜 HBM 與先進 DRAM。摩根士丹利同步上調存儲設備采購預期，同時觀察到客戶主動提前鎖定設備交付周期的現象。

和過往周期不同，此輪存儲擴產由 AI 結構性需求主導，不再單純跟隨芯片價格漲跌。

TrendForce 數據顯示，2025 年全球存儲市場規(guī)模 2354 億美元，預計 2027 年將增至 8427 億美元，行業(yè)成長屬性持續(xù)凸顯。美光推出 SCA 長期產能鎖定協(xié)議，客戶預付資金鎖定長期供貨，相關訂單對應的 DRAM 毛利率高達 70%-75%，下游需求確定性大幅提升。

圖：全球主要存儲晶圓廠擴產時間表 圖：全球主要存儲晶圓廠擴產時間表 來源：瑞銀研究報告（2026年6月9日）

880億美元：中國最大設備市場的國產替代加速度

看完全球設備擴容趨勢，再將視角轉回國內市場。國內半導體設備市場具備獨特雙重增長邏輯，一方面跟隨全球晶圓擴產實現周期性擴容，另一方面依托供應鏈自主迎來結構性國產替代紅利。

中國早已是全球規(guī)模最大的半導體設備市場，2024 年國內設備銷售額占全球比重 42%，連續(xù)四年位居全球首位。華泰證券測算，國內設備市場規(guī)模將從當前 479 億美元增長至 2028 年 880 億美元，年均復合增速達到 22%。

來源：華泰證券研究報告（2026年7月3日）

市場蛋糕持續(xù)做大的同時，國產設備的市場份額也穩(wěn)步抬升。伯恩斯坦數據顯示，本土晶圓制造設備國產化率從 2024 年 16% 提升至 2025 年 21%；高盛預測 2028 年國產化率有望沖擊 28%。

對國內設備廠商而言，行業(yè)總量擴容、自身份額提升形成雙重利好，整體增速顯著跑贏行業(yè)平均水平。

國產化提速并非單純依靠政策推動，而是供需兩端共同催生的市場選擇。供給端經過多年技術迭代，刻蝕、清洗、CMP、薄膜沉積設備已具備對標海外龍頭的商用實力；需求端海外設備交付周期拉長至 12-18 個月，疊加多國出口管制收緊，國內晶圓廠為保障擴產進度，主動加快國產設備驗證導入節(jié)奏。

多重因素共振之下，國產替代邏輯完成轉變，從以往政策驅動轉向真實市場驅動，國內廠商同步收獲市場擴容與份額提升雙重紅利。

存儲擴產，數百億設備訂單正在釋放

長鑫科技和長江存儲的擴產，是眼下國產設備商最直接的訂單來源。

6月長鑫科技拿到科創(chuàng)板IPO注冊批復，5月長江存儲啟動IPO輔導。據經濟觀察報報道，兩家公司2026年合計擴產預期已從年初的10-12萬片/月上調至15萬片/月，對應設備采購額數百億元。

刻蝕與薄膜沉積兩類設備約占DRAM產線設備投資的一半，恰好是北方華創(chuàng)和中微公司的核心陣地。長鑫科技新一代工藝平臺的國產設備占比有望超過四成，長江存儲三期產線已突破50%。這個比例幾年前難以想象。伯恩斯坦指出，2023-2024年進口數據中確有“提前囤貨”因素，但2025年國產設備商的份額增長已是“真實的技術和商業(yè)突破”。

不過，國產設備的滲透并不均衡。在刻蝕領域，北方華創(chuàng)和中微公司已穩(wěn)居國內前兩名；但光刻、涂膠顯影、高端量檢測等環(huán)節(jié)，國產化率仍不足10%，海外供應商依然占據絕對主導。

放眼全球，三星、SK 海力士、美光等存儲大廠 2026-2028 年多條新產線陸續(xù)投產，將為設備行業(yè)帶來長期穩(wěn)定訂單。

國產化梯度：刻蝕突破31%，光刻不足1%

理清市場規(guī)模與替代趨勢后，不難發(fā)現國產設備突破節(jié)奏由技術壁壘高低決定，各環(huán)節(jié)國產化進度存在明顯分層。

伯恩斯坦報告梳理出清晰梯隊：刻蝕約31%、薄膜沉積約27%、CMP約39%、清洗約29%，四類設備是國產廠商核心突破賽道；涂膠顯影約 6%、量檢測約 10%，仍是行業(yè)亟待攻堅的短板；光刻設備國產化率不足 1%，高度依賴海外進口。

刻蝕、清洗、CMP 能夠率先實現突圍，背后存在統(tǒng)一行業(yè)規(guī)律。

刻蝕是國產化進度最快的賽道，中微介質刻蝕設備切入全球 5nm 先進產線，北方華創(chuàng)主導國內 ICP 刻蝕市場。一方面賽道技術路徑豐富，國內廠商可差異化創(chuàng)新規(guī)避專利壁壘；另一方面存儲產線刻蝕設備用量高，NAND 產線設備價值占比 25%、DRAM 達 20%，充足市場空間持續(xù)支撐產品迭代。

薄膜沉積國產化率約 27%，賽道整體市場空間廣闊，技術路線覆蓋 PVD、ALD、EPI 等多個品類。國內廠商大多從單一工藝切入，逐步向平臺化發(fā)展，拓荊科技 2026 年一季度營收同比增長 57%，2025 年末在手訂單 110 億元；北方華創(chuàng)薄膜沉積業(yè)務年收入突破百億元。

CMP 與清洗設備門檻相對溫和，細分賽道機會充足。華海清科是國內唯一實現 12 英寸 CMP 商用化的企業(yè)，訂單飽滿、產能緊張，這也是企業(yè)敲定 37.95 億元上海新建基地定增的核心原因；盛美上海躋身全球清洗設備行業(yè)第四。

涂膠顯影、量檢測突破緩慢，根源在于設備與晶圓工藝深度綁定，客戶更換供應商需要數年周期驗證。東京電子壟斷全球 87% 涂膠顯影市場，量檢測賽道由科磊主導，本土廠商短期難以實現大規(guī)模替代。

整體來看，國產設備突破遵循技術壁壘由低到高的客觀節(jié)奏，行業(yè)很難一步完成全鏈條替代，判斷賽道價值的核心在于技術壁壘何時能夠實現跨越。

三重推力：國產替代為何恰在此時加速？

多重因素疊加，共同推動當前國產替代節(jié)奏明顯提速。

據經濟觀察報援引國金證券分析師的觀點，當前是三重需求的疊加：存儲廠商集中擴產釋放設備采購需求；AI投資熱從GPU/HBM向配套芯片傳導，拉動成熟制程擴產；過去幾年國產設備在各工藝環(huán)節(jié)積累的驗證成果開始兌現為批量訂單。

AI投資對半導體設備的拉動，遠不止HBM和GPU那么簡單。每一臺AI服務器還需要大量電源管理、數據傳輸、信號驅動芯片，這些芯片絕大多數采用成熟制程。

中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍在2026年一季度業(yè)績說明會上也表示，AI服務器及配套芯片需求快速增長，公司電源管理芯片產能供不應求。集邦咨詢數據顯示，2026年全球前十大晶圓代工廠平均8英寸產能利用率已回升至近90%。

還有一個此前被低估的變量：海外設備供應瓶頸。

應用材料、泛林、東京電子等國際巨頭的產能已全面飽和。據慧博智能投研報告梳理，2024年中國從日本進口的半導體設備金額達391.7億元人民幣，占總進口額23%。但自2025年起，隨著日本、荷蘭相繼收緊出口管制，疊加設備交期普遍拉長至12-18個月，進口設備已無法完全滿足國內晶圓廠的擴產節(jié)奏。

瑞銀提到，ASML 的 EUV 交付產能理論上可支撐行業(yè)需求，但全球設備供應鏈擴產周期較長。海外供給缺口反而成為國產設備發(fā)展契機，部分海外晶圓、封裝廠主動對接國內設備企業(yè)，本土設備出海節(jié)奏存在超預期可能。

景氣與隱憂：超級周期的B面

多家機構一致判斷，行業(yè)高景氣窗口至少延續(xù)至 2028 年。

SEMI預測2027年全球半導體設備市場規(guī)模將達1560億美元。慧博智能投研在報告中測算，僅以長江存儲和長鑫存儲為例，若其全球市占率從當前的約5%提升至與銷售占比匹配的水平，擴產空間仍有數倍，對應設備需求將持續(xù)釋放。伯恩斯坦預計，國內前十大設備廠商2024年至2028年的復合增速約為35%。

設備的景氣周期是下游資本開支的滯后映射。只要擴產在繼續(xù)，設備需求就不會消失。

但風險同樣不可忽視。

客戶集中度高是設備廠商的結構性隱憂。數家頭部存儲廠商的擴產節(jié)奏直接決定了行業(yè)需求的走向。一個可量化的風險閾值是：若2027年全球主要云廠商AI資本開支同比增速回落至15%以下，晶圓廠擴產計劃將面臨下調壓力，設備訂單也將隨之收縮。摩根士丹利在報告中亦提示，HBM4量產節(jié)奏若推遲至2027年下半年之后、或High-NA EUV在3nm以下節(jié)點的普及速度慢于預期，設備投資上修的空間將難以兌現。

先進制程突破仍有距離。在光刻、高端量測、ArF涂膠顯影等環(huán)節(jié)，國產設備短期內仍難以撼動海外巨頭的地位。零部件自主不足是另一個瓶頸。射頻電源、真空閥、高端陶瓷件等高價值零部件仍高度依賴進口。據慧博智能投研統(tǒng)計，2024年半導體零部件整體國產化率僅約7.1%，EUV光刻機光學元件等品類國產化率接近于零。

國產設備行業(yè)正處于用研發(fā)投入換先進制程產品突破的階段。2025年，北方華創(chuàng)研發(fā)投入72.77億元，占營收比例18.49%；中微公司研發(fā)投入37.44億元，占營收比例30.23%。北方華創(chuàng)2025年歸母凈利潤同比下降1.77%，增收不增利的直接原因之一就是研發(fā)費用的大幅增長。短期的利潤承壓，是通往先進制程必經的關口。

無論如何，有一點是確定的：中國大陸已連續(xù)六年成為全球最大的半導體設備市場，而國產設備的份額正在以每年數個百分點提升。這是一個正在發(fā)生的結構性變化，而非簡單的周期性波動。

這個跨越不會一蹴而就，但方向已經明確。市場對國產設備行業(yè)的認知，正在從“周期性品種”轉向“長期成長賽道”。

數據來源：TrendForce、SEMI、集邦咨詢

研報來源：

慧博智能投研《電子設備 — 半導體設備行業(yè)深度：驅動因素、發(fā)展機遇、產業(yè)鏈及相關公司深度梳理》（2026 年 05 月 25 日）

伯恩斯坦《中國半導體：2025 年晶圓制造設備在華競爭動態(tài)》（2026 年 05 月 28 日）

瑞銀《全球半導體與半導體設備晶圓廠設備更新：超級周期初期，2028 年晶圓廠設備支出按進度將達約 2500 億美元》（2026 年 06 月 09 日）

東吳證券《機械設備行業(yè)跟蹤周報：推薦高景氣和有望進入全球供應鏈的半導體設備；建議關注工程機械底部超跌機會》（2026 年 06 月 21 日）

摩根士丹利《全球半導體資本設備：上調 DRAM 晶圓廠設備預測》（2026 年 06 月 22 日）

伯恩斯坦《全球半導體資本設備：中國晶圓制造設備進口追蹤》（2026 年 06 月 23 日）

瑞銀《美國半導體與半導體設備：SemiBytes 二季度模擬業(yè)務更新、超高速拆分推理、美光 SCA、應用材料動態(tài)》（2026 年 06 月 29 日）

高盛《中國半導體設備：存儲先進邏輯產能擴張驅動未來增長；長期能見度提升重設估值框架》（2026 年 07 月 01 日）

華泰證券《全球半導體設備：2028 市場規(guī)模有望較 2025 翻倍》（2026 年 07 月 03 日）

報道來源：

經濟觀察報《三重需求疊加，國產半導體設備企業(yè)迎來“黃金大年”》（2026 年 07 月 05 日）

免責聲明：本文僅供參考，不構成投資建議。