2026年6月10日，北京華卓精科科技股份有限公司（下稱“華卓精科”）宣布，其自主研發(fā)的W2W熔融鍵合裝備成功交付客戶。這是繼2026年2月4日公司D2W芯粒混合鍵合裝備交付武漢客戶后，華卓精科在先進(jìn)封裝鍵合領(lǐng)域的又一重要里程碑，標(biāo)志著中國在HBM制造、Chiplet異構(gòu)集成等關(guān)鍵裝備的自主化道路上邁出堅(jiān)實(shí)一步。

在人工智能算力需求爆發(fā)性增長的背景下，先進(jìn)封裝技術(shù)已成為延續(xù)摩爾定律、提升芯片性能的關(guān)鍵。據(jù)Yole數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模有望從2024年的460億美元提升至2030年的794億美元，年復(fù)合增長率達(dá)9.5%。

熔融鍵合技術(shù)作為三維集成電路堆疊的核心工藝，正迎來前所未有的市場(chǎng)機(jī)遇。當(dāng)前我國在先進(jìn)封裝設(shè)備尤其是HBM產(chǎn)業(yè)鏈中的國產(chǎn)化率不足5%，國產(chǎn)替代空間巨大。華卓精科此次W2W熔融鍵合裝備的成功交付，正是對(duì)這一市場(chǎng)缺口的精準(zhǔn)回應(yīng)。

在3D IC與HBM制造方面，熔融鍵合技術(shù)用于垂直堆疊多層DRAM芯片，實(shí)現(xiàn)超高帶寬互連，滿足AI訓(xùn)練對(duì)數(shù)據(jù)吞吐能力的極致需求。在Chiplet異構(gòu)集成方面，它可將不同工藝節(jié)點(diǎn)的小芯片集成于同一封裝內(nèi)，實(shí)現(xiàn)晶圓間的牢固結(jié)合。此外，該技術(shù)還廣泛應(yīng)用于CMOS圖像傳感器背照式結(jié)構(gòu)制備及SOI晶圓批量制造。

然而熔融鍵合技術(shù)門檻極高。隨著互連線尺寸縮小，對(duì)準(zhǔn)精度須控制在3um以內(nèi)；鍵合界面的空洞和微粒污染會(huì)直接導(dǎo)致芯片失效；TSV工藝產(chǎn)生的晶圓局部應(yīng)變會(huì)影響鍵合質(zhì)量；同時(shí)，為避免損傷溫度敏感器件，鍵合需在200℃至400℃的溫度條件下完成。

華卓精科依托源自清華大學(xué)的20余年超精密測(cè)控技術(shù)積累，成功攻克了高精度對(duì)準(zhǔn)、界面缺陷控制、晶圓翹曲管理及低溫工藝等一系列核心技術(shù)難題。公司基于納米級(jí)超精密運(yùn)動(dòng)平臺(tái)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了晶圓間的高精度對(duì)準(zhǔn)，滿足先進(jìn)制程要求。

面向HBM芯片制造核心環(huán)節(jié)，華卓精科已自主研發(fā)出多款系列高端裝備，包括：混合鍵合裝備（UP-UMA?HB300）、熔融鍵合裝備（UP-UMA?FB300）、激光剝離裝備（UP-LLR-300）、激光退火裝備（UP-DLA-300）等。這一系列自主化裝備矩陣的成型，標(biāo)志著華卓精科已具備提供先進(jìn)封裝關(guān)鍵制程中成套裝備解決方案的能力。

在客戶認(rèn)可與服務(wù)方面，華卓精科采用定制化開發(fā)與標(biāo)準(zhǔn)化銷售相結(jié)合的模式。對(duì)新客戶或新工藝，先通過技術(shù)開發(fā)合同進(jìn)行工藝驗(yàn)證；對(duì)成熟工藝，則直接銷售標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)備。公司面向HBM制造、Chiplet集成等前沿應(yīng)用的鍵合設(shè)備，已獲得產(chǎn)業(yè)客戶的認(rèn)可與采用。

面對(duì)當(dāng)前地緣政治影響下高端半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)入中國市場(chǎng)日益困難的局面，華卓精科以自主創(chuàng)新的W2W熔融鍵合裝備，服務(wù)于中國HBM及先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。從D2W到W2W的連續(xù)交付，華卓精科正用實(shí)際行動(dòng)證明中國企業(yè)在高端半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域的自主創(chuàng)新能力，在這場(chǎng)全球半導(dǎo)體裝備競賽中加速奔跑