板塊一年暴漲80%！AI 吞噬式需求引爆存儲超級周期

文|海山

來源|博望財經

十幾個交易日，20余只股票漲停，存儲板塊單月飆升50%，中國存儲產業迎來“價值重估”拐點！

兆易創新10天暴漲80%、北京君正走出5連板，瀾起科技年內最大漲幅突破180%，長江存儲、長鑫存儲等8家存儲企業完成新一輪融資。

行業層面，1月中國存儲產業峰會，宣布成立國產存儲生態聯盟，設立專項基金50億元，聚焦DRAM、NAND Flash、存算一體等核心技術。存算一體芯片能效比提升10倍，HBM3e高帶寬存儲器已實現量產，長江存儲232層3D NAND將單位存儲成本直降70%。

當存儲芯片從“進口依賴”變成“國產替代”，當存算一體成為AI算力的“新引擎”，當存儲芯片價格飆升創歷史紀錄，意味著存儲周期從“溫和上漲”到“超級牛市”！

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存儲超級牛市來臨

而這種超級牛市，拐點來自于2025年第四季度，存儲芯片價格迎來顛覆性轉折。

據TrendForce數據，DRAM和NAND Flash價格單季度漲幅突破40%，2026年第一季度預計再漲40%–50%，第二季度仍將維持20%的漲幅。

業內普遍認為，這一輪行情甚至超越2018年歷史高點，被業內稱為“超級牛市”。而這背后，是存儲器的市場供需的極端失衡

256GB DDR5服務器內存條價格突破5萬元，單條內存價格能買上海一平米的房產。華強北的16GB DDR4內存條從180元飆升至420元，商戶坦言“一天一個價”。與此同時，三星、SK海力士、美光三大原廠2026年產能均已“售罄”，長期協議（LTA）成為云巨頭鎖定供應的新常態。

而本輪漲價的核心，與過往周期依賴消費電子需求不同，關鍵在于其結構性驅動，也即是于AI算力基建的“吞噬式需求”。

當前單臺AI服務器的內存需求為傳統服務器的8–10倍，直接消耗全球53%的內存月產能，而供給端卻因巨頭將80%先進產能轉向高利潤的HBM和DDR5大幅收縮。這就導致本輪周期的持續性與強度均遠超預期，而這背后是三大結構性變革的共振。

首先是需求側的轉移，大模型“戰爭”進入白熱化之后，不管是比模型參數，還是怎樣讓模型落地，都讓AI服務器、AIPC、邊緣計算等新興場景對存儲性能提出極端要求。

HBM作為AI加速器的“剛需配件”，其帶寬較傳統產品提升數倍，成為巨頭競逐的制高點。北美四大云廠商（Google、Meta、微軟、AWS）2026年AI基建投資規模預計達6000億美元，進一步推高存儲需求。

而為追求更高毛利，原廠集體“棄低追高”，這就導致供給側主動縮容，三星停產DDR4、美光退出英睿達消費級業務，導致成熟制程產能缺口擴大。TrendForce數據顯示，2025年DRAM庫存周期已降至10周（安全閾值為12周），原廠庫存僅2–4周。

高利潤還帶來了技術的迭代加速，尤其是DDR5/LPDDR5X滲透率快速提升，其8000Mbps的速率和低功耗特性成為AI服務器標配。而HBM3E等新一代產品尚未大規模量產，技術壁壘進一步加劇供應緊張。

所以，存儲芯片從電子設備的“成本項”升級為AI基建的“戰略資源”。這種地位的躍遷，使得價格波動直接傳導至終端產品。例如iPhone 17 Pro Max的存儲成本占比從2020年的8%躍升至2025年的15%以上，旗艦手機因存儲漲價普遍上調售價500–1000元。

而在存儲芯片的盛宴中，不同層級的參與業績也得到了釋放。SK海力士2025年第三季度凈利潤同比暴漲119%，三星半導體業務營業利潤增長31.81%。

國內模組廠業績“V型反轉”，江波龍第三季度凈利潤同比激增1994%，佰維存儲預增427%–520%。截至2025年三季度，江波龍存貨達85億元，佰維存儲存貨57億元。SK海力士國內代理商香農芯創營收增長但毛利率降至2.4%，而技術壁壘高的瀾起科技憑借內存接口芯片毛利率達65.7%。

從我國整體市場來看，2026年中國存儲芯片市場規模預計近5000億元，國產廠商在成熟制程領域憑借成本優勢快速補位，國產替代的窗口期已然打開。

例如長鑫科技發布8000Mbps的DDR5產品，并進入小米、OPPO等頭部手機供應鏈；通富微電募資44億元擴產存儲封測產能，年新增84.96萬片等等。

那這個產業鏈具體哪里肉多？誰能吃到最大的蛋糕呢？

02

產業鏈細分價值幾何？

存儲芯片產業正從傳統的強周期行業，躍升為AI基礎設施的核心命脈，必將對產業鏈的全面重構。

尤其對于中國存儲產業鏈而言，這既是應對價格波動的生存之戰，更是邁向高端突破的價值反攻。

首先，上游材料與設備是存儲產業鏈的技術制高點，也是國產替代空間最大的環節。

在AI驅動的超級周期下，高純度硅片、光刻膠、濺射靶材等關鍵材料的供應緊張直接制約全球產能釋放。

寧波江豐電子的超高純金屬濺射靶材已廣泛應用于全球半導體芯片制造環節，其韓國基地建設加速了國產材料的全球化布局。

北方華創的刻蝕、薄膜沉積等核心設備已覆蓋主流存儲類型，還有中微半導體針對先進存儲器件制造的關鍵刻蝕和薄膜工藝實現大規模量產。

中游存儲芯片制造與模組生產是產業鏈的價值中樞，也是當前超級周期中博弈最激烈的領域。

國際原廠憑借技術領先和產能控制成為最大受益者：SK海力士2026年全系列存儲訂單已售罄，HBM產能被AI大客戶提前鎖定；美光2025財年第三季度營收增長37%，HBM收入環比增長近50%。

而國產存儲勢力的崛起正在重塑全球格局，在NAND領域，3D堆疊技術已成主流，長江存儲232層3D NAND良率達95%，320層技術進入量產驗證階段，性能超越三星主流產品，單位比特成本比國際巨頭低20%。

在DRAM領域，長鑫存儲HBM3e良率已達75%，HBM4樣品通過華為昇騰910B驗證，雖然性能略遜國際巨頭15%，但已能滿足國產AI芯片需求。

模組環節呈現量價齊升的爆發式增長。江波龍成功切入阿里、字節等頭部企業AI服務器供應鏈。

佰維存儲則通過自研主控芯片構建完整產品布局。中游企業的業績爆發凸顯了國產存儲從備胎轉向主力軍的價值重估進程。

下游應用環節是存儲芯片價值的最終實現場所，也是成本壓力的直接承受者。

AI服務器是存儲需求爆發的核心牽引力，其單機存儲配置是傳統服務器的數倍。北美四大云廠商2026年AI基建投資規模預計達6000億美元，形成了對存儲芯片的持續性、規模化需求。

與此同時，消費電子領域則陷入兩難境地：手機和PC廠商一方面要應對存儲成本飆升，另一方面要避免過度漲價抑制市場需求。聯想、戴爾等廠商已對產品提價500-1500元，以傳導成本壓力。

終端廠商從過去的準時化生產轉向追求安全庫存，甚至通過長期供應合同、期貨及戰略囤貨等方式保障供應。這種買漲不買跌的心理進一步加劇了供需緊張，形成價格上行的螺旋效應。

在這種背景下，國產存儲產業正迎來政策+市場的雙重機遇。國家大基金三期3440億元注資落地，目標將存儲芯片國產化率從15%提升至30%，重點扶持HBM、存算一體等卡脖子環節。

技術突破構筑的護城河已成為國產存儲價值反攻的核心支撐。長鑫存儲HBM3進入客戶驗證，2026年小規模量產；瀾起科技PCIe 5.0 Retimer芯片在AI服務器滲透率超40%，CXL技術打開第二增長曲線。通富微電募資44億元擴產存儲封測產能，年新增84.96萬片，滿足高端存儲的異構集成需求。

盡管漲勢迅猛，但市場對本輪周期的持續性存在分歧。樂觀派認為供需緊張將持續至2028年，理由包括AI需求剛性、產能建設周期長（新廠需2-3年投產）；謹慎派則預計2026年下半年出現拐點，依據是原廠產能逐步釋放、高價抑制消費需求。

對于國產廠商而言，技術代差仍存，國產HBM尚未規模量產，3D NAND堆疊層數與國際巨頭有1-2代差距；供應鏈安全挑戰，高端光刻膠、光刻機等仍依賴進口，設備國產化率待提升。

但對于中國產業鏈而言，當前機遇大于挑戰。當前最大機會在于：誰能率先構建覆蓋數據—存儲—計算閉環的解決方案，并綁定真實應用場景，誰就能在AI推理、邊緣計算、智能終端等方向建立壁壘，成為存儲時代的終端入口與服務運營商。

更深遠的是，太空存儲概念興起：中國GW星座計劃中的算力衛星搭載存儲模塊，在軌處理遙感數據，將傳輸延遲從8小時壓縮至5分鐘，開辟了萬億級新市場。

十五五規劃明確將存儲芯片列為戰略新興產業，工信部設立專項基金支持存儲產業鏈建設，全面打通從技術研發到規模應用的最后一公里。

種種信號表明，2026年將成為中國存儲產業的價值反攻元年，最終勝出者，絕非僅掌握單一環節的玩家，而是那些真正兼具技術理解力、工程化能力與規模化落地經驗的全棧式整合者，他們將推動中國存儲產業從卡脖子環節躍升為戰略制高點，重塑全球數字經濟權力結構。

03

訂單為王時代下的硬核玩家

當前存儲芯片產業技術路徑清晰，2026年有望成為國產存儲芯片的業績兌現年。在這場大浪淘沙中，誰能率先在“國產替代”剛性需求中實現技術突破與規模化落地，誰就能鎖定未來十年的產業地位。

首先是長鑫存儲，作為國產DRAM的破局者，技術產能雙突破。作為國內規模最大、技術最先進、唯一實現通用型DRAM大規模量產的IDM企業，其發展打破了三星、SK海力士、美光對全球DRAM市場的長期壟斷。

其19nm工藝良率已超95%，并實現DDR5內存最高速率8000Mbps、LPDDR5X速率10667Mbps的突破，躍居世界一流水平。

更關鍵的是其產能與訂單的實質性放量。2025年底月產能已提升至28萬片晶圓，較年初增長21.7%。2025年第三季度，長鑫存儲營收突破120億元，同比增長52%，凈利潤同比增長43%。

其產品已進入浪潮、曙光等國內頭部服務器廠商供應鏈，比亞迪、蔚來等車企也已開始批量采購其車規級DRAM。

作為科創板IPO進程中備受矚目的“存儲第一股”，長鑫存儲憑借其IDM模式對供應鏈的自主可控，已成為國產替代中最確定的龍頭之一。

其次是長江存儲，是國內專注于3D NAND閃存設計制造一體化的IDM集成電路企業，是國產3D NAND閃存領域的基石企業。

其自主研發的Xtacking?架構實現了3D NAND技術的跨越式發展，當前232層產品良率已突破90%，連續讀寫速度超7000MB/s，達到國際一流水平。

其首條全國產化NAND產線于2025年下半年試產，設備國產化率達45%，刻蝕、沉積等核心環節已實現自主替代。

長江存儲2025年在全球NAND市場份額已達到約13%，與長鑫存儲共同構成全球存儲市場的“第四極”。盡管尚未上市，但2026年快速上市，也是極有可能的。

其次是兆易創新，作為全球唯一一家在NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM和MCU領域均排名全球前十的集成電路設計公司，采用Fabless模式。與長鑫存儲形成“兄弟協同”——前者沖鋒市場，后者攻堅技術。

2025年，兆易創新預計向長鑫科技采購金額達11.61億元，承接國際廠商退出的DDR3/DDR4轉單需求。

公司利基型DRAM產品量價齊升，毛利率季度環比改善明顯。其業績增長極具彈性，2025年上半年，公司在存儲與計算、手機、汽車、消費等多領域均實現收入和銷量的同比快速增長。

2026年1月，兆易創新已成功登陸港股，完成“A+H”雙平臺資本布局，為其后續發展提供了更強的資本支持。

還有瀾起科技，全球內存接口芯片的領導者，按收入計算，2024年其全球市場份額達36.8%，是全球最大的內存互連芯片供應商，深度受益于AI服務器推動的DDR5滲透率提升。

公司的護城河在于其技術標準主導權，其主導了HBM3E協議標準，并布局PCIe Retimer、CXL MXC等匹配AI時代算力需求的新產品。

2025年上半年，公司實現凈利潤11.59億元，同比增長率達到95%，顯示出極強的盈利能力。瀾起科技也已通過港交所聆訊，即將實現“A+H”上市，有望獲得更高估值溢價。

最后是江波龍以及佰維存儲，作為模組環節黑馬，業績爆發式增長。江波龍2025年第三季度實現歸母凈利潤6.98億元，同比增長近20倍，全年業績預告也十分亮眼。

佰維存儲則發布了存儲板塊首份亮眼的年報預告，預計2025年度實現歸母凈利潤8.5億元至10億元，同比大幅增長427.19%至520.22%。

公司ePOP產品供貨Meta AI眼鏡，企業級SSD訂單暴增200%，顯示出在高端細分市場的突破。

這兩家企業代表了國產存儲模組廠商從“渠道販子”向“技術集成商”的升級，其業績高增長已驗證了國產替代的邏輯正加速兌現。

2026年將是存儲芯片行業的大分化之年。缺乏核心技術、無法獲得穩定訂單的企業將被出清。

而像長鑫存儲、長江存儲、兆易創新、瀾起科技、江波龍、佰維存儲這樣有技術、有產能、有訂單的硬核玩家，將穿越周期，成為國產存儲崛起之路上的第一批“登頂者”。

未來十年，誰掌控了數據存儲的“底層基座”，誰就握住了數字經濟的命脈。