三星正為一款全新的 M.2 NVMe Gen 4 固態硬盤 SSD 990 做最后準備,這款產品將補齊其客戶端 SSD 產品線中面向“性價比”主流市場的空缺。 需要注意的是,SSD 990 不同于此前的 990 EVO Plus,后者定位于 PCIe Gen 4 時代的無緩存高性能產品。
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兩者之間的主要區分因素很可能在于所采用的閃存類型(QLC 對比 TLC),以及 SSD 990上更新的主控方案。 與支持 PCIe Gen 4 x4 或 Gen 5 x2 接口的 990 EVO Plus 不同,SSD 990 明確采用 PCIe Gen 4 x4 接口,進一步強調其在現有主流平臺上的定位。
據悉,SSD 990 仍是一款無獨立 DRAM 緩存的固態硬盤,搭載三星自研主控芯片。 官方資料指出,SSD 990 的寫入壽命低于使用 DRAM 緩存及 3D TLC 閃存的 990 PRO,這也強化了其更可能使用 QLC 閃存的判斷。 在具體耐久性方面,1 TB 版本的標稱寫入壽命為 400 TBW,而 2 TB 版本則為 800 TBW。
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在性能指標上,SSD 990 的順序讀寫速度已經進入 PCIe Gen 4 階段的高端區間。 2 TB 型號的最高順序讀取速度可達 7250 MB/s,1 TB 型號則為最高 7150 MB/s,兩種容量版本的順序寫入速度均可達 6450 MB/s。 相關規格最早曾在三星加拿大官網短暫出現,隨后被移除,但已被 VideoCardz 截圖保存并曝光。
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