來源｜鳳凰網《風暴眼》

韓國人最受不了的事情，可能就是輸。

6月28日，韓國隊在世界杯小組賽中被淘汰出局，總統李在明在社交媒體上痛批球隊“辜負了國民的期待”，要求韓國足協徹查失利原因。

第二天，李在明就收拾好心情與三星電子會長李在镕、SK集團會長崔泰源并肩站在了發布臺上，90度鞠躬感謝他們的巨額投資計劃。

圖為“三大超級項目”報告會現場

在這場發布會上，韓國政府聯合兩家企業，拋出了一份相當于2.33倍韓國GDP的天價投資計劃，韓國政府在該計劃中的投資總額為1461萬億韓元（約合人民幣6.4萬億元），其中大部分砸向半導體生產，僅西南地區半導體生產基地一項就占800萬億韓元。

但如果你熟悉半導體行業的歷史，就會注意到一個反常之處。

過去三十年里，韓國半導體產業善于“逆周期投資”，在行業低谷期，韓國半導體企業反而加大資本支出，擴建產能，利用低成本優勢搶占市場。

等周期回暖，新增產能恰好釋放，通過抬價保量收獲超額利潤。

近兩年，AI算力需求增長讓存儲芯片進入超級景氣周期，價格持續走高；按照以往劇本，巨頭們應該開始“擠牙膏”，緩慢釋放產能把高利潤維持得越久越好。

但韓國這次在行業順周期時如此大手筆加碼投資，到底在擔心什么？順著半導體產業四十年的東亞競爭史往回看，答案并不難找。

01 半導體日韓“競爭史”

半導體這門生意，從第一天誕生起就是一場砸錢的游戲，一座晶圓廠動輒數百億起步，廠房、設備、流片，每一步都是燒錢獸。

沒有舉國之力托底，后來者根本連牌桌都上不了。

在東亞，日本是第一個把“舉國體制 + 產業資本”玩明白的國家。

1970年代初，IBM宣布研發采用超大規模集成電路的“未來系統”，技術上把日本甩開了一個身位，同時美國政府施壓要求日本開放計算機和半導體市場，堪稱“半導體的黑船事件”。

被逼到墻角的日本很快拿出了對策。

1976年，日本通產省采用“舉國體制+產業資本”模式，聯合日立、NEC、富士通、三菱、東芝五大公司，籌集720億日元（約2.36億美元），設立“VLSI技術研究所”。

目標很純粹：追趕美國。

效果立竿見影。

圖為1978年日本的報紙報道了日本在超大規模集成電路的突破

到1982年底，日本的64K DRAM已經占到國際市場的66% ，到80年代末，日本更是拿下了全球DRAM市場80%的份額，把英特爾等美國廠商打得節節敗退。

那時候的韓國，根本不在日本的競爭視野里。

但就在日本半導體如日中天的時候，一個韓國人在東京高調宣布進軍半導體。

他說：“我想以我們民族特有的強韌精神和創造力為基礎來推進半導體事業?！?/p>

圖為三星集團創始人李秉哲與三子李健熙

這個老頭就是三星創始人李秉喆，這番話后來被稱為 “東京宣言”。

但在當時的東京，在日本人最得意的主場上，沒人把這句話當回事。

美國英特爾甚至嘲諷他是“夸大妄想癥患者”，日本三菱的CEO更是公開放話：半導體產業根本不適合韓國。

那時候的三星，還只能勉強生產家電用的低端集成電路，連正經的 DRAM 生產線都沒有。

但這個被嘲笑的“妄想”，在不到十年后，就讓日本整個DRAM產業為之膽寒。

當時全球芯片產業已被美國美光、日本三菱和夏普等企業牢牢占據，美日企業把技術大門關得死死的，為了拿到入門技術，三星往美光、夏普等公司派了一批又一批研究員。

過程堪稱屈辱。

美光曾口頭答應以400萬美元提供較為落后的設計圖紙，但后來以“偷看文獻”為借口反悔，并將三星方面的人員趕出了公司。

而夏普這邊，雖然表面上應允了三星的請求，實則嚴加看管，甚至不允許三星方面人員接近最新的生產線。

圖為三星在1979年建設的水原研發中心

三星的研究員們連工廠的面積等基本數據都拿不到，一位研究員通過自己的手指間距、身高及步伐數，一點點記錄下工廠的大概面積和其他參數。

比如，他量出工廠生產線寬為30步、長為222步。

不過，曾在三星半導體工作多年的知情人士后來回憶說：“這些數據，對于建設一個高科技的工廠，顯然是不夠用的?！?/p>

沒人想到，那個被全行業嘲笑的“妄想”，不到十年就讓整個日本DRAM產業膽寒。

而勝負的轉折點，就藏在產業邏輯的切換里。

日本DRAM廠商的苛刻品質要求極高，源于那個年代的客戶主要是銀行、鐵路、電話電報公司。

這些客戶對DRAM就一個要求：絕對不能壞。

靠這種極致品質，日本在1980年代擊敗美國，拿下全球DRAM市場80%的份額。

但日本國運的轉折，也從這個時候開始了。

1985年《廣場協議》讓日元大幅升值，日本產品出口競爭力被嚴重削弱。

圖為美日簽署半導體協議

緊接著1986年，美國向日本半導體企業發起反傾銷訴訟，雙方達成出口限制協議——日本被捆住了手腳，日本半導體產業的擴張能力被嚴重透支。

外部市場也在變，進入1990年代，個人電腦取代大型機成為主流。

PC是消費電子，不需要25年零故障的“航空級”品質，能用5年就夠了，便宜、量大、迭代快才是關鍵。

追逐品質的“工匠精神”，在產業規模化發展中反而成了絆腳石。

韓國人看準了這個機會，也開始采用“舉國體制+產業資本”模式反殺日本存儲產業。

1983年，韓國政府開始實施“超大規模集成電路技術共同開發計劃”，由韓國電子技術研究所牽頭，三星、現代、LG等大企業參與，聯合6所大學，3年投入1.1億美元，政府承擔57%。

圖為韓國電光中心人員合照，該機構旨在開發熱成像、光纖和激光技術

1992年，三星率先推出全球第一個64M DRAM，超越日本NEC，成為全球最大DRAM制造商。1993年，三星生產效率超越日本，正式登頂全球DRAM市場第一。

這下輪到日本慌了。

1999年，為了對抗韓國三星的強勢崛起，日本政府主導將日立、NEC和三菱電機的DRAM業務整合，成立了爾必達（Elpida）。

成立后，爾必達一度發展迅猛，成為全球第三大DRAM廠商。即使在2009年金融危機時，日本政府也通過《產業再生法》修正案，對其注資300億日元并提供1000億日元融資擔保。

政府輸血的速度，趕不上存儲價格戰放血的速度。絕境中，爾必達社長坂本幸雄做出了孤注一擲的決定，拿出1.6萬億日元擴產計劃，試圖用一場豪賭來博取最后一線生機。

圖為破產發布會上的爾必達社長坂本幸雄

據傳爾必達社長在求助時，有日本官方機構冷淡回應：“日本不需要記憶體，從南韓買就可以了?！?/p>

2012年2月，負債高達4480億日元（約55億美元）的爾必達申請破產保護，同年7月，被當今存儲三巨頭的美光科技以約25億美元將其收購。

至此存儲行業從此形成了“三星、SK海力士、美光”三足鼎立的格局。

回看這段歷史，勝負的本質是兩種“舉國體制+產業資本”模式的效率之爭。

日本用這套模式追趕美國，在1980年代登頂；韓國用同樣的模式反殺日本，在1990年代取而代之。

每一次王座更替，都是后來者用更堅決的投入、更兇狠的耐力，把前任熬出局。

02 中國存儲的兩架馬車

2016年，全球存儲市場的鐵幕格局已經維系十余年了。

三星、SK 海力士、美光三家把持著95%以上的高端市場，專利墻、資金壁壘、工藝代差像三道銅墻鐵壁，后來者連牌桌都摸不到。

但就在這一年，武漢和合肥兩座城市幾乎同時按下了啟動鍵。

長江存儲與長鑫存儲一南一北，一個攻NAND閃存，一個破DRAM內存，像兩把淬了火的錐子，硬生生要往密不透風的寡頭格局里鑿出一道缺口。

但它們起步的道路，沒有一條是順的。

圖為武漢新芯集成電路廠房

長江存儲的起點是武漢新芯，一支在虧損中熬了十年的“老兵隊伍”。

2006年，在中芯國際創始人張汝京的推動下，武漢新芯正式成立。

湖北省、武漢市和東湖高新區三級政府共同出資，在一片荒草地上建成了中部地區第一條12英寸集成電路生產線，誕生了一顆自主知識產權的“火種”。

可理想撞進現實，碎得悄無聲息。

從2006年到2017年，武漢新芯連續虧損了十一年，始終沒找準市場方向，真正改變這家公司命運的，是楊士寧的到來。

圖為長江存儲科技有限責任公司首席執行官楊士寧

楊士寧的履歷，放在中國半導體行業里屬于頂配，在英特爾工作十余年，2010年出任中芯國際首席運營官。

2013年，楊士寧出任武漢新芯CEO。此前的武漢新芯長期依托外部托管運營，自主體系尚不完善。楊士寧到任后，搭建了完備的研發、運營、市場管理架構，培育本土專業團隊，確立了自主研發的發展方向。

2016年7月，長江存儲正式成立，武漢新芯被整體置入，成為其全資子公司。

長江存儲的領導班子，聚攏了一批中國半導體行業的能人：

趙偉國（時任紫光集團董事長）出任董事長；

丁文武（時任國家集成電路產業投資基金總經理）任副董事長；

楊士寧（曾任中芯國際首席運營官）任總經理；

高啟全（時任紫光集團全球執行副總裁、臺灣存儲教父）以執行董事身份加入。

這四個人匯集了紫光的產業資本、國家大基金的戰略資源、武漢新芯的產線、以及中國臺灣存儲器產業的經驗。

人聚齊了，路怎么走？長江存儲的選擇是先上車。

2017年，團隊耗資10億美元，歷時2年，成功設計制造出中國第一顆32層3D NAND閃存芯片。雖然32層，跟當時國際主流的64層、96層比起來，差了一大截，但至少有了。

對手的反應十分從容，三星不慌不忙推出了64層產品，長江存儲剛起步，對手又跑出去一圈了。

圖為晶棧Xtacking技術示意圖

轉折發生在2019年，那一年，長江存儲基于自研的Xtacking架構，推出了第二代64層3D NAND閃存，正式量產。

不同于傳統的3D NAND閃存，是把房子的“地基”（外圍電路）和“樓房”（存儲單元）建在一起 ，Xtacking架構則先把“地基”（外圍電路）和“樓房”（存儲單元）分別在兩片獨立的晶圓上建造；等兩者都完工后，再通過特殊的“焊接”技術，將兩片晶圓精準地鍵合在一起。

這條路別人沒走過，首席科學家霍宗亮后來說：“Xtacking是我們獨創的路徑，真正走出一條屬于中國的閃存新路徑?！边@條路的好處是，能讓產品開發時間縮短3個月，生產周期縮短20%。

但命運似乎總在跟長江存儲作對，就在64層量產的同一年，三星同期發布了128層閃存芯片。長江存儲的產品，剛出來就成了“淘汰品”。

跟著巨頭的路線亦步亦趨，永遠只能吃灰。

Xtacking架構的靈活性和開發速度，讓長江存儲突然明白如果外圍電路和存儲單元可以分開開發、并行推進，那為什么要等？

于是他們做了一個更冒險的決定：跳過64層的下一代96層，直接研發128層。

在2020年，為了保證研發進度，長江存儲第一時間成立了“緊急狀態前線指揮部”，芯片產線期間一直沒有停產。

圖為長江存儲X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND

當年的4月13日，長江存儲宣布128層QLC 3D NAND閃存研發成功。

這是全球首款128層QLC閃存。楊士寧說：“這是數千名研發人員汗水的凝聚?！睆?2層到128層，長江存儲只用了3年。

很難想象，這些層數數字背后是這支隊伍熬了多少個日夜、報廢了多少顆樣品、被對手甩開多少次又重新爬起來。

根據Counterpoint數據，2025年第四季度長江存儲全球NAND閃存份額11%，位列全球第六；而在2025年第三季度，其份額一度達到13%，逼近全球第四。

如果說長江存儲是絕境重生，那長鑫存儲就是平地起高樓。

創始人朱一明清華畢業，留美搞芯片，回國后創辦了兆易創新，在NOR閃存領域做到全球前三。但NOR Flash市場太小了，朱一明想要更大的戰場。2016年，他和合肥市走到一起，決定干一件更難的事：做內存。

這個項目有個代號叫“506”，傳聞是因為2016年5月6日，合肥市及經開區主要領導和朱一明一起研討了合肥的存儲器項目發展戰略。

內存的壁壘比閃存要高不少，如果說做閃存是“蓋樓”，對微觀精度的要求相對寬松；那做內存就是在納米尺度上“搞雕刻”，每個存儲單元都由一個精密晶體管和一顆極微小的電容器組成。

更殘酷的是專利。三星、SK海力士、美光三家在這個賽道里跑了四十多年，壘起的專利墻又高又厚，足以讓任何一個潛在的挑戰者望而卻步。

就是這樣一個連路都找不到的戰場，長鑫找到了出路。

而這條路的路基，來自一家已經破產十年的德國公司——奇夢達。

圖為英飛凌宣布分拆奇夢達，兩位CEO捧起12寸晶圓

2006年，奇夢達從英飛凌分拆出來，當時還是全球第二大DRAM供應商，意氣風發。

但DRAM這個賽道太殘酷，三年時間它就在三星發動的價格戰中被徹底擊垮。2009年1月，奇夢達正式宣告破產，成了韓國人教科書式逆周期打法的祭品。

奇夢達破產時，留下的技術專利在當時并不是什么“獨門秘籍”——它們已經被三星和海力士超越了一代以上。對這三家來說，花幾億美元買一堆落后于自己路線圖的技術，還要承擔收購帶來的法律風險和整合成本，是一筆不劃算的買賣。

長鑫則把奇夢達從破產保險柜里拿了出來，朱一明說過一句話：“奇夢達不是垃圾，是中國DRAM唯一的入場券。”

通過跟奇夢達的合作，長鑫獲得了一千多萬份技術文檔，約2.8TB的數據，其中包括DRAM專利許可和部分所有權。創始人朱一明后來也承認，這些文件構成了長鑫存儲DRAM業務的基礎。

最關鍵的是，長鑫繼承了奇夢達的一項核心技術——BWL（埋藏字線）。

圖為埋入式字線工藝示意圖

BWL的思路很簡單——把字線埋到硅片內部去，用絕緣層包裹住，徹底隔絕干擾，降低存儲單元的故障率。在這套技術基礎上，長鑫開發出了自己的46nm級BWL單元，并進一步推進到了10nm級。

技術路線上，長江和長鑫走的都是跳代的險路，只不過長江跳的是層數，長鑫跳的是納米。

2019年19nm工藝DDR4芯片規模化量產之后，長鑫沒有按部就班去磨合18nm，而是直接投入17nm DDR5的研發，跳過驗證過的中間節點，壓注下一代制程。

有了技術火種，還得有錢。

存儲芯片行業有一個殘酷的規律，前期必然持續虧損。2022年至2024年，長鑫累計虧損超過300億元；到2025年底，累計未彌補虧損達到了366.5億元。

業內流傳一種說法：研發生產DRAM，啟動資金一年至少100億元。

換作任何一個民營資本，早就撤了。

但合肥沒有撤。

圖為2019年全球半導體聯盟峰會

2024年，合肥產投相關負責人說到：“芯片等產業鏈薄弱環節，想在短期內實現資本回報概率很小，一定是大資本、長周期，甚至跨越幾個周期最終才能實現價值投資?！?/p>

十年陪跑，合肥國資累計持有長鑫科技約36.79%的股權。這筆投資在2026年一季度交出了一份驚人的成績單，單季營收508億元，凈利潤247.62億元。

資本端的回報也近在眼前，長鑫存儲科創板IPO已完成證監會注冊，只待鳴鑼上市。

到2025年底，長鑫拿下了全球7.67%的DRAM份額，中國第一、全球第四。

長江和長鑫的崛起路徑很相似：引進吸收、自己研發、跳代追趕、低谷擴產。每一步都是向死而生，跳代意味著上一代還沒賺錢就得投入下一代，低谷擴產意味著在最虧錢的時候還要繼續燒錢。

特別是在2023年，存儲芯片遭遇了“13年來最嚴重的低迷”，價格甚至跌到每GB兩毛錢。

有網友曬出當年的訂單截圖，三星1TB SSD到手價只要311元；連三星自己的產品都賣到這個價格，可想而知當時整個行業有多慘，三星、SK海力士、美光扛不住巨額虧損只能減產保價。

而長江和長鑫的選擇是：你們減產，我擴產；你們保價，我降價。

當年三星就是用這招熬死了日本對手，如今中國“兩存”也掏出了同樣的牌。這場豪賭取得了不錯的成績——到2025年，長鑫和長江的份額翻倍增長。

但中國這兩家公司跟當年的三星有個不同：極度低調。

三星當年在東京高調宣布進軍半導體，結果被嘲笑、被封鎖、被圍剿。

長鑫和長江似乎看懂了這段歷史，如今網絡上能搜到很多消費電子企業的流水線照片，但搜長江和長鑫的工廠，只能看到建筑外立面和辦公工位。

圖為小紅書搜索“長鑫存儲工廠內部照片”的結果

至于產線長什么樣，一張都找不到。

從不知名到全球第四、第六，中國存儲的兩架馬車只用了不到十年，讓如今坐在存儲王座上的韓國，已經感到了寒意。

03歷史的循環，追兵終成守成者

回到開頭的問題：韓國為什么要在順周期砸出史上最大規模的擴產？

答案呼之欲出。

30年前，韓國是那個在行業低谷瘋狂下注的追兵，用逆周期投資熬死了日本的前輩；30年后，它自己成了站在王座上的守成者，而臺下的中國玩家，正在用幾乎一模一樣的打法，一步步往上追。

AI帶來的超級周期固然誘人，但韓國真正焦慮的，恐怕是周期背后的長期威脅。

過去日韓之爭，本質上是同梯隊的效率比拼；而今天的中韓存儲產業，背后是完整度天差地別的產業鏈支撐。

韓國有技術先發優勢，中國手握全球最大消費電子、服務器、算力終端下游市場，從芯片設計、晶圓制造、封測、終端整機形成完整閉環，本土設備、材料企業同步配套突圍，不需要像當年三星一般四處外購核心設備與原料。

一旦技術代差被追平，規模優勢的天平會迅速傾斜。

所以韓國才會一反常態，在景氣周期就提前砸下重注，試圖用更大的產能、更先進的工藝拉開差距，把追兵死死擋在身后。

這不是貪婪，更像是一種恐懼，恐懼自己當年擊敗對手的武器，有一天會被對手用來對付自己。

歷史最吊詭的地方就在這里，你用來屠龍的刀法，終有一天會被后來者學會，然后揮向你自己。

但產業周期從來不會偏袒任何守舊者。

30年前沒人相信一無所有的韓國能擊潰如日中天的日本；如今同樣沒人能預判，持續低調蟄伏、逆勢擴張的中國存儲，未來會攪動怎樣的行業格局。

這場存儲王座保衛戰，遠未分出勝負。

多年后再回望今天這場千萬億韓元的投資發布會，或許人們會恍然發覺這正是東亞存儲產業權力交替的序章。