河南
快科技7月3日消息，閃迪與鎧俠聯(lián)合宣布，第十代BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)BiCS10正式啟動(dòng)樣品交付。首款產(chǎn)品為1Tb TLC型號(hào)，采用332層堆疊設(shè)計(jì)。
BiCS10在技術(shù)架構(gòu)上延續(xù)了BiCS8時(shí)代就已采用的兩大核心工藝。其一是CMOS直接鍵合到陣列技術(shù)，將CMOS邏輯電路與存儲(chǔ)陣列分別在不同晶圓上制造，再通過(guò)高精度晶圓對(duì)晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合。
其二是間距選擇柵極漏極技術(shù)，通過(guò)優(yōu)化存儲(chǔ)單元的排列布局來(lái)提升密度。這兩項(xiàng)技術(shù)的成熟與迭代，為BiCS10實(shí)現(xiàn)332層堆疊和4.8Gb/s接口速度提供了底層支撐。
性能方面，BiCS10的NAND接口速度達(dá)到4.8Gb/s，較BiCS8提升了33%。位密度提升59%，實(shí)現(xiàn)了超過(guò)29Gb/mm2的業(yè)界領(lǐng)先存儲(chǔ)密度。
能效表現(xiàn)方面，輸入功耗較BiCS8降低10%，輸出功耗降低34%。寫(xiě)入能效提升18%，讀取能效提升30%。
技術(shù)層面，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口標(biāo)準(zhǔn)、SCA協(xié)議及PI-LTT低功耗技術(shù)。
鎧俠預(yù)測(cè)2026至2028年NAND市場(chǎng)整體出貨容量復(fù)合年增長(zhǎng)率為22%，其中數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域增速達(dá)46%。
兩家公司均未將BiCS10定位為消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品，目前沒(méi)有公布具體的單顆售價(jià)。該技術(shù)將優(yōu)先應(yīng)用于企業(yè)級(jí)與數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤(pán)，專(zhuān)為AI訓(xùn)練、推理及大規(guī)模云工作負(fù)載設(shè)計(jì)。
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