AI快速發(fā)展之下，GPU的功耗正在不斷飆升。對AI服務(wù)器來說，可以說電源和GPU同樣重要。有機構(gòu)預(yù)測，AI服務(wù)器電源是下一個千億元市場。

根據(jù)群智咨詢最新預(yù)測，2026年全球AI服務(wù)器出貨量將達到約370萬臺，同比增長51.3%，預(yù)計2028年將接近500萬臺。與此同時，AI芯片功耗正在急劇攀升，英偉達B200/GB200等芯片TDP已達1000W至2700W量級，導(dǎo)致DrMOS和多相控制器用量激增。以英偉達下一代Rubin平臺為例，單芯片功率進一步提升，配套DrMOS數(shù)量增至360顆。

隨著Agent的爆發(fā)，當(dāng)前DrMOS市場可謂“量價齊升，一芯難求”。由于供不應(yīng)求，近期現(xiàn)貨市場出現(xiàn)大幅漲價。據(jù)產(chǎn)業(yè)反饋，部分型號價格暴漲，華強北現(xiàn)貨甚至翻了數(shù)倍。

而在芯片端，廠商也非常關(guān)注DrMOS。今年5月22日舉辦的2026世界AI服務(wù)器電源大會（PSU 2026）上，DrMOS也成為了一大亮點，AOS（萬國半導(dǎo)體）、茂睿芯、芯朋微、鈺泰半導(dǎo)體展出了自己最新的產(chǎn)品。

DrMOS如此重要，今天EEWorld就來復(fù)盤一下DrMOS值得關(guān)注的技術(shù)細節(jié)和當(dāng)下市場情況。

看明白DrMOS

AI服務(wù)器電源體系可分為三層：供電體系（UPS、HVDC、PDU）、AC-DC轉(zhuǎn)換（PSU、PMC、BBU）和DC-DC轉(zhuǎn)換（PDB、VRM）。對應(yīng)芯片環(huán)節(jié)，UPS側(cè)包含PFC、逆變控制與BMS芯片；AC-DC側(cè)正由傳統(tǒng)硅MOSFET/IGBT加速向GaN/SiC過渡；DC-DC側(cè)則以DrMOS、多相控制器和PMIC為核心。

DrMOS作為多相電源方案的核心功率器件，用量與GPU功率和供電相數(shù)直接相關(guān)。

DrMOS中文名可以叫做“一體式供電”，全稱Driver + MOSFET，是英特爾于2004年推出的服務(wù)器主板節(jié)能技術(shù)。它將一個驅(qū)動器和兩個MOS管整合在單一封裝中，形成“三合一”結(jié)構(gòu)。相比分離式MOSFET方案，DrMOS的面積僅為前者的1/4，功率密度則提升了3倍。由于驅(qū)動器和功率管之間的距離極大縮短，寄生參數(shù)得以優(yōu)化，從而在減小占用面積的同時提升了整體性能。

在DrMOS基礎(chǔ)上，再塞進去一套高精度的“體檢儀”（內(nèi)置電流和溫度傳感器），能實時監(jiān)控每一相的精確電流和溫度，并直接匯報給CPU，就是智能功率級（SPS，Smart Power Stage）。因為SPS和DrMOS本來就是包含關(guān)系，所有的SPS都具備DrMOS的基本功能，但反之不成立，所以現(xiàn)在有時候芯片廠商經(jīng)?；旌蟽蓚€概念。

DrMOS主要是為了解決在有限空間內(nèi)提供大電流的難題，尤其是服務(wù)器、GPU等場景。隨著處理器功耗攀升至數(shù)百安培級別，單個MOS管已無法滿足需求。在高算力密度場景下，核心處理器對供電系統(tǒng)的要求已從“穩(wěn)定供電”升級為“極致供電能力”：不僅需要在極短時間內(nèi)提供超大電流輸出，還必須在毫伏級電壓波動中保持高精度調(diào)節(jié)，同時兼顧高效率能量轉(zhuǎn)換、快速瞬態(tài)響應(yīng)以及長期高溫高負載下的可靠運行能力。由此，大電流化、集成化、智能化與高可靠性，正成為新一代AI電源技術(shù)演進的核心方向。

DrMOS通過合封技術(shù)，有效縮小了每相占用的面積，同時兼顧了散熱性能。它并不只是簡單地將三個Die合封在一起，而是必須在極小尺寸下保持穩(wěn)定、在大電流下做好熱管理、以及在復(fù)雜環(huán)境下保證長期穩(wěn)定運行。因此，DrMOS廠商需要在功率管、控制器、封裝技術(shù)、散熱技術(shù)等方面具備扎實積累，并實現(xiàn)良好的成本控制。

當(dāng)前，DrMOS正朝著更高輸出電流、更高效率、更小尺寸和更快開關(guān)頻率的方向演進，這需要在材料、工藝和控制技術(shù)等方面持續(xù)突破。

通常，在使用DrMOS時都是配合多相控制器一起搭配使用，來實現(xiàn)Core供電。以英偉達H100為例，其核心供電方案正是采用“多相控制器+DrMOS+電感的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)的。所以，芯片廠商提供的方案，大多數(shù)是配套的。

國外DrMOS主要產(chǎn)品

長期以來，服務(wù)器電源領(lǐng)域使用的都是MPS、TI、ADI、Infineon、ST等廠商的芯片產(chǎn)品，這些廠商的產(chǎn)品不僅在功率密度上具有優(yōu)勢，也都融入著自己的理解和創(chuàng)新。

MPS與英偉達的合作非常緊密，其DrMOS和多相控制器在數(shù)據(jù)中心應(yīng)用廣泛。在DrMOS領(lǐng)域，MPS的Intelli-Phase產(chǎn)品型號也非常多，包括90A的5x6 DrMOS MP87000-M、MP87190，80A的5x6 DrMOS MP86962、MP87180。而在官網(wǎng)，EEWorld發(fā)現(xiàn)MPS正在預(yù)發(fā)布MP87120、MP87550、MP87294、MP87297、MP87592這幾款DrMOS，性能參數(shù)都很強大。此外，MPS還為英特爾Panther Lake平臺及高端供電場景量身打造量身打造了MP87440。除了DrMOS，MPS也有大量配套的多相控制器可供選擇，比如MP2891。

AOS（萬國半導(dǎo)體）是英偉達另一個合作緊密的廠商。今年4月推出SmartClamp系列受保護型DrMOS產(chǎn)品，具備高精度的過流保護（OCP）與負電流保護（NCP）功能。其中，旗艦產(chǎn)品AOZ53228QI系列是業(yè)內(nèi)目前首家真正實現(xiàn)上下限都偵測且限流的DrMOS產(chǎn)品，為AI服務(wù)器與高端GPU打造安全可靠的功率解決方案，可為多相電壓調(diào)節(jié)器（VRs）提供獨特的安全防護，有效防止在以高峰值電流為常態(tài)的嚴(yán)苛應(yīng)用環(huán)境中發(fā)生災(zāi)難性故障。過去，AOS重點一直在DrMOS上，近年也在多相控制器上發(fā)力，推出了大量的產(chǎn)品。

ADI的LTC705x DrMOS系列利用ADI已獲專利的Silent Switcher 2架構(gòu)，并集成了自舉電路，使得DrMOS模塊能夠以超快速度切換，同時降低了功率損耗和開關(guān)節(jié)點電壓過沖，提高了性能。LTC705x DrMOS器件還提供過溫保護(OTP)、輸入過壓保護(VIN OVP)和欠壓閉鎖(UVLO)保護等安全特性。最近，ADI還收購了Empower這家企業(yè)，獲得了IVR技術(shù)，可以比傳統(tǒng)DrMOS+多相控制器方案瞬態(tài)響應(yīng)更快。

TI的DrMOS由1個驅(qū)動IC和2個分立的上下管MOS組成，上下管為采用NexFET技術(shù)的VDMOS。

瑞薩在DrMOS和SPS上迭代速度也很快，其中比較典型產(chǎn)品是90A 智能功率級（SPS）模塊ISL99390R5935 和 ISL99390BR5935 ，分別與瑞薩電子 ISL68/69xxx 數(shù)字多相（DMP）控制器和相位倍增器（ISL6617A）兼容。

英飛凌也有很多功率級產(chǎn)品，包括TDA21570、TDA21535、TDA21590、TDA21520等。

目前在AI數(shù)據(jù)中心電源領(lǐng)域，國外芯片廠商正在推進背面供電和垂直供電（VPD），將DrMOS、電感等從大板正面轉(zhuǎn)移到背面，釋放正面空間，或者更進一步，將模塊直接布置于主芯片背面下方，使從模塊到用電點的走線距離接近板厚，橫向走線顯著減少。

國內(nèi)DrMOS迎來窗口期

在高性能計算電源芯片領(lǐng)域，AI大模型訓(xùn)練對算力芯片（GPU/ASIC）提出了極高的功率密度與轉(zhuǎn)換效率要求。極快的瞬態(tài)響應(yīng)速度和極高的穩(wěn)壓精度，使得數(shù)字多相控制器與DrMOS成為AI服務(wù)器供電系統(tǒng)的標(biāo)配。在這一領(lǐng)域，國產(chǎn)替代迎來了戰(zhàn)略級窗口期。

杰華特在AI服務(wù)器電源芯片領(lǐng)域一直都在發(fā)力，其能夠為為計算領(lǐng)域提供全面的模擬芯片解決方案。其中，以“智能功率級（DrMOS）+多相控制器“為杰華特最大亮點。當(dāng)前，AI服務(wù)器計算能力快速提升，其功率密度也隨之增長，所以服務(wù)器對散熱和能耗產(chǎn)生更高要求。杰華特的方案相較于分立方案，能夠降低高能耗問題，因此DrMOS在AI服務(wù)器領(lǐng)域的需求將不斷擴大。目前，30A、50A、70A、90A的DrMOS都已在客戶端實現(xiàn)量產(chǎn)爬坡。

在智能功率級方面，其推出的90A大電流輸出的JWH7079智能功率級，內(nèi)置MOSFET和驅(qū)動，支持3~16V寬輸入、90A大電流輸出，工作頻率高達3MHz。集成5μA/A電流檢測、8mV/℃溫度監(jiān)測及多重保護功能，采用4×6mm TLGA封裝，適用于服務(wù)器、GPU等高性能計算供電場景。

在多相控制器方面，JWH6376是一款雙路12相控制器，專為Intel VR14平臺核心供電設(shè)計，同時兼容VR13.HC/VR13標(biāo)準(zhǔn)。該產(chǎn)品集成PMBus/I2C和AVSBus接口，支持 電壓、電流、功率及溫度監(jiān)測，并內(nèi)置非易失存儲（介質(zhì)NVM） 保存配置和記錄故障。具備可編程環(huán)路補償、相間電流均衡、熱均衡調(diào)節(jié)功能。集成多種保護功能包括Vin/Vout過壓/欠壓、過流、過熱保護；以及TLVR電感開短路檢測和PWM信號float檢測，為系統(tǒng)可靠性保駕護航。采用業(yè)界主流6mm×6mm QFN-48封裝。

圣邦微今年5月推出了內(nèi)置電流檢測電路的90A高性能Smart Power Stage（DrMOS）——SGM25890。SGM25890采用多Die合封（Co?Packaged）集成技術(shù)，將Buck降壓電路上管、下管與驅(qū)動控制單元一體化封裝，通過外部3.3V三態(tài)PWM信號實現(xiàn)芯片精準(zhǔn)調(diào)控。搭配8相數(shù)字控制器可實現(xiàn)連續(xù)320A電流輸出；配合新款16相控制器，更可支持連續(xù)720A負載與峰值1000A電流。該性能指標(biāo)已進入國際主流DrMOS產(chǎn)品序列，可充分支撐大模型訓(xùn)練場景下處理器功耗持續(xù)攀升的供電需求。

茂睿芯在去年12月推出新一代智能功率級（SPS）產(chǎn)品MK684X系列（MK6840 & MK6841），該系列采用緊湊型4mm x 6mm封裝，是在24年12月發(fā)布的5mm x 6mm封裝MK6850上的進一步迭代。其中，MK6841采用的雙面散熱的封裝結(jié)構(gòu)，在芯片正面有可以直接與電感相連的SW焊點，在保持其他性能不變的條件下盡可能提升其散熱性能和效率。

芯朋微在去年12月也一口氣發(fā)布了12款芯片，其中包括PN786X系列DrMOS/Smart Power Stage 產(chǎn)品，面向XPU大電流VRM等高密度多相應(yīng)用。其中，PN7864支70A，PN7865/PN7866支持90A，輸入電壓范圍均為5~16V，并集成電流與溫度感測功能，可為控制器提供更準(zhǔn)確的反饋信息，幫助平臺實現(xiàn)更好的均流、均溫與閉環(huán)遙測，進一步提升供電效率、熱表現(xiàn)與系統(tǒng)穩(wěn)定性。

多相控制器方面，芯朋微也新推出了PN68XX 系列多相控制器（如PN6835、PN6844、PN6858 等），以5~16相全覆蓋、雙路/三路輸出及PMBus、AVSBus、SVI2/3、SVID、PVID等全主流數(shù)字協(xié)議兼容能力，構(gòu)建起“全協(xié)議+全相數(shù)”的完整產(chǎn)品矩陣；依托COT + TLVR+非線性控制，產(chǎn)品不僅能夠全面覆蓋AI算力、電源高性能供電等關(guān)鍵場景，還可實現(xiàn)對主流競品的Pin-to-Pin無縫替代；與此同時，提供JDM深度定制服務(wù)，支持私有協(xié)議擴展與架構(gòu)級協(xié)同研發(fā)，以更高適配度、更快導(dǎo)入效率和更強平臺延展性，助力在AI算力時代搶占性能與上市先機。

矽力杰也布局了DrMOS這一領(lǐng)域，矽力杰SQ29670是一顆單芯片SPS/DrMOS，芯片內(nèi)部集成解耦電容，MOSFET，驅(qū)動及控制單元，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝。通過優(yōu)化的驅(qū)動和死區(qū)控制邏輯，能夠?qū)崿F(xiàn)高效率、高功率密度以及良好的散熱性能。通過使用AutoZero運放，提供了高精度，快速響應(yīng)的IMON波形。嚴(yán)密的控制和保護邏輯使其能輕松兼容主流的前級控制器，適用于CPU，GPU以及POL的電源設(shè)計。

晶豐明源去年宣布，推出第二代DrMOS，依托首代自研BCD工藝（BPS-G1）的成熟基礎(chǔ)，晶豐明源成功研發(fā)并量產(chǎn)了第二代BCD工藝（BPS-G2），其關(guān)鍵性能指標(biāo)實現(xiàn)跨越，已達國際一流水平。晶豐明源第二代DrMOS采用全新Co-pack封裝，多晶圓+基板（Substrate）設(shè)計，融合了前兩種設(shè)計的優(yōu)勢，在實現(xiàn)更優(yōu)性能的同時，達成了更佳的綜合成本效益。

應(yīng)用方面，比較典型的是16相數(shù)字控制器BPD95036+大電流智能DrMOS BPD80690。

DrMOS已成為高端AI電源的行業(yè)標(biāo)配。隨著AI算力持續(xù)升級，高集成度、大電流承載能力、高可靠性正成為長期發(fā)展趨勢。憑借不可替代的集成與性能優(yōu)勢，DrMOS正快速從高端服務(wù)器向通用AI服務(wù)器、邊緣算力及智算中心全面普及。

DrMOS正朝著更高電流密度、更高效率、更強熱可靠性三大方向持續(xù)迭代。通過提升單顆輸出能力、降低導(dǎo)通損耗，并集成完備的保護功能，DrMOS能夠深度適配液冷散熱方案。同時，該技術(shù)與800VDC高壓架構(gòu)、多相數(shù)字控制及高頻拓撲形成深度協(xié)同，共同構(gòu)建AI服務(wù)器的高效供電體系。此外，隨著AI服務(wù)器對于供電的要求逐步提升，DrMOS與SPS也正在逐漸轉(zhuǎn)向垂直供電。

參考文獻

[1]AOSemi：https://mp.weixin.qq.com/s/UvCvo0qu83tCiT7Vz1PBWA

[2]ADI：https://www.analog.com/cn/resources/analog-dialogue/articles/how-monolithic-driver-mosfet-technology-improves-power-system-design.html

[3]矽力杰：https://mp.weixin.qq.com/s/XHkvL2CWRUC5Snb3w10aMQ

[4]茂睿芯：https://mp.weixin.qq.com/s/oQCSh2ptm54VOjDk6CNWIA

[5]芯朋微：https://mp.weixin.qq.com/s/VhqhzcbE8t4M7QrOk4RlqQ

[6]私家芯探：https://mp.weixin.qq.com/s/VejxoApUtGD_DHvVJFvjhw

[7]中金點睛：https://mp.weixin.qq.com/s/BXFdldKyUZOTQnql2A2OKQ

[8]港美通訊：https://mp.weixin.qq.com/s/wvOwApR9qGzJrbg56u3-qA

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