河南
快科技7月2日消息，三星電子近日提交了一項新型半導體封裝專利，專利號為KR20260040407A。該專利針對高堆疊HBM4E與HBM5制程中的可靠性瓶頸實施結構革新。
行業正從8層向16層乃至更高堆疊邁進，頂層虛擬芯片引發的可靠性問題正成為各家廠商必須跨越的門檻。
HBM封裝在基底芯片上垂直堆疊存儲裸片，頂部覆蓋一層虛擬芯片用于保持封裝高度并提供機械保護與散熱。
當堆疊從8層增至12層時，良率已下滑10至20個百分點。達到16層以上時，翹曲、分層與裂紋問題導致良率大幅跌至40%至60%。
三星的新方案將頂層虛擬芯片設計為底部收窄、頂部加寬的倒金字塔形態。側壁采用三級階梯與曲面復合結構。該設計使底面粘接界面更窄、頂面更寬，相比傳統垂直側壁大幅提升了機械強度。
制造工藝上，引入深槽切割激光技術。相比傳統機械刀片切割，該工藝能實現更深更精密的切割，同時減少對半導體晶體結構的損傷。在非鍵合區預設溝槽，防止切割碎屑污染鍵合界面。
熱管理方面，將鍵合絕緣層底面與水平延伸面之間的垂直距離精確控制在1至10微米之間。
此外還通過優化凸起表面結構縮減塑封料體積，改善散熱路徑。三星計劃將此項技術與混合鍵合及HPB熱阻斷技術整合。
HBM5規劃提供12層、16層及20層堆疊配置。三星已在電腦展上展示HBM5原型產品，目標2028年左右實現量產。
TrendForce預測2026年全球存儲芯片市場規模將飆升至約5516億美元。對三星而言，這塊虛擬芯片的技術突破關系到萬億級別市場的成敗。
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