在這次內(nèi)存與存儲漲價大潮中,內(nèi)存方面領(lǐng)漲的產(chǎn)品是高帶寬內(nèi)存(HBM),存儲方面領(lǐng)漲的產(chǎn)品則是NAND閃存。那么NAND閃存能像HBM那樣堆疊起來,提供更大的存儲容量嗎?能的,這項技術(shù)就是閃迪在去年2月發(fā)布的高帶寬閃存(HBF)。
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據(jù)韓媒Etnews報道,閃迪已經(jīng)在著手準(zhǔn)備生產(chǎn)HBF的材料、組件和設(shè)備供應(yīng)鏈,并搭建生產(chǎn)線。
有業(yè)內(nèi)高層人士表示,閃迪正與相關(guān)企業(yè)接洽合作事宜,計劃于下半年引進(jìn)主要生產(chǎn)設(shè)備,并稱部分企業(yè)已開始商討采購訂單(PO)事宜。預(yù)計在同樣今年下半年完成試產(chǎn)線的建設(shè)、年底前投入運行并推出原型產(chǎn)品,明年實現(xiàn)量產(chǎn),而產(chǎn)線的熱門候選地之一是日本。
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HBF的核心原理與HBM相似,都是通過堆疊16個3D NAND閃存芯片的方式來實現(xiàn)更大的容量和更強的性能,以此助力AI計算的發(fā)展。得益于總體一致的技術(shù),HBF有望媲美HBM的帶寬性能。
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在HBF技術(shù)路線圖上顯示,初代HBF的系統(tǒng)級性能與“無限容量版”的HBM的差距在2.2%以內(nèi),讀取帶寬達(dá)1.6TB/s。而后續(xù)的2代、3代產(chǎn)品的讀取帶寬將達(dá)到2TB/s和3.2TB/s,對應(yīng)的單疊層容量、能效都有進(jìn)一步提升。
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當(dāng)下,閃迪、SK海力士、三星等各大存儲生產(chǎn)商陸續(xù)投身HBF研發(fā),市場正在關(guān)注HBF的性能能否與炙手可熱的HBM相媲美。
由于HBM和HBF的制造工藝沒有顯著差異,所以產(chǎn)線的搭建過程也非常快。業(yè)內(nèi)人士表示,目前在HBM市場占據(jù)領(lǐng)先地位的三星電子和SK海力士,很可能會將整套工藝改造后直接轉(zhuǎn)產(chǎn)HBF。其中,SK海力士是閃迪推進(jìn)HBF標(biāo)準(zhǔn)化的合作方,而三星則憑著自己的實力選擇了單打獨斗。
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對于這個新技術(shù)催生出的產(chǎn)品,韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)的金正浩教授預(yù)測,HBF的市場規(guī)模將在2038年超過HBM,前景可觀。
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