公司動態

　　在全球半導體產業新一輪上行周期中，長鑫科技集團股份有限公司已成為中國大陸DRAM領域擴張勢頭最為強勁的代表性企業。根據其于2026年5月17日更新的科創板IPO招股說明書，該公司在2026年第一季度實現營業收入508億元人民幣，歸屬于母公司股東的凈利潤為247.6億元，并預計上半年歸母凈利潤將在500億至570億元區間內。橫向對比來看，同期韓國SK海力士存儲業務營收約為2700億元人民幣，三星電子相關業務則達3800億元人民幣。由此可知，長鑫科技單季度營收規模已接近SK海力士的五分之一，展現出極強的成長勢能與市場競爭力。

　　從業務定位出發，長鑫科技與SK海力士高度相似，均屬于以DRAM為核心產品的垂直整合制造商（IDM），覆蓋芯片設計、晶圓制造及封裝測試全鏈條。區別在于，SK海力士約三成收入來自NAND閃存，而長鑫科技目前專注于純DRAM業務路徑。這種聚焦策略使其在細分賽道中快速積累技術能力與量產經驗，逐步確立起“中國海力士”的行業形象。在全球長期由三星、SK海力士與美光主導的存儲格局中，長鑫科技是近十余年來最具成長潛力與現實威脅的新銳力量。

　　DRAM芯片制造流程極為精密復雜，涵蓋數百道工序，包括刻蝕、薄膜沉積、化學機械拋光（CMP）、清洗、檢測等關鍵環節，每一環節均需匹配專用設備與高性能材料。招股書顯示，長鑫科技已完成從DDR4到DDR5的全系產品升級，毛利率亦由兩年前的負值（-112%）躍升至40%以上。這一結構性轉變的背后，是其供應鏈體系日趨成熟所給予的堅實支撐。行業資深工程師蔣彬指出，長期以來，國產設備廠商面臨的核心瓶頸并非技術儲備不足，而是缺乏在真實量產環境中進行充分驗證的機會；而長鑫科技與長江存儲持續的大規模擴產計劃，恰恰為上游設備企業提供了不可多得的產業化試驗場。

　　在DRAM產線資本開支結構中，刻蝕與薄膜沉積設備合計占比約50%，位居首位；光刻設備緊隨其后；量測檢測設備約占總支出的12%–15%。盡管應用材料、泛林集團、東京電子等國際巨頭仍占據全球主導地位，但國產設備在國內存儲產線的滲透率正快速提升。據產業鏈人士透露，長鑫科技當前國產設備整體占比已達四至五成；長江存儲武漢三期工廠的國產設備采購比例更超過一半，其中核心工序國產化率已突破60%。不過，各環節進展并不均衡：CMP與清洗設備國產化程度較高；刻蝕與薄膜沉積正處于高速滲透階段；而量測檢測、涂膠顯影等環節仍是國產替代的薄弱地帶，亦是未來重點攻堅方向。

　　刻蝕設備的技術門檻尤為突出，其核心性能指標“深寬比”直接決定電路微結構的精度極限。北方華創作為國內產品譜系最廣的設備廠商，2025年刻蝕與薄膜沉積設備收入雙雙突破百億元，立式爐與PVD設備交付量均超1000臺。中微公司則在超高深寬比刻蝕領域取得重大突破，其自主研發設備已有300余臺反應器投入量產，下一代90:1低溫刻蝕機及第二代ICP刻蝕設備分別實現90:1與140:1的刻蝕成果——這意味著可在納米級寬度溝槽中完成近百倍乃至百四十倍深度的精準加工，已具備支撐最新一代DRAM量產的能力。

　　薄膜沉積方面，拓荊科技表現搶眼。2026年一季度，公司營收達11.12億元，同比增長57%；歸母凈利潤5.71億元，成功實現扭虧為盈。2025年全年，其PECVD設備收入51.42億元（+75%），ALD設備收入3.01億元（+192%）。國家集成電路產業投資基金三期首個產業投資項目即投向其子公司拓荊鍵科，聚焦先進鍵合設備研發。此外，華海清科于2026年4月交付第1000臺CMP設備，占據國產CMP市場九成以上份額；精智達自主研發的高速FT測試機速率高達每秒90億比特，超越日本愛德萬主力機型，并于年初斬獲13.11億元大額訂單，覆蓋DRAM與HBM全流程測試。

　　隨著產能持續擴張，設備采購需求迎來爆發期。據悉，長鑫科技已于2026年第二季度啟動新一輪設備招投標，全年計劃新增晶圓產能5萬至6萬片，對應設備采購金額預計達350億至430億元。疊加IPO募投項目中明確列支的220.66億元設備購置及安裝費用，以及長江存儲2號廠房同步開啟的工藝設備招標，國內兩大存儲龍頭已共同步入設備采購高峰期，為國產設備廠商帶來歷史性機遇。

　　材料端的國產化進程同樣提速明顯。長鑫科技2025年原材料采購總額約114.7億元，其中化學品占比最高（37.29%），其次為光阻劑（12.16%）、硅片（8.55%）及電子特氣（5.10%）。前驅體作為ALD/CVD工藝的關鍵原料，在DRAM電容器制造中用量巨大，且隨工藝迭代呈上升趨勢。雅克科技作為國內該領域領軍企業，其江蘇工廠前驅體國產化項目已完成客戶端驗證，進入批量試生產階段。安集科技一季度營收創歷史新高，多款鎢基拋光液已在先進制程中穩定上量；電子特氣方面，華特氣體、金宏氣體等瓶裝氣供應商加速滲透，廣鋼氣體、正帆科技等也在大宗現場制氣領域穩步推進。

　　值得關注的是，國產化導入已切實轉化為成本優勢。以2023年為基準，至2025年，長鑫科技硅片采購單價下降約30%，靶材下降約22%，備件降幅接近47%，化學品采購成本亦降低約26%。公司在招股書中明確將“加大國產供應商導入力度”列為降本增效的重要舉措，旨在同步強化供應鏈韌性與成本競爭力。

　　業內普遍認為，制約國產設備與材料發展的根本癥結，在于缺乏規模化量產驗證場景。深圳某存儲企業市場負責人周勇輝指出，這曾形成典型的“雙循環困境”：因缺少頭部客戶訂單，企業難以持續投入研發；研發不足又導致產品性能難以達標，進而進一步失去訂單機會。長鑫科技與長江存儲憑借其標準化制造平臺與穩定擴產節奏，實質上構建了一個高效可靠的國產化驗證閉環。由于存儲芯片工藝平臺高度統一，一旦設備或材料在某一代平臺上完成驗證并導入，后續產能復制即可快速鋪開，極大縮短商業化周期。

　　數據顯示，長鑫科技當前量產的第四代平臺國產設備參與度尚不足20%，但正在開發的新一代平臺，國產化比例有望躍升至40%以上。這意味著，未來每新增1萬片月產能，國產設備廠商所能獲得的訂單份額將是此前的兩倍左右。截至2025年底，公司月產能約為28萬至29萬片12英寸晶圓，而要滿足國內市場需求，目標產能需提升至80萬片，中間存在約50萬片的巨大缺口。按照行業慣例，每新增1萬片月產能需配套約70億元設備投資測算，潛在設備總投資規模可達數千億元。若新一代平臺國產化率如期突破40%，僅IPO募投中的220億元設備預算，就將為國產設備企業帶來近百億元訂單增量。

　　據Omdia預測，全球DRAM市場規模將由2025年的1505億美元增長至2030年的5710億美元，年均復合增長率超30%。在此背景下，長鑫科技2026年一季度全球市場份額已達9.7%，相較2025年二季度的3.97%實現跨越式提升。公司亦在招股書中強調“發揮產業鏈鏈主引領作用”，致力于推動供應鏈本土化、多元化發展。可以預見，隨著長鑫科技產能持續攀升與國產化率穩步提高，整個中國半導體設備與材料產業將迎來前所未有的結構性發展機遇。

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