相比于傳統(tǒng)摻雜工藝,離子注入具有精度高(可達原子級精度)、無橫向擴散、對溝道影響小、工藝控制能力好等優(yōu)勢,已成為半導體主流摻雜技術(shù)。
離子注入機高壓電源是為離子注入設備提供穩(wěn)定高壓電場,以加速、聚焦或控制離子束運動的核心裝置。在半導體離子注入工藝中,帶電離子需在高壓電場驅(qū)動下獲得能量并精確注入晶圓表層,電源輸出的電壓穩(wěn)定性與紋波水平直接決定著摻雜深度和劑量的均勻性。
離子注入機是半導體、IC制造中的關(guān)鍵摻雜設備,其性能直接決定了集成電路及半導體器件的性能、功耗和良率。離子注入機市場集中度高,美國先進材料AMAT、美國亞舍立、日本日新等企業(yè)占據(jù)主要份額,我國大量市場需求仍依賴進口,根據(jù)海關(guān)總署數(shù)據(jù)顯示,2024年我國離子注入機全年進口額達18.1億美元,進口同比增速達35.9%。
離子注入機核心零部件包括離子源、離子加速器、高壓電源、磁分析器、能量分析器、掃描系統(tǒng)、真空系統(tǒng)等。根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2026年中國離子注入機高壓電源市場專項調(diào)研及企業(yè)“十五五規(guī)劃”建議報告》顯示,高壓電源是離子注入機核心零部件之一,技術(shù)壁壘高,目前仍由歐美日企業(yè)主導,包括美國Advanced Energy(AE)、英國XP Power、美國Spellman、日本Matsusada Precision等國際企業(yè)。
高壓電源的國產(chǎn)化突破是推動離子注入機國產(chǎn)替代的前提之一,近年來,在蘇州博思得電氣有限公司、中國原子能科學研究院、北京中科信半導體股份有限公司、上海凱世通半導體股份有限公司等企業(yè)布局下,我國離子注入機高壓電源國產(chǎn)化取得了重要突破。
蘇州博思得自主研發(fā)的離子注入機高壓電源于2025年正式銷售,為國產(chǎn)離子注入機提供了強大動力支持;中國原子能科學研究院自主研制的串列型高能氫離子注入機(POWER-750H)于2026年初完成調(diào)試,高壓電源、磁分析器、能量分析器等關(guān)鍵部件實現(xiàn)了完全自主設計與制造。
新思界行業(yè)分析人士表示,離子注入機高壓電源技術(shù)壁壘體現(xiàn)在超穩(wěn)電壓輸出、微秒級快速響應、長期可靠運行等方面。作為離子注入機核心零部件之一,高壓電源國產(chǎn)化進程意義重大,直接關(guān)系到半導體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控水平,以蘇州博思得等為代表的國內(nèi)企業(yè)在離子注入機高壓電源上已取得重要突破,國產(chǎn)替代進程正持續(xù)推進。
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