盤面上,深市低開高走,滬市低開震蕩,芯片設計概念上漲。相關(guān)ETF方面,科創(chuàng)芯片設計ETF天弘(589070)標的指數(shù)盤中漲2.95%,成交額達5551.08萬元;換手率達3.44%。成分股中,格科微、翱捷科技-U漲超5%,思瑞浦、安凱微、寒武紀等多股跟漲。
值得關(guān)注的是,Wind顯示,科創(chuàng)芯片設計ETF天弘(589070)近13個交易日(2026年6月10日—2026年6月29日)實現(xiàn)連續(xù)“吸金”,最近20個交易日累計獲資金凈流入10.23億元。截至2026年6月29日,該基金最新規(guī)模為16.02億元,再創(chuàng)上市以來新高,為同標的全市場第一。
科創(chuàng)芯片設計ETF天弘(589070)緊密跟蹤科創(chuàng)芯片設計指數(shù),該指數(shù)近一年漲幅達154.47%,其行業(yè)配置主要包括半導體(95.15%)、軍工電子Ⅱ(3.74%)、軟件開發(fā)(0.66%)等,前五大成分股為瀾起科技、寒武紀、海光信息、佰維存儲、芯原股份。該ETF還配備了2只場外聯(lián)接基金(A類:027574;C類:027575)。
消息面上,據(jù)新浪財經(jīng),韓國政府聯(lián)合三星電子、SK集團宣布啟動以半導體、物理AI及AI數(shù)據(jù)中心為核心的“三大超級項目”,計劃投入超過4755萬億韓元,旨在構(gòu)建本土AI生態(tài)系統(tǒng)以支撐其未來數(shù)十年的發(fā)展。同期,據(jù)網(wǎng)易新聞,韓國官員預計將在五年內(nèi)實現(xiàn)DRAM生產(chǎn)能力翻倍,并預測全球內(nèi)存市場規(guī)模將在同期增長四倍。此外,兩大集團的投資重點包括在西南地區(qū)新建多座晶圓廠,并大幅提前龍仁半導體產(chǎn)業(yè)集群的建設周期。
英大證券認為,科創(chuàng)芯片作為戰(zhàn)略核心資產(chǎn),其“自主可控”與“國產(chǎn)替代”的長期向好邏輯未變,尤其在政策強力扶持下,設備、材料及制造環(huán)節(jié)將深度受益。隨著市場重心轉(zhuǎn)向驗證業(yè)績,板塊內(nèi)部分化將加劇,具備真實業(yè)績增長的細分龍頭有望走出獨立行情,而無基本面支撐的題材股將面臨回調(diào)風險。投資者應避免追高,采取逢低布局優(yōu)質(zhì)龍頭的策略。
風險提示:本文觀點不構(gòu)成任何投資建議,請投資人獨立判斷和決策。指數(shù)基金存在跟蹤誤差。
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