公司動態(tài)

　　在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新一輪上行周期中，長鑫科技集團(tuán)股份有限公司已成為中國大陸DRAM領(lǐng)域擴(kuò)張勢頭最為強(qiáng)勁的代表性企業(yè)。根據(jù)其于2026年5月17日更新的科創(chuàng)板IPO招股說明書，該公司在2026年第一季度實現(xiàn)營業(yè)收入508億元人民幣，歸屬于母公司股東的凈利潤為247.6億元，并預(yù)計上半年歸母凈利潤將在500億至570億元區(qū)間內(nèi)。橫向?qū)Ρ葋砜矗陧n國SK海力士存儲業(yè)務(wù)營收約為2700億元人民幣，三星電子相關(guān)業(yè)務(wù)則達(dá)3800億元人民幣。由此可知，長鑫科技單季度營收規(guī)模已接近SK海力士的五分之一，展現(xiàn)出極強(qiáng)的成長勢能與市場競爭力。

　　從業(yè)務(wù)定位出發(fā)，長鑫科技與SK海力士高度相似，均屬于以DRAM為核心產(chǎn)品的垂直整合制造商（IDM），覆蓋芯片設(shè)計、晶圓制造及封裝測試全鏈條。區(qū)別在于，SK海力士約三成收入來自NAND閃存，而長鑫科技目前專注于純DRAM業(yè)務(wù)路徑。這種聚焦策略使其在細(xì)分賽道中快速積累技術(shù)能力與量產(chǎn)經(jīng)驗，逐步確立起“中國海力士”的行業(yè)形象。在全球長期由三星、SK海力士與美光主導(dǎo)的存儲格局中，長鑫科技是近十余年來最具成長潛力與現(xiàn)實威脅的新銳力量。

　　DRAM芯片制造流程極為精密復(fù)雜，涵蓋數(shù)百道工序，包括刻蝕、薄膜沉積、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）、清洗、檢測等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，每一環(huán)節(jié)均需匹配專用設(shè)備與高性能材料。招股書顯示，長鑫科技已完成從DDR4到DDR5的全系產(chǎn)品升級，毛利率亦由兩年前的負(fù)值（-112%）躍升至40%以上。這一結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)變的背后，是其供應(yīng)鏈體系日趨成熟所給予的堅實支撐。行業(yè)資深工程師蔣彬指出，長期以來，國產(chǎn)設(shè)備廠商面臨的核心瓶頸并非技術(shù)儲備不足，而是缺乏在真實量產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行充分驗證的機(jī)會；而長鑫科技與長江存儲持續(xù)的大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)計劃，恰恰為上游設(shè)備企業(yè)提供了不可多得的產(chǎn)業(yè)化試驗場。

　　在DRAM產(chǎn)線資本開支結(jié)構(gòu)中，刻蝕與薄膜沉積設(shè)備合計占比約50%，位居首位；光刻設(shè)備緊隨其后；量測檢測設(shè)備約占總支出的12%–15%。盡管應(yīng)用材料、泛林集團(tuán)、東京電子等國際巨頭仍占據(jù)全球主導(dǎo)地位，但國產(chǎn)設(shè)備在國內(nèi)存儲產(chǎn)線的滲透率正快速提升。據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈人士透露，長鑫科技當(dāng)前國產(chǎn)設(shè)備整體占比已達(dá)四至五成；長江存儲武漢三期工廠的國產(chǎn)設(shè)備采購比例更超過一半，其中核心工序國產(chǎn)化率已突破60%。不過，各環(huán)節(jié)進(jìn)展并不均衡：CMP與清洗設(shè)備國產(chǎn)化程度較高；刻蝕與薄膜沉積正處于高速滲透階段；而量測檢測、涂膠顯影等環(huán)節(jié)仍是國產(chǎn)替代的薄弱地帶，亦是未來重點攻堅方向。

　　刻蝕設(shè)備的技術(shù)門檻尤為突出，其核心性能指標(biāo)“深寬比”直接決定電路微結(jié)構(gòu)的精度極限。北方華創(chuàng)作為國內(nèi)產(chǎn)品譜系最廣的設(shè)備廠商，2025年刻蝕與薄膜沉積設(shè)備收入雙雙突破百億元，立式爐與PVD設(shè)備交付量均超1000臺。中微公司則在超高深寬比刻蝕領(lǐng)域取得重大突破，其自主研發(fā)設(shè)備已有300余臺反應(yīng)器投入量產(chǎn)，下一代90:1低溫刻蝕機(jī)及第二代ICP刻蝕設(shè)備分別實現(xiàn)90:1與140:1的刻蝕成果——這意味著可在納米級寬度溝槽中完成近百倍乃至百四十倍深度的精準(zhǔn)加工，已具備支撐最新一代DRAM量產(chǎn)的能力。

　　薄膜沉積方面，拓荊科技表現(xiàn)搶眼。2026年一季度，公司營收達(dá)11.12億元，同比增長57%；歸母凈利潤5.71億元，成功實現(xiàn)扭虧為盈。2025年全年，其PECVD設(shè)備收入51.42億元（+75%），ALD設(shè)備收入3.01億元（+192%）。國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期首個產(chǎn)業(yè)投資項目即投向其子公司拓荊鍵科，聚焦先進(jìn)鍵合設(shè)備研發(fā)。此外，華海清科于2026年4月交付第1000臺CMP設(shè)備，占據(jù)國產(chǎn)CMP市場九成以上份額；精智達(dá)自主研發(fā)的高速FT測試機(jī)速率高達(dá)每秒90億比特，超越日本愛德萬主力機(jī)型，并于年初斬獲13.11億元大額訂單，覆蓋DRAM與HBM全流程測試。

　　隨著產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張，設(shè)備采購需求迎來爆發(fā)期。據(jù)悉，長鑫科技已于2026年第二季度啟動新一輪設(shè)備招投標(biāo)，全年計劃新增晶圓產(chǎn)能5萬至6萬片，對應(yīng)設(shè)備采購金額預(yù)計達(dá)350億至430億元。疊加IPO募投項目中明確列支的220.66億元設(shè)備購置及安裝費(fèi)用，以及長江存儲2號廠房同步開啟的工藝設(shè)備招標(biāo)，國內(nèi)兩大存儲龍頭已共同步入設(shè)備采購高峰期，為國產(chǎn)設(shè)備廠商帶來歷史性機(jī)遇。

　　材料端的國產(chǎn)化進(jìn)程同樣提速明顯。長鑫科技2025年原材料采購總額約114.7億元，其中化學(xué)品占比最高（37.29%），其次為光阻劑（12.16%）、硅片（8.55%）及電子特氣（5.10%）。前驅(qū)體作為ALD/CVD工藝的關(guān)鍵原料，在DRAM電容器制造中用量巨大，且隨工藝迭代呈上升趨勢。雅克科技作為國內(nèi)該領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)，其江蘇工廠前驅(qū)體國產(chǎn)化項目已完成客戶端驗證，進(jìn)入批量試生產(chǎn)階段。安集科技一季度營收創(chuàng)歷史新高，多款鎢基拋光液已在先進(jìn)制程中穩(wěn)定上量；電子特氣方面，華特氣體、金宏氣體等瓶裝氣供應(yīng)商加速滲透，廣鋼氣體、正帆科技等也在大宗現(xiàn)場制氣領(lǐng)域穩(wěn)步推進(jìn)。

　　值得關(guān)注的是，國產(chǎn)化導(dǎo)入已切實轉(zhuǎn)化為成本優(yōu)勢。以2023年為基準(zhǔn)，至2025年，長鑫科技硅片采購單價下降約30%，靶材下降約22%，備件降幅接近47%，化學(xué)品采購成本亦降低約26%。公司在招股書中明確將“加大國產(chǎn)供應(yīng)商導(dǎo)入力度”列為降本增效的重要舉措，旨在同步強(qiáng)化供應(yīng)鏈韌性與成本競爭力。

　　業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，制約國產(chǎn)設(shè)備與材料發(fā)展的根本癥結(jié)，在于缺乏規(guī)模化量產(chǎn)驗證場景。深圳某存儲企業(yè)市場負(fù)責(zé)人周勇輝指出，這曾形成典型的“雙循環(huán)困境”：因缺少頭部客戶訂單，企業(yè)難以持續(xù)投入研發(fā)；研發(fā)不足又導(dǎo)致產(chǎn)品性能難以達(dá)標(biāo)，進(jìn)而進(jìn)一步失去訂單機(jī)會。長鑫科技與長江存儲憑借其標(biāo)準(zhǔn)化制造平臺與穩(wěn)定擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏，實質(zhì)上構(gòu)建了一個高效可靠的國產(chǎn)化驗證閉環(huán)。由于存儲芯片工藝平臺高度統(tǒng)一，一旦設(shè)備或材料在某一代平臺上完成驗證并導(dǎo)入，后續(xù)產(chǎn)能復(fù)制即可快速鋪開，極大縮短商業(yè)化周期。

　　數(shù)據(jù)顯示，長鑫科技當(dāng)前量產(chǎn)的第四代平臺國產(chǎn)設(shè)備參與度尚不足20%，但正在開發(fā)的新一代平臺，國產(chǎn)化比例有望躍升至40%以上。這意味著，未來每新增1萬片月產(chǎn)能，國產(chǎn)設(shè)備廠商所能獲得的訂單份額將是此前的兩倍左右。截至2025年底，公司月產(chǎn)能約為28萬至29萬片12英寸晶圓，而要滿足國內(nèi)市場需求，目標(biāo)產(chǎn)能需提升至80萬片，中間存在約50萬片的巨大缺口。按照行業(yè)慣例，每新增1萬片月產(chǎn)能需配套約70億元設(shè)備投資測算，潛在設(shè)備總投資規(guī)模可達(dá)數(shù)千億元。若新一代平臺國產(chǎn)化率如期突破40%，僅IPO募投中的220億元設(shè)備預(yù)算，就將為國產(chǎn)設(shè)備企業(yè)帶來近百億元訂單增量。

　　據(jù)Omdia預(yù)測，全球DRAM市場規(guī)模將由2025年的1505億美元增長至2030年的5710億美元，年均復(fù)合增長率超30%。在此背景下，長鑫科技2026年一季度全球市場份額已達(dá)9.7%，相較2025年二季度的3.97%實現(xiàn)跨越式提升。公司亦在招股書中強(qiáng)調(diào)“發(fā)揮產(chǎn)業(yè)鏈鏈主引領(lǐng)作用”，致力于推動供應(yīng)鏈本土化、多元化發(fā)展。可以預(yù)見，隨著長鑫科技產(chǎn)能持續(xù)攀升與國產(chǎn)化率穩(wěn)步提高，整個中國半導(dǎo)體設(shè)備與材料產(chǎn)業(yè)將迎來前所未有的結(jié)構(gòu)性發(fā)展機(jī)遇。

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