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本文來自EETOP博客，作者：sea11038
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原文（一張圖）：
壇友問的一個問題，推導了一下，原理不復雜，具體設計時還要結合工藝的失配參數繼續推導和計算。
以下內容為AI解讀整理成了一份結構清晰、公式完整的筆記（不一定100%正確，請參考原圖）
MOS 電流鏡失配分析（含源極負反饋）
一、基礎電流鏡（無電阻）
1. 電流方程
飽和區 MOS 電流：
其中 為閾值電壓。
2. 一階誤差推導
對電流做全微分，考慮 和 的失配：
代入得到：
3. 相對電流誤差
兩邊除以 ：
4. 誤差方差（隨機失配）
假設 與 相互獨立，方差為：
二、帶源極電阻的電流鏡（源極負反饋）
1. 電流方程
源極串聯電阻 后，柵源電壓關系變為：
因此電流方程為：
2. 一階誤差推導
對電流做全微分，考慮 、 和 的失配：
分別求偏導：
代入得到：
整理后：
3. 相對電流誤差
兩邊除以 ：
當 時，第二項可近似為：
4. 誤差方差（隨機失配）
假設 、、 相互獨立，方差為：
三、關鍵結論
1源極負反饋的衰減作用：
MOS 管參數（、）失配帶來的電流誤差，被源極負反饋衰減了 倍，因此電流鏡匹配度顯著提升。
1電阻失配成為新的誤差源：
電阻 的失配 會直接反映到電流誤差中，成為主導誤差源之一，設計時需同時保證電阻的匹配精度。
設計權衡：
增大 可以進一步抑制 MOS 管失配，但電阻失配的影響不會被衰減，反而會隨 增大而更受關注，需在兩者之間做平衡。
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