作為全球存儲半導(dǎo)體行業(yè)的核心領(lǐng)軍企業(yè)，三星的V-NAND技術(shù)始終憑借突出的創(chuàng)新性與穩(wěn)定性，成為業(yè)界標(biāo)桿級存儲解決方案，依托扎實(shí)的技術(shù)積淀，其高端消費(fèi)級固態(tài)硬盤產(chǎn)品（比如990和980系列）在全球市場積攢了極佳的用戶口碑與行業(yè)認(rèn)可度。

自2013年推出全球首款3D V-NAND閃存芯片以來，三星始終深耕三維堆疊核心技術(shù)，持續(xù)迭代層數(shù)堆疊工藝，穩(wěn)步提升存儲芯片的存儲密度、運(yùn)行性能與能源利用效率。早在2024年，三星便公布了前沿技術(shù)研發(fā)藍(lán)圖，明確將鐵電材料等新型半導(dǎo)體材料作為核心研發(fā)方向，計(jì)劃在2030年前后實(shí)現(xiàn)1000層NAND閃存的落地應(yīng)用，以此適配人工智能高速發(fā)展時(shí)代下，海量數(shù)據(jù)存儲、高速數(shù)據(jù)讀寫的核心行業(yè)需求。

近日，據(jù)行業(yè)可靠消息爆料，三星依托CMB（Cell Multi-Bonding，單元多重鍵合）核心工藝，成功研發(fā)出全球首款900層V-NAND閃存原型芯片，實(shí)現(xiàn)了超高層數(shù)3D NAND閃存研發(fā)領(lǐng)域的關(guān)鍵性突破。

此次900層V-NAND的技術(shù)方案邏輯清晰、創(chuàng)新性突出，核心原理是將兩顆獨(dú)立的450層單元堆棧結(jié)構(gòu)，通過精密鍵合工藝整合為單顆一體化集成芯片，徹底突破了傳統(tǒng)單層堆疊工藝的層數(shù)上限瓶頸。隨著該技術(shù)的落地，未來固態(tài)硬盤等主流計(jì)算存儲產(chǎn)品的存儲容量將迎來跨越式提升，全面賦能消費(fèi)級、企業(yè)級計(jì)算存儲場景。

超高層數(shù)V-NAND堆疊工藝的研發(fā)難度極高，三星此次攻克了多項(xiàng)行業(yè)共性技術(shù)難題，其中晶圓翹曲是制約超高層數(shù)堆疊工藝落地的核心瓶頸。針對這一難題，三星創(chuàng)新引入U(xiǎn)pper Chuck Design（上夾頭設(shè)計(jì)）工藝方案，有效解決了晶圓加工過程中的翹曲變形問題，保障了芯片基底的平整度與加工精度。同時(shí)，研發(fā)團(tuán)隊(duì)依托Overlay Correction（疊加校正）技術(shù)，精準(zhǔn)修正多層鍵合過程中產(chǎn)生的對位偏差，大幅提升了芯片鍵合的精準(zhǔn)度與穩(wěn)定性。

除此之外，三星針對性優(yōu)化了芯片位線與字線的架構(gòu)設(shè)計(jì)，在精簡芯片整體尺寸、優(yōu)化芯片集成度的同時(shí)，有效降低了芯片運(yùn)行功耗。一系列全方位的技術(shù)創(chuàng)新，不僅顯著提升了超高層數(shù)V-NAND芯片的生產(chǎn)良率與量產(chǎn)可行性，更為后續(xù)1000層及以上超高層數(shù)NAND閃存的規(guī)模化量產(chǎn)，筑牢了完善的技術(shù)與工藝基礎(chǔ)。

從行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀來看，基于堆疊工藝的900層以上NAND閃存目前仍處于原型驗(yàn)證與技術(shù)打磨階段，但該技術(shù)路線已明確未來存儲容量擴(kuò)容的核心發(fā)展方向。按照三星技術(shù)規(guī)劃，企業(yè)將穩(wěn)步推進(jìn)技術(shù)迭代，力爭在2030年實(shí)現(xiàn)1000層V-NAND閃存的規(guī)模化量產(chǎn)，而400層以上中高層數(shù)存儲產(chǎn)品，將在未來數(shù)年陸續(xù)落地商用、進(jìn)入量產(chǎn)階段。

當(dāng)前，人工智能、大數(shù)據(jù)、邊緣計(jì)算等新興技術(shù)應(yīng)用迎來爆發(fā)式增長，全球數(shù)據(jù)存儲需求持續(xù)激增。超高層數(shù)V-NAND技術(shù)的迭代升級，將大幅提升固態(tài)硬盤的單位面積存儲密度、降低單位數(shù)據(jù)存儲能耗，為企業(yè)級高性能計(jì)算、海量數(shù)據(jù)中心存儲、高端智能終端等核心場景提供關(guān)鍵硬件支撐，持續(xù)推動全球存儲行業(yè)的技術(shù)革新與升級。

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