文 | 硅基象限，作者 | 張思

放眼全球，市值突破萬億美元的企業僅十余家，而做存儲的就有三家。

在過去12個月，SK海力士和美光股價超9倍速狂奔，三星電子暴增超5倍，三家存儲巨頭，大跨步進入“萬億美元市值俱樂部”。

具體來看，去年6月27日，美光股價約為124.7美元/股，而今年6月28日已達1132美元，市值超1.2萬億美元；SK海力士去年6月29日股價約為180美元，今年6月26日約1700美元，總市值約 1.38萬億美元；三星電子去年6月29日其股價約40美元，而今年6月27日約209美元，市值約1.4萬億美元。

這背后的核心原因是，三星電子、SK海力士、美光幾乎包攬了90%以上算力服務器中的存儲市場。

伴隨著三巨頭的狂飆，其所在的存儲行業也被貼上三個標簽，漲價、壟斷與擴產。

三個月狂攬800億美元

存儲漲價的苗頭，從2025年上半年開始。

去年4月，閃迪一封漲價函，告知客戶產品整體漲幅超過10%，掀開了存儲芯片短缺、漲價的大幕。

隨后，三星電子、海力士、美光等大廠也開始宣布漲價，甚至在2025年下半年漲幅一度超70%，且供不應求。

這帶來了2025年，三家頭部存儲公司，營收和利潤的增長。

在2025年財年，三星電子半導體（DS）業務營收約為308億美元，營業利潤約114億美元；海力士營收約681億美元，凈利潤約300億美元；美光營收為373.78億美元，凈利潤為85.39億美元。

在2025年，海力士的利潤率為48.5%，三星的毛利率為39.4%，美光的毛利率為39.8%。

2026年開年，三家半導體巨頭營收幾乎翻倍，利潤也迎來約4倍增長，且伴隨著凈利率/毛利率的翻倍。

2026年一季度（1-3月），三星半導體業務（DS）的營業收入為530億美元，增長225%，營業利潤達350億美元，同比增長480%，海力士營業收入約330億美元，同比暴漲198%，營業利潤約240億美元，同比增長 405.5%。

從美光最新發布的2026財年第三季度（3-5月）數據來看，增長還在持續，期間營收414.6 億美元，同比增長345.7%，凈利潤288.6 億美元，同比暴漲1398.3%。

三巨頭三個月賺了800億美元，超過2025年全年。

營收和利潤高速增長背后，是凈利率/毛利率的翻倍。在2026年一季度，三星營業利潤率是66%;海力士為72.7%,而美光在2026財年三季度毛利率也達到了84.9%。

在2026年5月下旬，三家存儲公司的市值，相繼突破萬億美元。

全球市值超萬億的公司僅16家，科技公司有13家，除了三家存儲巨頭外，還有市值超過四萬億美元的英偉達，谷歌母公司 Alphabet 、蘋果 Apple，超過2億的微軟 Microsoft、亞馬遜 Amazon、臺積電TSMC、SpaceX，以及超過萬億美元的博通 Broadcom、特斯拉 Tesla、Meta Platforms。

三星和SK海力士，也成為唯二，進入萬億美元市值俱樂部的韓國企業。

助力他們狂奔的關鍵技術有兩個：DRAM與NAND Flash。

“吸金王“：DRAM與NAND Flash

存儲器分為兩大類，一類是易失性存儲，存儲速度快，但是一斷電數據就清空；另一類是非易失性存儲，斷電后數據依然存在。

DRAM與NAND Flash，一個是易失性存儲器，另一個則是非易失性存儲器。

DRAM包括HBM（高帶寬內存）、DDR5/6、LPDDR5/5X/6、GDDR6/GDDR7等技術路線。其中，DDR5/6是臺式機、服務器內的存儲技術，LPDDR6/5/5X用在智能手機、平板及車載系統，GDDR6/GDDR7面向圖形處理器（GPU）的高速顯存。

HBM（高帶寬內存）是用于算力服務器的存儲，也是技術壁壘最高的DRAM。HBM采用2.5D堆棧技術，需要將8 層、12 層甚至16 層 DRAM 芯片，通過TSV（硅通孔）技術，垂直堆疊在一起，目前最新技術為HBM3e / HBM4，單顆存儲容量已超36GB。

諸如，三星電子、美光目前HBM3E和HBM4均采用12層堆疊，最高可以實現36GB容量，且正在研發16 層堆疊，容量達48GB的HBM4。

NAND Flash，也叫閃存，包括手機內置存儲、U 盤、服務器的固態硬盤 SSD。在AI算力場景下，存儲已經演進到PCIE 6.0 SSD。

NAND Flash依靠3D 堆棧技術，將200層甚至300-400層的芯片，堆疊到一個芯片上，堆棧層數越多，技術難度越高。比如海力士開始采用321層固態硬盤（cSSD），并計劃在今年底開始量產375層3D NAND Flash，三星計劃 2029年將實現420層 SSD。

根據CFM閃存市場統計數據，25Q4全球DRAM市場的前三名分別為三星電子、SK海力士、美光，分別占據37.1%、33.1%和20.8%。而在NAND Flash 市場，前五名分別是三星、SK海力士、鎧俠、閃迪和美光，占27%、22.1%、15%、12.8%、11.6%。

三家巨頭正惹上“壟斷官司”。外媒披露，6月29日，三星電子、SK海力士和美光科技遭遇美國聯邦反壟斷的集體訴訟，稱其合謀限制傳統DRAM供應、抬高價格，加劇內存短缺。

存儲三巨頭能站上如今的位置，其實已經走了50年。

內卷、洗牌的五十年

DRAM比NAND Flash早出生20年，但發明這兩種芯片的公司，目前都已放棄存儲業務。

1970年，英特爾推出世界上首款DRAM存儲芯片（Intel 1103），容量僅1KB，并一度拿下存儲芯片的80%以上市場。

在八年后，帕金森兄弟（沃德·帕金森與喬·帕金森）在美國愛達荷州，一個牙科診所的地下車庫創立了美光，并在1979年發布64Kb容量DRAM。

1980年，美光創立的兩年后，行業開始“內卷“。當時，日本廠商東芝、日立、富士通等公司開始進軍存儲市場，并以極高的良品率和更低價格，搶占80%以上市場份額。

那時，英特爾因為難以匹敵日本公司，放棄 DRAM業務，轉型做微處理器（CPU）。

在三年后，韓國兩大巨頭才成立。1983年，韓國商人鄭周永成立現代電子產業株式會社，這也是SK海力士的前身，同年，三星創始人李秉喆宣布正式進軍DRAM市場，并發布了能用于個人電腦的64Kb 容量的DRAM，比美光晚4年，比海力士早兩年。

1989年，東芝推出首款 NAND Flash 產品，NAND Flash進入存儲舞臺中央。1992年底，三星從東芝獲得 NAND Flash 設計授權，并推出首款 NAND Flash 器件。

之后十年，存儲行業開始重新洗牌。這一年，韓國現代電子并購LG半導體，并在一年后將現代電子徹底剝離，更名為海力士半導體。

同年，日本存儲企業也開始并購重組。NEC與日立剝離各自的內存業務，聯合成立NEC日立存儲器，一年后正式更名為爾必達。

2000年代初期，海力士正式開始研發NAND Flash，2002年，三星在全球閃存市場份額排名第一。

2003年，日本又一家公司，三菱電機的DRAM 制造部門，也被并入爾必達。在之后幾年，爾必達進入發展的黃金期，成功在東京證券交易所上市，并一度獲得20%市場份額。

但在2012年之后，日本企業漸漸退出存儲賽道。一方面，爾必達由于難敵韓國企業的競爭，加上日本經濟限制，宣布破產，并由美光收購。另一方面，在2016財年，東芝凈虧損高達9657億日元，不得已將存儲部門剝離并出售，在2019年正式更名為鎧俠。

當前，DRAM和NAND Flash是三星和海力士的絕對統治區。但他們側重點略有不同，三星的優勢在于智能手機、電腦中的DDR5/6，LPDDR5等消費級市場，而海力士因為更早綁定英偉達，而在HBM市場更具優勢。

算力競爭的下半場依然火拼產能。6月29日，SK海力士宣布將單獨向韓國西南地區（湖南／光州）半導體集群投入400萬億韓元，用于建設多座存儲晶圓廠及HBM先進產線；三星電子正式公布未來 10 年總額約 1000 萬億韓元的投資；美光也在紐約州和愛達荷州規劃了龐大的全新晶圓廠建設。

存儲行業是個周期性行業，產能不足時價格增長迅猛，但是需求下降時，價格也將迅速下滑，這也意味著存儲行業將沒有“永遠的牛市”。