5月25日,在2026國際電路與系統研討會上,華為公司董事、半導體業務部總裁何庭波在《半導體新路徑探索與實踐》的主題演講中,正式發布“韜(τ)定律”。
受消息影響,5月25日,半導體相關概念股集體大漲,其中先進封裝概念漲幅居前,板塊指數大漲7.04%。個股方面,甬矽電子(688362.SH)漲20%,欣中科技(688352)漲15.67%;此外,通富微電(002156.SZ)、晶方科技(603005.SH)、華天科技(002185.SZ)等個股收獲10CM漲停。
![]()
韜定律問世,國產半導體加速突圍
據了解,“韜定律”是以“時間縮微”替代傳統的“幾何縮微”,以系統性降低時間常數(韜 τ)為核心目標,通過邏輯折疊等一系列創新技術,持續壓縮信號傳播時延,不斷提升晶體管密度,從而實現半導體與電子系統的可持續演進。
近年來,摩爾定律正面臨物理極限和經濟效益的雙重挑戰。隨著晶體管尺寸不斷逼近原子級別,傳統的“幾何微縮”路徑已明顯放緩,芯片制造成本呈現指數級上升,成本紅利逐漸消退。
在此背景下,華為提出了“韜定律”,有望攻克行業發展難題。據華為介紹,基于這一理論指導,華為此前已成功設計并量產381款新品,覆蓋通信、計算、終端等多個領域。此外,華為將于今年秋季發布的新一代麒麟芯片,進一步采用了邏輯折疊技術,性能有望大幅提升。
值得一提的是,這是中國在全球半導體領域首次提出指導產業發展的新原則。基于“韜定律”的技術創新將持續推進,華為公司預計到2031年,采用該技術路線的高端芯片晶體管密度將達到傳統1.4納米制程的同等水平。
業內人士表示,韜定律的公布,意味著在制造工藝之外的一條新道路,可以在不升級工藝的前提下,持續提升芯片的性能和功耗表現。通過設計創新和系統優化來彌補工藝短板,讓成熟制程也能產出高端性能。這不僅能降低對尖端光刻機的依賴,更可以盤活國內龐大的成熟產能,為自主可控的芯片供應鏈注入新動能。
半導體景氣上行,先進封裝成核心發力點
近段時間以來,半導體賽道持續活躍,半導體設備、集成電路封測、數字芯片設計、集成電路制造、模擬芯片設計、半導體材料等細分領域輪番上攻。受“韜定律”消息刺激,5月25日,先進封裝概念漲幅明顯,板塊指數大漲7.04%。
在機構看來,AI算力需求激增,以及關鍵領域國產替代加速推進,是行業高景氣的重要推動因素。數據顯示,半導體行業2025年和2026年第一季度延續復蘇向上的趨勢,行業整體業績實現較快增長,且利潤端表現明顯優于收入端,行業景氣度持續提升。
與此同時,高性能算力芯片、先進制程及先進封裝等方向需求旺盛,并逐步向上游設備、材料、零部件等產業鏈環節傳導,帶動半導體全產業鏈進入新一輪景氣上行周期。
在眾多細分領域中,先進封裝方向被機構廣泛看好。研究機構Yole在報告中指出,先進封裝已成為驅動半導體市場增長的核心力量。華泰證券表示,為了滿足快速增長的AI芯片需求,頭部半導體制造企業一方面加大自身的設備投資,另一方面加大與產業鏈企業在成熟工藝代工和先進封裝上的合作力度,“硅光”有望成為半導體代工企業的新增長點。
長電科技(600584.SH)持續加大先進封裝領域的投入,全面覆蓋主流技術路線,通過不斷優化技術布局與工藝,構建起多層次的封裝與測試能力,可滿足多個應用領域的需求。長電科技在2025年年報中指出,在高性能先進封裝領域,公司 XDFOI?芯粒高密度多維異構集成系列工藝已進入量產階段。該公司基于XDFOI?平臺開發的硅光引擎產品已完成客戶樣品交付并通過驗證,目前已在封裝集成、熱管理及可靠性驗證等核心環節與多家客戶開展合作。
通富微電2025年在先進封裝領域取得重要進展,SIP技術建立了薄Die Hybrid SiP雙面封裝能力;Memory技術完成了高疊層封裝結構的開發,有力地支持了客戶的產品計劃;FCBGA完成了超大尺寸、多芯片合封關鍵技術及極致熱管理解決方案開發及批量量產;功率半導體封裝技術完成了TOLT、QDPAK頂部散熱產品技術的開發,進入產業化。
特別聲明:以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發布,本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.