浙江
閃迪（SanDisk）于今日正式宣布，已開始向客戶交付其第10代3D NAND閃存技術(shù)產(chǎn)品——BiCS10 1Tb（Terabit，即128GB）TLC閃存芯片的測試樣品。這款全新芯片在存儲密度、傳輸速度以及功耗效率上均實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍，旨在全面滿足現(xiàn)代計算對大規(guī)模、高效率存儲的緊迫需求。
根據(jù)閃迪官方披露的技術(shù)細節(jié)，BiCS10芯片通過將閃存堆疊層數(shù)大幅提升至332層，并結(jié)合先進的橫向微縮（Lateral Scaling）技術(shù)，成功實現(xiàn)了超過29Gb/mm2的業(yè)界領(lǐng)先TLC存儲密度。與目前市場上作為主力大規(guī)模量產(chǎn)的第8代（BiCS8）3D閃存相比，新型BiCS10的位密度（Bit Density）足足提升了59%。在性能方面，得益于Toggle DDR 6.0接口總線、SCA協(xié)議以及PI-LTT技術(shù)的全面引入，BiCS10的接口傳輸速率飆升至驚人的4.8 Gb/s，較前代產(chǎn)品實現(xiàn)了33%的性能飛躍。
除了性能與密度的雙重突破，BiCS10在能效方面的表現(xiàn)同樣亮眼。該芯片繼續(xù)沿用了閃迪久經(jīng)市場考驗的CBA（CMOS directly Bonded to Array，CMOS直接鍵合至晶圓陣列）架構(gòu)技術(shù)。這種尖端工藝通過在獨立的晶圓上分別制造CMOS邏輯電路與閃存記憶陣列，隨后利用高精度的晶圓對齊技術(shù)將二者鍵合在一起，從而最大化地釋放電氣性能。在這一技術(shù)的加持下，BiCS10 TLC芯片的數(shù)據(jù)輸入與輸出能效得到了顯著優(yōu)化，相比BiCS8世代，其輸入功耗降低了10%，輸出功耗更是大幅驟降了34%，這對于渴望降低運營成本與散熱壓力的現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心及企業(yè)級基礎(chǔ)設(shè)施而言至關(guān)重要。
閃迪首席技術(shù)官阿普爾·伊爾克巴哈爾（Alper Ilkbahar）在發(fā)布會上面對行業(yè)媒體表示，隨著當(dāng)今世界連接日益緊密、數(shù)據(jù)高度密集且智能化程度不斷加深，NAND閃存技術(shù)在支撐現(xiàn)代算力規(guī)模方面正扮演著愈發(fā)關(guān)鍵的基石角色。他強調(diào)，早前的BiCS8通過將晶圓鍵合能力與密度、能效的實際增益相結(jié)合，已經(jīng)為行業(yè)樹立了全新的標桿；而如今的BiCS10 TLC則在此堅實的基礎(chǔ)之上，進一步為客戶帶來了更快的接口速率、更高的位密度以及更卓越的功耗表現(xiàn)，這清晰地展示了閃迪在3D閃存長期技術(shù)路線圖上的創(chuàng)新實力。
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