2025-2026年，半導體設備行業出現了新風向。一批半導體設備商正密集推出面向方形基板的新裝備，從光刻、量測、CMP、去膠、電鍍到激光通孔、狹縫涂布、玻璃金屬化，"面板級封裝"（Panel Level Packaging, PLP）正在設備端形成一個新的細分賽道。而這一次，國產設備商沒有缺席。

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先進封裝開始“化圓為方”

SEMI發布的報告顯示，2026年第一季度全球半導體設備出貨金額同比增長14%，達到365.5億美元，環比增長1%。創紀錄的季度銷售額由持續的AI相關投資驅動，包括支持先進邏輯芯片、DRAM和先進封裝的產能擴張和技術升級。

而CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）是當前全球 AI/HPC 高端芯片封裝的主流方案。2025 年 CoWoS 占據2.5D/3D 先進封裝技術的69%市場份額。該技術是臺積電（TSMC）開發并主導的一種2.5D先進封裝技術。該技術于2011年宣布研發，其核心是通過硅中介層集成邏輯芯片與高帶寬存儲器（HBM）等異構芯片，再與有機基板互連，實現高密度、高性能的系統級集成，能有效提升帶寬、降低功耗與延遲。CoWoS目前主要應用于人工智能（AI）、高性能計算（HPC）及數據中心等領域，英偉達、AMD、谷歌等公司的多款高端AI芯片均廣泛采用此技術。

此外，由于AI芯片越來越大、設計越來越復雜，傳統的圓形晶圓在面積利用率和封裝效率逐漸受限，因此開始走向“以方代圓”，以面板取代晶圓，將芯片排列在矩形基板上，最后再通過封裝制程連接到底層的載板上，讓多顆芯片可以封裝一起，也就是CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）。

面板級封裝最核心的技術優勢在于以方形面板替代圓形晶圓，從而大幅提升材料利用率。以標準的610mm × 457mm印刷電路板為例，其面積約為300毫米晶圓面積的4倍。理論上，單批次可制造4倍于晶圓級封裝數量的封裝件。此外，芯片本身呈方形，將其排列在矩形面板基板上，相較于圓形晶圓的邊緣浪費，空間利用率得到進一步優化。

半導體行業遵循“一代材料、一代工藝、一代裝備”的規律。隨著先進封裝“以方代圓”，設備商的前置布局已經全面啟動。

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國際巨頭布局面板級封裝

面板級封裝需要經過基板準備、光刻膠涂布、曝光/光刻、顯影、去膠（Descum）、種子層沉積、電鍍、CMP平坦化、TGV通孔、通孔金屬化、量測檢測等工序。其工藝鏈與晶圓級封裝（WLP）看似相似，實則每一步有所不同。為了匹配更大的翹曲、更大的面積、更大的材料形變，面板級封裝從涂布到檢測，幾乎每一類設備都需要重新設計。

而在這條工藝鏈上，國際巨頭已經率先卡位。國際巨頭憑借在晶圓級設備領域的技術積淀，正布局全鏈條工藝，構建生態壁壘。

光刻與量測：Onto Innovation的JetStep S3500光刻系統專為面板級先進封裝生產設計。該系統能夠處理由貼裝精度誤差、CTE（熱膨脹系數）失配及面板翹曲所導致的芯片偏移。它擁有大曝光場（59.4 × 59.4 mm），分辨能力可達 2/2 μm 線寬/線距（L/S），并可選配提升至 1/1 μm 的分辨率。此外，系統支持多種曝光波長，非常適合使用新型光敏聚合物進行工藝開發。針對特定應用的選項包括翹曲面板處理、實時光學對焦，以及芯片偏移校正，從而確保面板級封裝的精確性與可靠性。ASML、尼康佳能、牛尾（Ushio）、SCREEN等廠商也在布局相關產品。

RDL設備：Manz 亞智科技成功交付全球首臺310mm × 310mm面板級封裝（PLP）電化學沉積（Electrochemical Deposition, ECD）量產設備。全新ECD平臺可靈活支援玻璃與金屬方形載具，并整合重布線層（RDL）關鍵濕制程技術，提供應用于FOPLP、CoPoS、TGV等先進封裝架構的量產解決方案。以ECD設備為核心，Manz亞智科技此次出機還進一步整合清洗、顯影、蝕刻及剝膜等關鍵濕制程設備，并支援旋轉噴灑（Spin）與面噴灑（Spray）雙制程模式，形成完整的面板級RDL制程解決方案Omni 310x。Omni 310x (310mm × 310mm) 正式加入既有Omni 510x（510mm × 515mm）及Omni 700x（700mm × 700mm）系列，形成完整的面板級量產平臺布局。通過模組化設計架構與彈性自動化整合能力，可依不同客戶的產品架構、封裝技術與產能需求進行客制化配置，提供更具彈性的技術路徑，支援從研發驗證、試量產到大規模生產的各階段需求。

激光通孔：德國通快集團與德國SCHMID 集團合作開發了“激光蝕刻+濕法化學處理”工藝。該工藝首先利用通快的TruMicro系列超短脈沖激光器與TOP Cleave玻璃加工專用激光聚焦頭，有選擇性地對玻璃做改性處理；隨后再用蝕刻溶液刻蝕掉經過激光改性的區域，生成所需要的高精度通孔。

此外，Applied Materials、Lam Research、TEL、KLA這些前道設備巨頭均已將面板級封裝納入先進封裝戰略。

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國產設備密集“交卷”

在國際巨頭構建生態壁壘的同時，國產設備商也并未缺席，搶抓新賽道的入場券。2025年至2026年，國產設備商在面板級封裝的關鍵工藝節點上，正從"驗證"走向"出貨"。

華海清科拿下國內首臺量產訂單

在面板級封裝中，CMP工藝直接決定介質層與金屬層的平坦度、缺陷水平及界面質量，是保障互連可靠性及最終芯片性能與良率的核心環節。華海清科自主研發的國內首臺510*515mm尺寸全自動板級CMP量產裝備Master-P510APEX已成功獲得先進封裝領域重要客戶訂單，將按計劃進入客戶端產線投入量產應用。這標志著國產高端裝備在先進封裝核心工藝上取得了關鍵性突破，也是華海清科CMP裝備技術從晶圓級向板級延伸的重要里程碑。

北方華創發布板級封裝專用工藝裝備，首臺面板級封裝Descum設備出廠

在半導體制造流程中，Descum工藝是影響產品良率與生產效率的重要環節。近日，北方華創首臺600mm×600mm面板級封裝去膠設備(Descum)成功出廠。

其板級封裝Descum設備主要用于板級封裝領域的等離子體去膠、殘留物去除，表面改性和處理等干法工藝，最大可處理600mm×600mm尺寸基板。針對PI、PR、ABF等高溫敏感材料，板級封裝Descum設備搭載主動降溫系統，可將基板溫度穩定控制在75℃以內，大幅提升良品率。設備基于動態電極間距調節技術，可根據PI、PR、ABF等材料不同的工藝需求，實時優化等離子體分布狀態，這不僅讓大板面上的去膠效果高度均勻一致，拓寬了工藝窗口；同時顯著縮短單批工藝時間，讓單位產出更高。

除了去膠設備，北方華創今年三月發布的板級封裝PVD設備專用于板級封裝領域的TGV和RDL工藝，支持粘附層、種子層等金屬的沉積，最大可處理600mm×600mm尺寸基板。板級封裝PVD設備采用北方華創真空自主設計的大產能集群式cluster架構，基于成熟的大翹曲基板傳輸系統控制，最多可同時掛載10個腔室，在實現高集成度的同時顯著優化空間占用。針對不同工藝路線，設備可靈活掛載PVD、Degas、Preclean、Flipper以及Cooling等多種腔室，滿足多樣化的鍍膜需求。優異的磁場控制方案可實現超高靶材利用率，有效降低耗材成本，同時高沉積效率使單臺設備產能得到大幅提高。

同期發布的板級封裝PIQ設備基于晶圓級PIQ技術開發，主要用于板級封裝領域的PI光膠固化工藝，最大可處理510mm×515mm尺寸基板。板級封裝PIQ設備采用立式大管徑爐體加熱技術，可將溫度均勻性控制在±3℃以內，從源頭保障PI固化質量。自主開發的控氧及Particle技術，可快速將工藝腔室及Loading區域氧含量控制到10ppm以下，Particle控制達到晶圓級水平，有效防止PI氧化、保障膜層性能的同時，為探索更小線寬的精密封裝工藝提供更多可能。

盛美上海卡位濕法與電鍍

電鍍設備用于先進封裝中的RDL（重布線層）制造、TSV（硅通孔）填充等工序。2025年，盛美上海向面板制造客戶交付首臺水平式面板電鍍設備Ultra ECP ap-p。該系統采用ACM專利申請保護的水平電鍍技術，并支持銅、鎳、錫銀及金等多材質電鍍工藝。其中，銅電鍍腔體配備了專為高凸柱應用設計的高速電鍍槳葉，能夠實現超過300微米的凸柱高度。Ultra ECP ap-p設備采用四邊密封干式接觸卡盤以提升可靠性，配備電鍍腔內清洗功能以最大限度減少不同電鍍腔之間的化學交叉污染，并采用水平電鍍設計——通過同步旋轉卡盤與旋轉矩形電場實現卓越的膜厚均勻性。

其還獲得了來自中國大陸外某全球頭部半導體封裝廠商的一臺面板級先進封裝負壓清洗設備訂單，于2026年第一季度交付。此次獲得的面板級先進封裝設備訂單，產品為盛美自主研發的Ultra C vac-p面板級負壓清洗設備（全球專利申請保護中），專為應對先進扇出型面板級封裝（FOPLP）及精細間距互聯所帶來的嚴苛制程需求而設計。該設備通過真空環境下的藥液滲透能力，提升雜質清洗效率與制程均勻性，保障復雜2.5D與3D集成方案的良率與可靠性。該設備支持310x310毫米，510×515毫米、600×600毫米等大小尺寸面板規格，可滿足下一代器件架構的規模化量產需求。

大族半導體、帝爾激光布局激光通孔TGV設備

玻璃基板憑借超低翹曲、高絕緣性、優良熱穩定性，被英偉達、英特爾、三星等巨頭視為下一代AI封裝的核心載體。而TGV通孔設備，則是玻璃基板量產的第一道關卡。

大族半導體研發的TGV玻璃通孔設備，是國內研發最早，至今穩定用于TGV量產的設備。可以實現各種尺寸盲孔、異形孔、圓錐孔制備。

2026年5月22日，帝爾激光表示，公司應用于半導體芯片封裝、顯示芯片封裝等領域的TGV設備，已完成面板級玻璃基板通孔設備的出貨，實現了晶圓級和面板級TGV封裝激光技術的全面覆蓋。

圭華、保定晶通機電補齊關鍵拼圖

面板級封裝的工藝鏈條極長，除了曝光、PVD、電鍍等工藝，涂布和金屬化也是決定良率的關鍵環節。

圭華的狹縫涂布設備，專門針對面板級封裝的大面積光刻膠涂布需求，能夠在超大基板上實現微米級均勻涂布，為后續RDL（重布線層）的精細圖形化奠定基礎。

而保定晶通機電則定向研發了515×510mm玻璃基板雙面拋光銅鎳技術，面向先進封裝（2.5D/3D、Chiplet）的大尺寸玻璃基板金屬化核心工藝。其核心在于雙面納米級同時拋光的玻璃表面上實現銅鎳復合金屬層，具備高附著力、高均勻性、低應力，能夠實現玻璃基板雙面銅厚磨平，保留無瑕疵高平整的1:15以上的垂直通孔表面，為下一步高密度布線打下高良率基礎。目前，該設備已通過玻璃基板客戶考核。

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為什么是“又一個新賽道”？

傳統先進封裝設備市場長期由少數國際巨頭壟斷。但在面板級封裝領域，由于技術路線較新、客戶需求分散，國產設備商獲得了難得的同步起跑機會。更重要的是，面板級封裝天然與顯示面板工藝有親緣關系，臺積電和群創光電甚至直接購買舊LCD廠房改造為面板級封裝產線，因為LCD工藝中的光刻膠涂布、曝光、顯影等步驟與RDL制造高度相似。這為一批原本服務顯示行業的設備商提供了跨界進入半導體高端市場的跳板。這些因素促使國產設備商瞄準這一賽道提前布局。盡管設備商熱情高漲，但面板級封裝距離大規模放量的階段仍有明顯距離

當前面板級封裝的整體良率仍低于晶圓級封裝，而且面板尺寸的不統一，使得設備商難以通過標準化量產攤薄研發成本。更嚴重的是，盡管設備端進展迅速，但材料、EDA工具、以及檢測標準等仍相對滯后。這意味著，面板級封裝設備市場在短期內仍將處于小批量驗證、多品類并存的階段，誰能率先在某一關鍵工藝節點建立不可替代性，誰就能在放量期占據先機。

過去二十年，設備創新的核心敘事是摩爾定律。但在AI時代，當單顆芯片的算力提升遭遇物理極限，封裝成為延續性能增長的關鍵，而面板級封裝則成為降低先進封裝成本、突破產能瓶頸的最優解之一。半導體設備的下一個增量市場，或許就藏在這些方形的面板里。而這一次，國產設備商已經拿到了入場券。