上海
據(jù)報(bào)道，中國(guó)最大NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，計(jì)劃在今年即將完工的一座晶圓廠基礎(chǔ)上，再建兩座工廠，三座晶圓廠全部投產(chǎn)后，其產(chǎn)能將翻一番以上。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)目前擁有兩座晶圓廠，每月合計(jì)可生產(chǎn)20萬(wàn)片晶圓。三座新工廠全面投產(chǎn)后，每座工廠的月產(chǎn)能均可達(dá)到10萬(wàn)片晶圓。
據(jù)悉，第三家工廠位于武漢，與前兩家工廠同址，預(yù)計(jì)于今年晚些時(shí)候投產(chǎn)。大樓已經(jīng)竣工，目前正在安裝設(shè)備。
該工廠超過(guò)50%的設(shè)備來(lái)自國(guó)內(nèi)公司，包括用于芯片層垂直堆疊的關(guān)鍵設(shè)備。
三家新工廠都將分配一部分產(chǎn)能用于DRAM生產(chǎn)，具體產(chǎn)能將取決于該長(zhǎng)江存儲(chǔ)在開(kāi)發(fā)這些芯片方面的進(jìn)展。
據(jù)Counterpoint數(shù)據(jù)，2025年第三季度，長(zhǎng)江存儲(chǔ)全球NAND出貨量份額首次突破13%，直逼世界第4的美光科技。
隨著三期項(xiàng)目全面投產(chǎn)，其年產(chǎn)量有望從2025年的177萬(wàn)片增至2026年的近200萬(wàn)片。
值得一提的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)基于Xtacking 4.0架構(gòu)的294層3D TLC NAND已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，存儲(chǔ)密度達(dá)20Gb/mm2，讀寫(xiě)速度超過(guò)7000MB/s，良率突破90%，性能指標(biāo)已與國(guó)際主流產(chǎn)品相當(dāng)。
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