上海
7月1日，據知名半導體分析機構SemiAnalysis透露，谷歌下一代代號為Humufish的TPU將放棄臺積電的CoWoS封裝，轉而采用英特爾的EMIB-T技術。
目前，臺積電的CoWoS是AI芯片封裝的行業默認標準。谷歌作為頭部科技巨頭，其旗艦產品若成功遷移至英特爾的封裝體系，將對臺積電造成沖擊。SemiAnalysis在X平臺稱，
“谷歌下一代TPU，代號Humufish，將采用英特爾EMIB-T，而不是臺積電CoWoS。CoWoS是行業默認選擇，這正是一個旗艦部件轉向其他方案值得關注的原因。”
兩者的核心區別在于封裝的物理路徑。CoWoS將所有的裸片（dies）放置在一個大型的硅或RDL中介層上。而英特爾的EMIB技術，則是將小型硅橋直接嵌入有機基板中，僅僅在需要芯片間連接的地方才進行橋接。
擺脫光罩限制與降低成本
臺積電CoWoS的硅中介層是通過光刻技術打印的，因此其物理尺寸受到光罩極限的嚴格限制。
SemiAnalysis解釋稱：“單片版本（CoWoS-S）的極限大約是光罩尺寸的3.3倍，這也是臺積電轉向CoWoS-L的原因。EMIB不受光罩極限的束縛，因此它是一項擴展性強得多的技術。”
除了尺寸突破，成本和效率是另一個核心驅動力。EMIB完全去除了昂貴的中介層，使得封裝成本顯著降低。
更直觀的差異體現在硅片利用率上。晶圓是圓形的，如果要從中切割出大型中介層，邊緣區域會產生大量浪費，且尺寸越大良率越低。這就好比用圓面團切大塊的方餅，邊角料注定很多。
相比之下，SemiAnalysis表示：“微小的硅橋可以密集排列，幾乎沒有浪費。”此外，這一選擇也讓買家在臺積電之外，獲得了第二家供應商。
垂直供電加持，EMIB-T適配下一代HBM
Humufish具體采用的是EMIB-T技術，其中的“T”代表硅通孔（TSV）。這一設計解決了傳統封裝中的供電痛點。
SemiAnalysis解釋稱，普通的EMIB在硅橋中沒有過孔，電力必須繞過它通過基板傳輸，這給供電帶來了壓力。“EMIB-T將電力垂直直接穿過硅橋，并增加了電容器和接地層以提供更純凈的電力。”
這種架構上的升級，正是為了讓芯片能夠適配下一代HBM（高帶寬內存）和更高帶寬的互連需求。
架構適配性與量產大考
針對市場關于臺積電CoWoS-L同樣使用局部硅橋的討論，業內獨立分析人士Nutty指出，CoWoS-L在基于硅橋的結構之上增加了一個全局RDL層，這雖然提高了布線的靈活性，但也增加了面積和工藝復雜性。
“對于像Humufish這樣似乎針對推理和代理工作負載進行優化的芯片來說，數據流可能更加結構化。”Nutty分析稱，“在這種情況下，EMIB僅在需要的地方放置高密度鏈接的方法，比為全封裝布線靈活性買單更加合理。”
Nutty認為，這正是EMIB-T的重要意義所在。它不僅能減少硅片使用量和封裝成本，還能作為受限的CoWoS生態系統之外的第二供應商。
量產良率成關鍵，英特爾面臨執行力大考
盡管架構極具吸引力，但執行力仍是最大的未知數。網友Axi直言：“在吹噓節省成本之前，先給我們看看良率。”
SemiAnalysis警告稱：“普通的EMIB已經大規模出貨多年，但EMIB-T是新技術，提供供電的硅橋在擴大制造規模時難度更大。”
只有當英特爾能夠按計劃提升良率和產量時，這些優勢才能落地。如果英特爾的進度出現延誤，谷歌的后備方案依然是產能受限的CoWoS。這場技術遷移的成敗，將直接檢驗英特爾先進封裝的真實交付能力。
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