天津
（全球TMT2026年4月14日訊）國內化合物半導體龍頭三安光電，正依托碳化硅、金剛石等寬禁帶材料的全鏈布局，從材料源頭切入先進封裝，直擊高功率芯片的散熱痛點。三安光電旗下湖南三安聚焦碳化硅中介層、熱沉散熱、AR光學襯底三大方向，多項成果已進入送樣或批量交付階段。
當前主流的CoWoS封裝技術中，硅中介層在高功率場景下散熱能力捉襟見肘。碳化硅熱導率約為硅的3倍，可將GPU芯片結溫降低20–30°C，散熱成本下降約30%。三安光電已實現12英寸碳化硅襯底的研發與小批量送樣。隨著封裝集成度提升，熱管理已從輔助環節升級為核心痛點。三安光電采用碳化硅、金剛石雙路線并行策略。其研發的金剛石熱沉基板在大功率激光器中較傳統陶瓷基板熱阻降低81.1%。此外，作為同時擁有Micro LED與12英寸碳化硅光學材料的企業，三安光電的碳化硅光學襯底面型參數行業領先，已向多家國內外終端及光學元件廠商小批量交付。三安光電已構建湖南、重慶雙基地協同的碳化硅全鏈產能矩陣。
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