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（來源：晶升股份）
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聚焦主業
聚焦主業 多元突破
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在半導體制造、航空航天等高端領域，關鍵零部件長期暴露于超高溫、強腐蝕、高磨損的極限工況環境中。普通防護材料難以滿足長期可靠性要求，而碳化鉭（TaC）涂層憑借其卓越的耐溫性、化學惰性與高純凈度，成為化合物半導體長晶與外延工藝中不可或缺的防護解決方案。
01
碳化鉭TaC涂層技術概述
碳化鉭（Tantalum Carbide, TaC）涂層是一種超高溫陶瓷涂層材料，通過化學氣相沉積（CVD）工藝，在石墨、陶瓷等基體表面形成致密、均勻的防護層。
六項核心性能，定義了它的不可替代性——
熔點：3880℃，可在2400℃長期穩定服役
硬度：15–20 GPa（莫氏9–10，接近鉆石）
耐腐蝕：化學惰性極強，耐受強酸、強堿、H?、NH?、SiH?及腐蝕性等離子體
熱導率：22 W/(m·K)
熱膨脹系數：6.6×10??/K
純度：涂層致密無孔，雜質含量＜50ppm
02
產品核心應用場景
01
SiC單晶PVT生長:高純凈屏障
SiC單晶生長采用物理氣相傳輸（PVT）法，典型工藝溫度2200-2400℃，真空或惰性氣氛。石墨坩堝、加熱器等部件在高溫下易發生氧化、粉化、雜質析出，導致晶體缺陷（微管、位錯）升高，良率下降。
TaC涂層件的技術價值：
·耐溫耐蝕：2400℃下長期穩定，隔絕高溫腐蝕介質，石墨部件壽命延長3–5倍；
·高潔凈度：涂層致密無孔，雜質含量<50 ppm，有效阻隔石墨雜質遷移，提升單晶質量與一致性；
· 熱場穩定：涂層熱導率與石墨基體匹配，避免熱場畸變，溫場均勻性提升~15%。
02
MOCVD外延:工藝氣氛的守護者
GaN基MOCVD外延工藝中，反應腔內壁、石墨基座、氣體噴淋頭等部件長期暴露于NH?（腐蝕性）、TMGa（金屬有機物）、H?（高溫還原氣氛）環境中，無防護涂層時存在顆粒脫落、工藝污染等風險。
TaC涂層件的核心優勢：
· 強化學惰性：耐受NH?、SiH?等腐蝕性氣體，不與反應氣體發生反應，保障外延薄膜純度；
· 耐磨抗沖刷：硬度15–20 GPa，能抵御工藝氣體高速沖刷，降低顆粒雜質產生，減少器件缺陷；
·定制化適配：可根據設備需求，在不同石墨基體上沉積可控厚度涂層，適配各類外延部件。
03
01 | 產品核心優勢
· 涂層均勻致密：厚度精準控制于30–50 μm，無針孔、無裂紋，附著力強；
· 超高純度：雜質含量<50 ppm，滿足半導體、航空航天等領域的超潔凈要求；
·大尺寸適配：可適配直徑達720 mm的大尺寸部件，覆蓋主流設備規格。
02 | 依托自研裝備的閉環驗證體系
公司深耕SiC長晶設備與外延設備領域，擁有完整的工藝驗證平臺。TaC涂層件研發與驗證可在自有的長晶爐、外延爐平臺上直接完成，確保涂層性能數據來自真實生產工況，而非實驗室理想條件。
驗證體系優勢：
· 快速驗證：涂層制備完成后，直接上機實測耐溫、抗腐蝕、防污染等關鍵性能；
·快速迭代：實測發現問題可立即調整工藝參數，優化周期短；
·工藝匹配：基于對公司設備與工藝的深度理解，可針對不同型號設備精準優化涂層指標，而非提供通用型產品。
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隨著第三代半導體產業向大尺寸（8-12英寸SiC）、高均勻性（MOCVD大面積均勻外延）方向快速發展，裝備關鍵零部件在極端工況下的長期可靠性成為制約工藝良率提升的重要瓶頸。TaC涂層技術憑借其極致的耐溫性、化學惰性和高純凈度，為SiC長晶與化合物半導體外延工藝提供了經過工程驗證的防護方案。本公司依托自身在SiC裝備領域的深厚積累，將TaC涂層技術應用于真實生產工況的閉環驗證，持續迭代優化涂層性能，致力于為行業提供更可靠、更長效的裝備防護解決方案。
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