芯片股剛剛經(jīng)歷了一場“地震”，美銀美林卻在這個時間點發(fā)布了一份極度看多半導體的報告。

6月23日，就在全球芯片股遭遇重挫的同一天——費城半導體指數(shù)單日暴跌7.9%，美光科技跌13%，韓國KOSPI指數(shù)觸發(fā)熔斷——美銀美林Vivek Arya等分析師發(fā)布題為《美國半導體行業(yè)現(xiàn)狀：上調(diào)預測，AI將能見度延伸至2028年》的報告。

報告判斷：AI對芯片的需求可見度已經(jīng)延伸至2028年，存儲在此之前不會出現(xiàn)供給過剩，而半導體設(shè)備支出將在2028年迎來一個大年。

半導體行業(yè)將在五年內(nèi)再增1萬億美元收入

芯片行業(yè)用了約50年才實現(xiàn)第一個1萬億美元的年銷售額。但該行的框架提到，AI有望幫助行業(yè)在未來五年內(nèi)再增加1萬億美元。

數(shù)字層面，全球半導體市場總規(guī)模預測從此前的2.3萬億美元上調(diào)至2.7萬億美元（2030年），對應2025-2030年復合增長率28%。

2026年是爆發(fā)之年：預計半導體總銷售額同比增長103%，其中存儲芯片增速更高達298%——DRAM預計增長309%，NAND增長295%。

驅(qū)動這一增長的五大主題：

1. AI數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)市場：預計2030年達到約1.7萬億美元，從2025年的約2730億美元起步

2. 存儲芯片的強勁與持久性：長期供貨協(xié)議（LTA）提供2-3年的供需和定價能見度，美光與Anthropic的合作是近期案例

3. 半導體設(shè)備/先進封裝/EDA：受益于供應協(xié)議延伸和芯片復雜度提升

4. 模擬芯片：受益于AI帶來的電力需求上升

5. 服務器CPU：Agentic AI帶來約1700億美元的服務器市場機會

存儲芯片：2028年前不會“供過于求”

分析師判斷，DRAM和NAND的供需比（sufficiency ratio）在預測期內(nèi)始終維持在110%以上，不會出現(xiàn)歷史上那種供給嚴重過剩的局面。價格方面，預計2026年全年DRAM和NAND現(xiàn)貨/合約價格保持強勁，2027年之前不會出現(xiàn)季度環(huán)比下跌

為什么供給彈性這么低？原因是多方面的：

• 資本支出主要用于建廠房，而非買設(shè)備。美光（Micron）指引其2026財年資本支出超過250億美元（2025財年為138億美元），但大部分增量用于建設(shè)潔凈室廠房。真正能產(chǎn)出芯片的設(shè)備投入要到2028年才會大規(guī)模落地。

• 建潔凈室和擴產(chǎn)能是兩件事。前者花錢多、周期長，后者才真正影響供給。這意味著，2026-2027年的大量資本開支，實質(zhì)上是在為2028年的產(chǎn)能擴張鋪路。

• 美光愛達荷州新廠預計2027年中開始首批產(chǎn)出，2028年才進入量產(chǎn)爬坡；新加坡HBM先進封裝廠預計2027年開始貢獻，2028年全面投產(chǎn)。

• 地緣政治、封裝產(chǎn)能、電力限制也在制約供給擴張速度。

HBM（高帶寬內(nèi)存）是存儲芯片中最受關(guān)注的品種。預計HBM市場規(guī)模將從2025年的約350億美元增長至2030年的約2460億美元，復合增長率34%。每個AI加速器搭載的HBM容量預計從2025年的約187GB增長至2030年的約464GB，增長率18%。

英偉達最新的Vera Rubin系統(tǒng)，每個加速器需要288GB的HBM4內(nèi)存。

半導體設(shè)備：2028年支出將突破2500億美元

晶圓制造/半導體設(shè)備支出（WFE）的預測是本次報告另一個重大上調(diào)。

2028年半導體設(shè)備（WFE）支出預測從此前的2030億美元大幅上調(diào)23%至2500億美元（同比增長32%）。2027年預測也從1830億美元上調(diào)至1900億美元（同比+31%）。

整體來看，WFE在2025-2030年的復合增速預計達到20%。

為什么是2028年？三個關(guān)鍵驅(qū)動因素：

第一，潔凈室產(chǎn)能在2028年前后大規(guī)模釋放。現(xiàn)在大量資本支出用于建廠房，設(shè)備采購會在廠房建好后集中落地。

第二，技術(shù)節(jié)點切換帶來設(shè)備強度提升。2nm全環(huán)繞柵極（GAA）工藝在2026-2028年加速量產(chǎn)，新工藝初期良率低、設(shè)備利用率低，單位晶圓的設(shè)備投入反而更高。High-NA EUV光刻機的導入也是重要推手。

第三，存儲芯片的技術(shù)升級。HBM從HBM3升級到HBM4/5，層數(shù)更多、封裝更復雜；NAND從300層向400層遷移，都需要更多設(shè)備投入。

測算顯示，如果按歷史規(guī)律推算每片晶圓對應的設(shè)備投入增長，2027年隱含WFE約為1930億美元，2028年約為2450億美元，與1900億/2500億的預測高度吻合。

值得注意的是，有一個指標會讓人產(chǎn)生誤判：WFE占半導體銷售額的比例（WFE intensity）將從歷史正常水平的中十幾個百分點下降到約11%。但這主要是因為存儲芯片價格暴漲導致分母（銷售額）急劇膨脹，并不代表設(shè)備需求在萎縮。更有意義的指標是每片晶圓對應的設(shè)備投入，這個數(shù)字在持續(xù)上升。

HBM：從350億美元到2460億美元

HBM是這輪存儲超級周期的核心驅(qū)動力。

預測顯示，HBM市場規(guī)模將從2025年的約350億美元增至2030年的約2460億美元，復合增速34%。每顆AI加速器搭載的HBM容量，預計從2025年的187GB增至2030年的464GB，復合增速18%。

英偉達最新的Vera Rubin系統(tǒng)（2026年下半年推出）每顆加速器搭載288GB HBM4——這個數(shù)字本身就說明了方向。

HBM的價格預測：2027-2028年約為17.5美元/GB，高于2026年的14.3美元/GB。

基于上述行業(yè)綜合判斷，該行分析師對多只半導體股票目標價進行了大幅上調(diào)，并將估值基準年從2027年切換至2028年：

存儲芯片方面，分析師將美光目標價從950美元上調(diào)至1500美元，維持買入。半導體設(shè)備，應用材料目標價從540美元上調(diào)至720美元，MKS儀器等多家公司目標價也被上調(diào)。AI基礎(chǔ)設(shè)施芯片方面，看好Marvell、Credo、英特爾等。

消費電子和智能手機：AI盛宴中的局外人

并非所有細分市場都在分享AI紅利。

智能手機芯片預計2026年同比下滑13%，PC芯片下滑9%，消費電子整體下滑7%。這些市場面臨的是出貨量下滑的結(jié)構(gòu)性壓力，與AI數(shù)據(jù)中心的爆發(fā)形成鮮明對比。

汽車和工業(yè)市場則處于溫和復蘇階段：汽車芯片預計2026年增長4%，工業(yè)芯片增長18%，主要受益于庫存消化完畢后的需求回補，以及單車芯片含量的持續(xù)提升。