目前,中芯已經有7nm芯片工藝,這基本上已經是大家不再懷疑的事實了。
畢竟基于中芯的7nm工藝,已經量產了很多顆芯片了,比如麒麟芯片,昇騰芯片等等,這些都是最好的例子。
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而近日,國外知名媒體TechInsights深度拆解了中芯的一些芯片,探索中芯在沒有EUV光刻機的情況之下,是怎么實現7nm工藝的。
按照對方的拆解,發現中芯的7nm芯片,是使用深紫外光(DUV)浸沒式光刻機制造的,通過四重或三重曝光來實現超衍射極限的特征尺寸。
因為沒有EUV,所以分辨率相對沒那么高,中芯國際只能在關鍵層反復進行DUV多圖案化,也就是多重對準,另外還采用了自對準雙圖形等工藝等。
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從其拆解來看,中芯的7nm芯片,采用的還是14nm工藝使用的FinFET晶體管技術,只是在高κ金屬柵極結構上做了匹配性縮放,以實現7nm的工藝。
不過對方也稱,因為使用DUV光刻機,進行多重曝光,所以刻錄效率會低很多,且良率也會很低,所以成本會較高。
但隨著7nm芯片的是量產后,不斷的改進,良率已經迅速的提升,且成本也迅速的降低,預計接下來,產能會大大的提升。
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對方甚至還透露出,目前利用DUV光刻機,中芯的5nm芯片,已經在試產了,只是良率不高,經濟性差一點,但在2026年目標是產出160萬顆5nm芯片。
對方認為,目前的技術通路已經打開了,那么后續的問題,就不再是問題了。
此外,報告還分析稱,之前臺積電從16nm進入到7nm花了三年多時間,中間還經歷了10納米節點,而三星從14nm進入7nm,花了五年時間。
而現在中芯在沒有EUV的情況下,從14納米迭代到7納米,也只花了2年左右的時間,這個進度,其實是比臺積電更快的。
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很明顯,中芯在打壓之下,確實進行了大突破。接下來隨著韜定律發布,EUV雖然還重要,但是卻沒有那么重要了,基于DUV,我們也可以制造出更先進的芯片了。
這也意味著,美國的打壓,算是徹底失敗了,你覺得呢?
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