經濟觀察報記者 鄭晨燁

在當前這一輪半導體繁榮周期中，長鑫科技集團股份有限公司（下稱“長鑫科技”）是國內體量最大的DRAM（動態隨機存取存儲器）擴產主體之一。

5月17日，長鑫科技更新后的科創板IPO招股書顯示，2026年一季度，該公司實現營收508億元，實現歸母凈利潤247.6億元，并預計2026年上半年歸母凈利潤為500億至570億元。

作為比較，同樣是2026年一季度，SK海力士（000660.KS）營收折合人民幣約2700億元，三星電子（005930.KS）存儲芯片業務營收折合人民幣約3800億元。也就是說，長鑫科技508億元的季度營收，已經相當于SK海力士同期的約五分之一。

從業務結構看，長鑫科技和SK海力士有明顯的相似性，兩者都是以DRAM為核心的IDM廠商（垂直整合制造商，集芯片設計、晶圓制造、封裝測試于一體），區別在于SK海力士約三成營收來自NAND閃存（非易失性存儲芯片），長鑫科技目前則是一家純粹的DRAM公司。

或者說，在某種程度上，長鑫科技正在成為中國的“海力士”。

全球存儲行業由三星、SK海力士和美光科技（MU.NASDAQ）主導了十余年，長鑫科技是過去十余年來最接近行業頭部位置的新進入者。

一塊DRAM芯片的制作流程相當復雜，從硅片到成品，要經過刻蝕、薄膜沉積、化學機械拋光、清洗、檢測等數百道工序，每一道工序對應一類專用設備和一批特定材料。

從招股書信息看，長鑫科技能完成從DDR4（第四代雙倍數據速率內存）到DDR5（第五代）的全面產品切換，并把毛利率從兩年前的-112%拉到40%以上，營收體量快速放大，前提是其背后的供應鏈能夠同步支撐。

在半導體設備行業工作多年的工程師蔣彬告訴經濟觀察報記者，過去國產設備最缺的是在量產產線上驗證的機會，而長鑫科技和長江存儲的大規模擴產，正在給國產設備廠商提供這個機會。

工序背后的設備商

制造一塊DRAM芯片，主要流程可以簡化為：在硅片上反復沉積薄膜、用光刻定義電路圖案、用刻蝕去除多余部分、用化學機械拋光（CMP）把表面磨平，再進行離子注入、清洗、檢測。

整個過程涉及數百道工序，每一道都需要專用設備。

一位長期關注半導體設備的投資人告訴經濟觀察報記者，在DRAM產線的設備資本開支中，刻蝕和薄膜沉積設備合計約占50%，是份額最大的兩類；其次是光刻設備，再次是量測檢測設備（對芯片上的薄膜厚度、線寬、缺陷等進行精密測量和檢查的設備），其中量測檢測約占設備總開支的12%至15%。這些設備過去長期依賴進口。

盡管應用材料（Applied Materials）、泛林集團（Lam Research）、東京電子（TEL）等美日廠商仍然占據了全球半導體設備市場的主要份額，但在過去的幾年里，國產設備在國內存儲產線上的滲透率正在快速提升。

一位接近長鑫科技的產業鏈人士告訴經濟觀察報記者，長鑫科技目前的國產設備整體占比大約在四成到五成之間。根據公開信息，長江存儲科技有限責任公司（下稱"長江存儲"）的情況也可以作為參照：其武漢三期工廠中，國產設備的采購占比已過半，刻蝕、薄膜沉積、清洗、檢測等核心工序的國產化率更是超過了60%。

該名產業鏈人士表示，這樣的國產化率在行業里算相當高的，國內多數晶圓廠的國產設備占比要低于這個水平。

但長鑫科技和長江存儲的國產設備占比，在各個生產環節的分布并不均勻。前述投資人告訴記者，CMP和清洗設備的國產化率已經比較高，刻蝕和薄膜沉積設備也正處在快速滲透階段，但量測檢測、涂膠顯影等環節的國產化率仍然偏低，提升空間也最大。

在各類設備中，刻蝕設備的用量和金額占比都比較大。刻蝕的工作原理是用等離子體或化學氣體在芯片上“雕刻”出電路需要的溝槽和線條。溝槽刻得越深、越窄，技術難度越高，業內用“深寬比”來衡量這項指標——深寬比越大，意味著設備的精度和控制能力越強。

北方華創（002371.SZ）是目前國內覆蓋品類最全的半導體設備公司之一，產品線橫跨刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法清洗、離子注入等多個環節。其財報數據顯示，2025年，北方華創的刻蝕設備和薄膜沉積設備收入均超過百億元；同年，北方華創的立式爐和PVD設備（PVD即物理氣相沉積，用于在芯片上鍍上金屬薄膜）交付數量雙雙突破1000臺。

在5月15日的業績說明會上，北方華創董事長趙晉榮在回應投資者關于國產化率的提問時表示，國內各地新建晶圓產線整體設備國產化率持續抬升，邏輯芯片（CPU、GPU等處理器）、存儲芯片、功率半導體（用于電力轉換和管理的芯片）、特色工藝等各類產線的國產化均在加速導入。

中微公司（688012.SH）是國內另一家主要的刻蝕設備廠商。根據該公司2026年一季報，其自主開發的超高深寬比刻蝕機已有300多臺反應器（刻蝕設備中實際執行刻蝕工藝的核心單元）在存儲產線實現量產，下一代90:1超高深寬比低溫刻蝕設備也已送至客戶端驗證，第二代ICP（電感耦合等離子體）刻蝕設備在3D DRAM應用中取得了140:1的刻蝕結果。

90:1和140:1是什么概念？記者在采訪中了解到，在一片硅片上刻出一條溝槽，溝槽的寬度不到頭發絲的萬分之一，而深度是寬度的90倍甚至140倍。這對設備的精度和穩定性要求極高——刻得不夠深，電路結構不完整；刻偏了哪怕幾納米，整片晶圓就可能報廢。

DRAM芯片每升級一代，電容器的結構就要往更深處做，對刻蝕設備的深寬比要求也隨之提高。前述投資人告訴記者，能做到140:1的深寬比，意味著設備已經能夠支撐最新一代DRAM的制造需求。

除了刻蝕設備，薄膜沉積設備的國產化率增速也比較快。

薄膜沉積設備負責在硅片上一層層“生長”出功能性薄膜。在DRAM制造過程中，電容器是存儲數據的核心結構，電容器中的兩層關鍵薄膜，電極材料層和高介電常數介質層，需要用原子層沉積（ALD）設備來制備。

ALD的特點是以單個原子的厚度為單位逐層沉積，精度極高。

拓荊科技（688072.SH）是國內主要的薄膜沉積設備廠商。財報顯示，2026年一季度，該公司實現營收11.12億元，同比增長57%，實現歸母凈利潤5.71億元，同比扭虧為盈。2025年全年，該公司的PECVD（等離子體增強化學氣相沉積，一種在芯片上沉積介質薄膜的工藝）設備收入51.42億元，同比增長75%；ALD設備收入3.01億元，同比增長192%。截至2025年底，拓荊科技累計出貨超過3400個反應腔，進入約100條芯片生產線。

公開信息顯示，2025年9月，國家大基金三期將其成立以來的首個產業投資項目落在了拓荊科技的子公司拓荊鍵科，后者專注于先進鍵合設備的研發。

在刻蝕和薄膜沉積之外，化學機械拋光（CMP）和測試同樣是DRAM制造中不可缺少的環節。其中，CMP的作用是在每一層電路完成后，把晶圓表面磨到納米級的平整度，如果表面不夠平，后續的光刻和沉積工序就無法精確進行。

根據華海清科（688120.SH）公告，2026年4月，該公司第1000臺CMP裝備出機。華海清科在2025年度業績說明會上表示，公司CMP裝備已廣泛應用于邏輯芯片、3D NAND、DRAM等主流工藝平臺，在國內12英寸先進生產線的覆蓋率和市場占有率持續提升，占據國產CMP裝備銷售90%以上份額。

測試環節的變化也值得關注。測試是芯片出廠前的最后一道關卡，每一顆DRAM芯片都要在測試機上完成一遍完整的功能驗證，不合格的直接淘汰，測試機的速率決定了它能不能在芯片的實際工作頻率下完成信號的收發和比對。

目前DDR5內存的數據傳輸速率已達到每秒數十億比特的級別，測試機的速率必須匹配甚至超過這個水平，否則無法準確檢出缺陷。

2026年1月，精智達（688627.SH）簽下13.11億元的半導體測試設備合同，覆蓋DRAM和HBM（高帶寬內存）全流程測試。精智達自主研發的高速FT（成品功能測試）測試機速率達到每秒90億比特，超過了日本愛德萬（Advantest，全球最大的半導體測試設備廠商之一）主力機型每秒80億比特的水平。

根據精智達年報，2025年，該公司半導體測試設備收入同比增長超過150%，已取代顯示檢測成為公司第一大業務。

前述投資人告訴記者，長鑫科技2026年二季度已開啟新一輪設備招投標，全年計劃擴產約5萬至6萬片晶圓，對應的設備采購需求或在350億至430億元人民幣。此外，長鑫科技在招股書中披露的IPO募投項目中，設備購置及安裝費合計220.66億元；另有公開信息顯示，長江存儲2號廠房的工藝設備采購及安裝項目也已于5月啟動招標。

眼下，兩家國內存儲龍頭同步進入了設備采購的密集期，對國產半導體設備廠商來說，好日子可能才剛剛開始。

從前驅體到拋光液

設備是一次性投入，進入產線后可以運行多年，但材料不同，每一片芯片晶圓在制造過程中都要持續消耗化學品、氣體、光阻劑、靶材等各類原料，產能越大，消耗越多。

一位長期關注存儲產業鏈的券商分析師告訴經濟觀察報記者，圍繞存儲擴產的投資傳導，通常是設備先行，材料隨后，產能建起來之后，耗材的用量提升非常明顯。

長鑫科技在招股書中完整披露了其原材料的采購情況：2025年，原材料采購總額約114.7億元。按品類拆分：化學品（用于清洗和濕法工藝）占比最大，為37.29%；光阻劑（光刻工序中定義電路圖案的感光材料）占12.16%；硅片（芯片制造的基底材料）占8.55%；電子特氣（刻蝕和沉積工序使用的高純氣體）占5.10%；靶材（物理氣相沉積工序使用的高純金屬材料）占2.21%。

在這些材料中，前驅體是DRAM產線用量最大的特種化學品之一。前驅體是薄膜沉積工序使用的化學原料，在ALD和CVD（化學氣相沉積）設備中，前驅體被加熱分解后在芯片表面生成所需的薄膜。DRAM芯片中電容器的制造大量依賴前驅體，而且工藝每升級一代，薄膜的層數和種類都會增加，前驅體的用量隨之上升。

雅克科技（002409.SZ）是國內半導體前驅體材料領域規模最大的公司之一，其產品覆蓋高介電常數材料（一種用于制造電容器絕緣層的特殊介質，介電常數越高，電容器在更小的面積上能存儲的電荷就越多）、硅基材料和金屬材料等多個品類。

2025年全年，雅克科技營收86.11億元，同比增長25.49%。根據雅克科技公開披露的信息，其江蘇工廠的前驅體國產化項目目前已有產品通過客戶端驗證，正在轉入批量試生產。

CMP（化學機械拋光）是芯片制造中實現晶圓表面平整化的關鍵工序。每做完一層電路，晶圓表面就會變得凹凸不平，CMP的原理是用一塊旋轉的拋光墊配合拋光液，同時利用化學腐蝕和機械研磨兩種作用，把表面磨到納米級的平整度。如果晶圓表面不夠平，下一層電路的光刻就對不準，整片晶圓的良率都會受影響。芯片有多少層電路，CMP就要做多少次，拋光液是這道工序中最主要的消耗品。

安集科技（688019.SH）是國內CMP拋光液的龍頭企業，2026年一季度，安集科技營收7.24億元，同比增長32.76%，創下單季度新高。根據安集科技在一季報中的表述，其多款鎢拋光液已在存儲芯片先進制程通過驗證，并持續上量。

晶圓制造還需要大量高純度的特種氣體。比如刻蝕工序要用到六氟化鎢、三氟化氮等含氟氣體，薄膜沉積要用到硅烷、氨氣等反應氣體，清洗工序則需要高純氮氣和氬氣。這些氣體的純度要求極高，通常在99.999%（業內稱“5個9”）以上，任何微量雜質都可能導致芯片缺陷。

由于用量大且純度要求苛刻，晶圓廠通常不會外購瓶裝氣體，而是由專業供應商直接在廠區內建設制氣站，就地生產、管道輸送。

電子特氣按供應方式可以分為兩類。一類是瓶裝特種氣體，如高純六氟化鎢、三氟化氮、硅烷等，由氣體公司在工廠集中生產后以鋼瓶或槽車形式配送到晶圓廠，國內的主要供應商包括華特氣體（688268.SH）、金宏氣體（688106.SH）等。

另一類是現場制氣，即由氣體供應商直接在晶圓廠廠區內建設制氣站，就地生產氮氣、氬氣等大宗氣體并通過管道輸送到各個工序，現場制氣領域長期由林德（Linde）、法液空（Air Liquide）和空氣化工（Air Products）三家海外公司主導，近年來廣鋼氣體、正帆科技（688596.SH）等國內企業開始進入頭部晶圓廠的供應體系。

不過，前述投資人也告訴記者，目前能在12英寸先進存儲產線上提供現場制氣服務的國內企業仍然很少，這個領域的國產化率在所有材料品類中是比較低的。

盡管各品類的國產化進度不同，但國產供應商的導入已經在產生實際效果。長鑫科技在招股書中披露了主要原材料的采購單價變化，以2023年為基準，到2025年，硅片的采購單價下降約30%，靶材下降約22%，備件下降接近47%，化學品下降約26%，幾乎所有品類的采購成本都在走低。

長鑫科技在招股書中將“加大國產供應商導入力度”列為降本增效的措施之一。其背后邏輯也很簡單：長鑫科技的產能越大，對上游材料的采購量就越大；材料廠商的出貨規模擴大后，單位成本隨之下降，報價也可以跟著降。

對長鑫科技來說，導入國產供應商可以同時改善兩件事——供應鏈安全和采購成本。

國產設備“錢景”打開

在采訪過程中，多位業內人士向經濟觀察報記者表達了同一個觀點：國產半導體設備和材料公司過去面臨的最大困難，除了技術積累和資金投入，最關鍵的是缺少在產線上驗證的機會。

深圳一家存儲芯片企業的市場負責人周勇輝就告訴記者，這個“一根筋兩頭堵”的問題卡了行業很多年——國產設備拿不到大客戶的訂單，就沒有足夠的收入支撐持續的研發投入；沒有持續的研發投入，產品性能就追不上海外廠商；產品性能追不上，就更拿不到訂單。

例如，一臺新的刻蝕機或薄膜沉積設備，從進入晶圓廠到通過全部工藝驗證，通常需要一到兩年。在這個過程中，設備廠商要派工程師常駐客戶產線，根據實際工況反復調整參數，直到設備在客戶的工藝環境中穩定運行，才算完成驗證。

一位在半導體設備行業工作多年的工程師蔣彬告訴經濟觀察報記者，在國產存儲大廠起來之前，國內大多數晶圓廠更傾向于采購海外已經過驗證的成熟設備。原因很簡單，一臺未經充分驗證的設備上了產線，一旦出問題，影響的是整條產線的良率和交付，沒有哪家晶圓廠愿意為此承擔風險。

或者說，國產設備缺的不是技術潛力，而是愿意給它驗證機會的大客戶。

長鑫科技正在填補這個空缺。長鑫科技在招股書中有如下一段明確表述：“公司規模化生產需求為設備、材料等上游企業提供了重要的技術驗證和商業化應用機會，推動上游供應鏈構建更加成熟的市場供給能力。”

前述接近長鑫科技的產業鏈人士告訴經濟觀察報記者，很多國產半導體設備和材料廠商這幾年能夠有比較快地成長，和長鑫科技、長江存儲持續提供產線驗證機會有直接關系，這兩家公司的產線實際上充當了國產設備從“能用”到“好用”的核心驗證平臺。

這種驗證一旦完成，后續的放量就會很快。前述投資人解釋了其中的原因：存儲芯片的制造和邏輯芯片不同。邏輯芯片廠需要為不同客戶的不同芯片分別調試工藝，設備的適配工作比較復雜；存儲芯片則使用標準化的制造平臺，同一代平臺上生產的所有產品，使用的是同一套設備配置和工藝參數，一旦國產設備在某一代平臺完成驗證和導入，后續的產能擴張就是按同一套方案復制，設備的放量速度非常快。

該投資人還告訴記者，長鑫科技全部產線的國產設備綜合占比雖然已經到了四五成，但這個數字包含了此前幾代平臺上陸續導入的設備。單看目前量產的第四代工藝平臺，國產設備的參與比例可能還不到20%。不過，長鑫科技正在開發的新一代平臺，國產設備和材料廠商的參與度大幅提升，國產化比例有望超過40%。

從不到20%到超過40%，這個變化的含義是，長鑫科技接下來每新增1萬片晶圓的月產能，國產設備廠商能拿到的訂單份額，大約是過去的兩倍。

那么，長鑫科技還需要新增多少產能？根據長鑫科技在招股書中的披露，截至2025年底，該公司月產能約28萬至29萬片12英寸晶圓。上述投資人據此估算，按照中國大陸的DRAM消費量，長鑫科技的月產能至少需要擴張到80萬片，才能覆蓋國內需求的相當一部分。

從29萬片到80萬片，中間約有50萬片的缺口。按照行業慣例，每新增1萬片月產能大約需要70多億元人民幣的設備投資。

長鑫科技在招股書的75億元量產線升級改造項目中亦強調：“同步實施本土及新型設備、材料、零部件等的導入及合作，促進產業鏈、供應鏈本土化、多元化。”

根據市場研究機構Omdia的數據，全球DRAM市場規模預計將從2025年的1505億美元增長至2030年的5710億美元，年均復合增長率超過30%。該機構數據還顯示，長鑫科技2026年一季度的全球DRAM份額已達9.7%，而2025年二季度這個數字還只有3.97%。

長鑫科技在招股書中稱，“充分發揮產業鏈鏈主引領作用，推動供應鏈本土化、多元化”。在其IPO擬募資的295億元中，220億元用于設備采購。

也就是說，如果新一代工藝平臺的國產化率真的超過40%，那么僅長鑫科技這一筆IPO募投，就將為國產設備公司帶來近百億元的訂單。另外，如果月產能從29萬片擴張到80萬片，對應的設備投資額可能高達數千億元。

（作者 鄭晨燁）

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鄭晨燁

資深記者。關注新能源、半導體、智能汽車等新產業領域，有線索歡迎聯系：zhengchenye@eeo.com.cn，微信：zcy096x。