浙江
鎧俠（Kioxia Corporation）近日宣布，已開始向客戶出貨采用其第10代BiCS FLASH 3D閃存技術的1Tb（太比特）三層單元（TLC）內存設備樣品。這批全新產品將主要集成到鎧俠的企業級和數據中心固態硬盤（SSD）中，旨在進一步強化其產品陣容，以滿足人工智能（AI）存儲領域對高性能、大容量以及低功耗日益增長的緊迫需求。
據悉，這些創新成果將在位于日本巖手縣的鎧俠北上工廠第二廠房（Kitakami Plant Fab2）采用尖端設備進行本土制造。
在技術架構上，第10代技術繼續沿用了自第8代BiCS FLASH起引入的“CMOS直接鍵合到晶圓陣列（CBA）”技術和“等間距選擇柵極漏極（OPS）”技術。得益于這兩項核心技術的創新融合，新一代閃存實現了高達4.8 Gb/s的NAND接口速度，相比第8代產品大幅提升了33%。與此同時，通過實現驚人的332層垂直堆疊并優化橫向密度，其位密度（Bit Density）顯著增長了59%。在能源效益方面，新技術的寫入和讀取能效也分別獲得了18%和30%的改善，這將有效幫助現代數據中心和企業級基礎設施降低整體功耗與運營成本。
目前，鎧俠正在其獨特的“雙軸戰略”指導下，同步推進兩條截然不同的產品線：其一是第9代解決方案，該方案能夠在保持相對較低投資成本的同時，提供極具競爭力的優異性能；其二便是本次推出樣品的第10代技術，它通過更先進的層數堆疊技術，實現了超大規模的容量擴張和卓越的性能表現。
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