遼寧
《自然·電子學》剛刊了一篇論文，全球半導體圈直接破防。
說實話，這數據剛出來我也嚇了一跳。
南京大學 + 華為 + 蘇州國家實驗室，聯合發布了全球首顆二硫化鉬（MoS?）多位并行微處理器——“夢啟-1000”。
名字挺中國風，但參數一點都不客氣。
厚度：0.6納米。
一根頭發絲的十五萬分之一。
晶體管密度：每平方毫米9336個。
同節點硅基芯片的14倍。
功耗：比硅基芯片降低90%以上。
而且——完全不依賴ASML的EUV光刻機。
國內現有的DUV產線，小幅改造就能投產。設備復用率70%。
硅基芯片微縮到2納米后漏電發熱的死穴，被二維材料一刀捅穿了。
硅基走不動了，換道
過去二十年，芯片行業只有一個信仰：把晶體管做小。
從14納米到7納米，從5納米到3納米，再到2納米。
然后撞墻了。
2納米以下，量子隧穿效應讓電子直接穿墻跑掉，漏電、發熱、功耗失控。物理定律擺在那，不是燒錢就能解決的。
這條路，到頭了。
全世界都在找后摩爾時代的出路。碳納米管、量子計算、光子芯片……各有各的難處。
二維半導體，是最被看好的一條。
但之前所有二維芯片都只能做串行計算——一次處理一位數據，離實用差得遠。
“夢啟-1000”把這個天花板捅破了。
它是全球首款二維半導體多位并行微處理器，首次在二維材料中實現并行運算和片上寄存器堆。
從實驗室演示，正式邁入能干活的階段。
它怎么做到的？
材料革命：二硫化鉬（MoS?）。
單層厚度0.6納米，比硅晶圓薄了兩個數量級。電子遷移率優異，開關比高，天然適合做晶體管溝道。
繞開EUV：DUV產線直接適配。
這是最騷的操作。
西方卡脖子的核心是EUV光刻機——買不到，造不出。但“夢啟-1000”用的是“Fab前道+Lab后道”混合工藝，國內8英寸、12英寸老舊晶圓廠，小幅改造就能投產。
設備復用率70%。
也就是說，不需要建新廠，不需要買新設備，現有產線就能跑。
架構突破：從串行到并行。
此前二維芯片只能做簡單的串行演示，算不了什么東西。“夢啟-1000”實現了多位并行運算，加上片上寄存器堆，意味著它可以執行實際的計算任務。
從“實驗室玩具”到“能用的處理器”——這一步，卡了全球二維半導體研究界好幾年。
這意味著什么？
這不是改良，是換道。
硅基芯片的摩爾定律微縮路線，已經走到物理極限。繼續在上面砸錢，邊際效益越來越低。
二維半導體走的是另一條路——不跟你在同一條賽道上卷，我換一條賽道跑。
晶體管密度14倍、功耗降90%、不依賴EUV——這三個數字放在一起，不是漸進式改進，是代際躍遷。
當然，從實驗室到量產還有很長的路要走。良率、封裝、配套EDA工具、生態建設，每一項都是硬骨頭。
但方向已經明確了。
我國在下一代二維半導體賽道上，已經跑在了全球最前列。
后摩爾時代的第一槍
2018年，中興被罰。
2019年，華為被制裁。
2020年，EUV徹底斷供。
每一次都被卡脖子，每一次都在找路。
“夢啟-1000”的意義，不在于它今天能跑多快。
在于它證明了一件事：硅基走不通的地方，中國找到了一條新路。
這條路上，沒有EUV封鎖，沒有x86授權，沒有洋協議。
只有0.6納米厚的二硫化鉬，和一群鐵了心要換道的人。
?? 風險提示： 本文僅做產業分析，不構成任何投資建議。夢啟-1000目前處于實驗室原型階段，量產時間表以南京大學/華為官方公告為準。
來，投個票——你覺得二維半導體幾年內能干翻硅基？
A. 5年內專用場景先量產（軍工/航天/傳感器先上）
B. 先做好硅基國產化，二維是遠期備胎
C. 這就是下一個IGBT，會逐步滲透
D. 評論區說說你的判斷，我看看有多少人跟我一樣押C
評論區選一個，說說你的看法
我是微風蕩漾，專注熱點情報+硬核拆解。關注我，在這個秩序重構的時代，帶你先看到底牌。
數據來源：
Nature Electronics 2026.5.26 – Menchi-1000: A multi-bit parallel microprocessor based on monolayer MoS?
南京大學微電子學院 / 蘇州國家實驗室聯合新聞稿
華為技術有限公司二維半導體合作研究公告
二維半導體 #夢啟1000 #后摩爾時代 #二硫化鉬 #國產替代 #繞開EUV #芯片換道
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