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三星電子正式對外披露，公司計劃最早于2026年5月生產出首批符合英偉達標準的HBM4E（高帶寬內存4E）樣品，進一步鞏固在高端AI內存市場的領先優勢，應對來自美光、SK海力士等競爭對手的挑戰。HBM作為AI芯片的核心配套組件，主要用于高端GPU、AI加速器等產品，隨著人工智能技術的快速發展，市場對HBM的需求持續激增，尤其是HBM4及以上高端產品，成為全球半導體企業競爭的核心焦點。
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據悉，三星此次研發的HBM4E采用1c nm DRAM Die和4nm Base Die工藝，相比目前主流的HBM4產品，帶寬提升20%以上，功耗降低15%，單顆容量可達24GB，能夠更好地滿足英偉達下一代GPU對內存帶寬和容量的需求。
目前，三星已完成HBM4E的核心技術研發，正在推進生產線調試和樣品測試工作，預計2026年下半年實現批量生產，2027年占據全球HBM4E市場份額的50%以上。
與此同時，三星還在同步推進HBM5的研發工作，計劃2028年推出HBM5樣品，進一步擴大在高端AI內存市場的優勢。業內數據顯示，2025年全球HBM市場規模達300億美元，預計2026年將增長至450億美元，年增長率達50%，其中HBM4及以上高端產品占比將超過70%。
目前，三星、美光、SK海力士占據全球HBM市場的99%以上份額，其中三星占比達52%，處于領先地位。此次加速HBM4E研發，將進一步鞏固三星的市場地位，同時為全球AI產業的發展提供核心硬件支撐。
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