這一次，韓國將徹底瘋狂！

6月29日，韓國政府宣布預計將在西南部建設四座芯片廠，投資約800萬億韓元（約3.52萬億元人民幣），未來15年將在新一代存儲、邊緣人工智能、國防等芯片領域投資至少30萬億韓元（約1330億元人民幣）。

韓國總統李在明稱，芯片和人工智能領域競爭非常激烈，韓國需要加快芯片生產基地建設以滿足需求；將通過投資西南地區(qū)擴大芯片供應能力，西南地區(qū)將在新項目中投資5萬億至20萬億韓元，光州、全羅可能在項目中投資520萬億韓元（約2.3萬億元人民幣）。

韓國官員則表示，預計在五年內將DRAM生產能力翻倍，預計全球內存市場將在5年內增長四倍。

受此消息提振，韓國股市盤中上演“過山車”行情：KOSPI指數從下跌2.23%的低位強勢翻紅，盤中一度大漲1.33%，但尾盤漲幅回落，最終微跌0.2%收盤。

同一天時間下午，三星宣布投資計劃，總額達2655萬億韓元（約合11.68萬億元人民幣）；將在韓國龍仁市和平澤市的半導體產業(yè)集群投資2030萬億韓元。

這簡直太夸張了，僅三星一家公司的年均投資額，就超過了中國2025年的半導體投資額。

800萬億韓元，接近韓國一年GDP的三分之一，如何看待韓國幾乎舉國之力押注半導體的“世紀豪賭”？

韓國這一次的大動作，又將給中國半導體產業(yè)，尤其是正處于上市前夜的長鑫存儲帶來怎樣的沖擊？

接下來我們一同梳理，有幾個關鍵點：

第一，韓國在投什么？

韓國這輪重大投資，不是投向AI的全產業(yè)鏈，而是主攻兩條線：

第一條線，是DRAM晶圓廠。

韓國政府這次800萬億韓元西南芯片計劃，核心是三星電子和SK海力士各建兩座大型晶圓廠。

DRAM就類似于手機、電腦里的“運存”，你買手機的時候會常見到一個參數，比如16GB+512GB。

這里的16GB，指的就是運存，手機打開App、切換頁面、玩游戲、多任務運行，都要靠它。

這里的512GB，是機身存儲，主要用來存照片、視頻、App、微信聊天記錄、文件。它對應的主要是NAND閃存，不是DRAM。

目前，長鑫存儲的主營業(yè)務是DRAM，長江存儲的主營業(yè)務是NAND閃存。

AI大模型最需要的是DRAM，因為它具備低延遲、高帶寬、可高速讀寫的特性，所以DRAM價格和利潤都更高。

第二條線，HBM先進封裝。

HBM就是高帶寬存儲，本質上是DRAM的高端形態(tài)，通過3D堆疊技術，把多層DRAM芯片垂直疊加，從而獲得遠高于傳統內存的數據帶寬。

通俗來講，普通DRAM是在地面上建的一層平房，而HBM就是把這些平房一層層往上蓋，建成一棟高樓。

一顆英偉達H100 GPU芯片，需要5組HBM；一顆B200 GPU芯片，需要8組HBM。到了最新的Blackwell Ultra，仍然是8組HBM，但每一組堆疊層數更高、容量更大。

第二，韓國的DRAM和HBM處于什么地位？

在DRAM領域，全球呈現三足鼎立局面。

TrendForce數據顯示，2025年四季度，三星DRAM市占率約36%，SK海力士約32.1%，美光約22.4%。

也就是說，三星和SK海力士兩家韓國企業(yè)合計約68.1%，接近全球七成；前三家合計超過90%，屬于高度集中的寡頭市場。

在HBM領域，韓國的地位更強。

Counterpoint數據顯示，2025年四季度，SK海力士全球HBM市占率約57%，三星約22%，美光約21%；韓國兩家公司合計約79%，接近八成。

按2025全年口徑，SK海力士拿下全球HBM約61%份額，三星約17%，美光約21%，韓國企業(yè)合計約78%。

韓國雖然并沒有壟斷整個半導體，但在DRAM和HBM上，已經接近掌握全球存儲芯片的話語權，堪稱全球最強勢的寡頭。

第三，韓國有多賺錢？

AI需求疊加寡頭格局，韓國在存儲領域自然掌握定價權，這門生意到底有多賺錢？

從最新財報看，2026年一季度，三星DS半導體部門營收81.7萬億韓元，經營利潤53.7萬億韓元，經營利潤率接近66%。

SK海力士更驚人，單季營收52.6萬億韓元，經營利潤37.6萬億韓元，經營利潤率高達72%。

根據測算，2026年全球AI凈利潤池預計約6370億美元。其中，美國拿走約3140億美元（英偉達約2070億美元、美光約370億美元），占比約49%；韓國拿走約2230億美元（SK海力士約1130億美元，三星（存儲）約1090億美元），占比約35%；中國約730億美元（臺積電約330億美元、旭創(chuàng)+富聯+新易盛約110億美元、華為+長鑫+長存約80億美元），占比約11.5%；日本和歐洲分別約140億美元左右。

所以，韓國這場豪賭是有底氣的。

第一，三星和SK海力士依靠DRAM和HBM，在AI存儲周期里獲得高利潤；

第二，韓國把高利潤繼續(xù)投入新晶圓廠、新封裝基地和下一代存儲技術；

第三，用更強產能和技術壁壘，繼續(xù)綁定英偉達和全球AI服務器產業(yè)鏈；

第三，通過寡頭格局和高端產品，維持更強議價權和更高利潤率；

所以，韓國把半導體上升到國家戰(zhàn)略，真正的目標是把自己在DRAM和HBM上的寡頭優(yōu)勢，進一步放大。

進一步看，韓國這輪投資對長鑫到底是不是利空？

短期未必是利空，中長期一定是壓力。

長鑫存儲目前正處于高光時刻，隨著科創(chuàng)板IPO在2026年5月底成功過會，長鑫交出了一份亮眼成績單：受全球存儲漲價的超級周期紅利提振，長鑫科技2026年一季度營收高達508億元，凈利潤突破247億元。

其DRAM全球市場份額已逼近8%，穩(wěn)居全球第四。按20倍市盈率計算，上市后總市值可能在2到2.4萬億，甚至可能更高。

6月29日，據媒體報道，存儲芯片制造商長鑫存儲已與騰訊簽署長期供應協議，為其提供DRAM芯片供應服務，該協議價值超過200億元人民幣。

短期看，全球DRAM和HBM仍然緊缺，內存價格仍在高位，中國客戶又有強烈國產替代需求。

長鑫有訂單、有利潤、有擴產計劃，甚至可能在上市前獲得更強的市場關注。韓國加碼，反而說明存儲芯片這個賽道足夠重要、足夠賺錢。

但中長期看，韓國這輪投資會給長鑫帶來三大利空：

第一，存儲芯片是典型的強周期、資本密集型行業(yè)。如果未來三星和SK海力士新增產能釋放，DRAM從短缺走向產能過剩，行業(yè)價格會承壓。長鑫作為追趕者，在成本、良率和產品結構還沒追平時，被迫進入價格下行期，這會進一步壓縮長鑫的利潤率。

第二，長鑫剛剛在DDR5、服務器DRAM上加速追趕，韓國已經繼續(xù)往HBM、先進封裝和下一代存儲上砸錢，而且是舉全國之力，用更大的資本、更成熟的工藝，繼續(xù)鞏固HBM和高端AI存儲的領先優(yōu)勢。如果長鑫不能盡快跨過高端化門檻，就可能長期被壓在中低端DRAM市場。

第三，上市前，資本市場可以為“國產替代”的宏大敘事買單；但上市后，投資者的考量將變得極其現實。市場會審視長鑫的綜合良率、服務器客戶滲透率以及HBM的量產進度。韓國的擴產，無疑讓這些考核指標變得更加尖銳。

當然，韓國這一次押注，并非沒有風險。

因為所有投資都建立在一個前提之上：AI需求能夠持續(xù)擴張，全球算力投入能夠轉化成真實收入，DRAM和HBM能夠長期維持高景氣。

過去三年，全球科技行業(yè)在AI基礎設施上的總投入已超過1.2萬億美元。然而，由生成式AI直接創(chuàng)造的純增量收入尚不足1500億美元。（IDC與高盛的聯合報告數據顯示）

這意味著，每投入8美元，僅能換回1美元的直接收益。AI的商業(yè)化，仍然是一個不確定性問題。

所以，韓國這場豪賭的勝負，取決于全球AI產業(yè)最終能不能創(chuàng)造足夠多的收入，來消化這場史無前例的算力擴張。