上海
頭部存儲廠商開啟了市值比拼。
三星電子（005930.KS）市值突破1萬億美元后，美股5月26日收盤，美光科技（MU.O）大漲19.29%，創下股價新高，市值站上1萬億美元。5月27日盤中，SK海力士（000660.KS）股價也一度上漲11%，市值突破1萬億美元大關。至此，最大的三家DRAM（動態隨機存取內存）存儲原廠市值都在萬億美元量級。
從收盤價看，美光是第二家市值站上萬億美元的DRAM存儲原廠。從今年初到5月26日，美光股價累計上漲了2.14倍，若從2025年初開始算起，美光股價累計上漲9.68倍。
資本市場對三大存儲原廠的關注與AI帶動的需求增長相關，特別是與AI相關性最強的HBM（高帶寬內存，一種DRAM），主要就來自這三家原廠。其中，SK海力士HBM市場份額最大，但美光追趕速度頗快。
三家原廠中，美光對HBM的投入也較多。據TrendForce集邦咨詢統計，去年SK海力士占據HBM市場的一半以上，三星、SK海力士、美光HBM占公司內存產能的比例則分別為23%、18%和26%，美光HBM在內存中的比例偏高。為了實現追趕，此前美光曾跨過HBM3一代，直接投入HBM3e，并進入英偉達供應鏈。
機構預測今年美光仍有望搶得更多HBM市場。據TrendForce集邦咨詢數據，去年SK海力士、美光和三星HBM生產位元占比分別為59%、20%、20%，今年SK海力士的占比預計縮小至50%，美光增加至28%。HBM市場規模預計同步擴大，預計今年將突破300億Gb。
不過，隨著HBM4進入商業化周期，行業競爭也變得更激烈。有業界人士向記者分析，美光此前追上了HBM3e應用的時間點，并與SK海力士一同成為HBM市場最大需求方英偉達去年的主要供應商，三星去年則側重AMD等其他客戶。
但今年三星已在迎頭趕上。隨著英偉達產品迭代，三家HBM4供應商今年同時導入英偉達供應鏈。今年3月的英偉達GTC大會上，美光宣布為英偉達Vera Rubin設計的HBM4 36GB 12-high產品開始批量出貨。三星也宣布，為Vera Rubin設計的第六代HBM4進入量產周期。
對美光而言，眼下最重要的工作包括推動HBM4生產順利爬坡。在3月的財報電話會上，美光高管表示，隨著HBM4的生產爬坡和批量出貨的進行，預計HBM4達到成熟良率的速度將快于HBM3e。去年第三季度，該公司達到為HBM設定的目標，即HBM份額與DRAM整體份額持平，今年將同時供應HBM3e和HBM4。
不過，從DRAM整體收入來看，美光與另外兩家原廠相比仍有差距。據市場研究機構閃存市場數據，按照去年第四季度DRAM原廠營收統計，三星市占率最高，占比37.1%，SK海力士和美光市占率分別為33.1%和20.8%。該季度NAND閃存營收排名中，三星和SK海力士位居前二，美光則位列第五，市占率11.6%，與其他兩家差距明顯。
從業績變化看，在截至今年2月26日的季度中，美光營收同比增長196%至238.6億美元，GAAP凈利潤同比增長數倍至137.9億美元。該公司預計，2026年行業DRAM位元出貨量將增長20%以上，NAND閃存位元出貨量同比增長約20%，公司2026年的DRAM和NAND供應量增長幅度與行業大致持平。
市值站上了1億美元的美光，當前也與其他存儲原廠一同面臨行業缺貨、供應緊張的機遇和挑戰，并同步建設產能。業界普遍預計，按照原廠建設進度，到2027年存儲產品仍將維持供應緊張的狀況。
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